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102.
103.
通过在SOI-LIGBT中引入电阻场板和一个p-MOSFET结构,IGBT的性能得以大幅提高.p-MOSFET的栅信号由电阻场板分压得到.在IGBT关断过程中,p-MOSFET将被开启,作为阳极短路结构起作用,从而使漂移区的过剩载流子迅速消失,IGBT快速关断.而且由于电场受到电阻场板的影响,使得过剩载流子能沿着一个更宽的通道流过漂移区,几乎消去了普通SOI-LIGBT由于衬偏造成的关断的第二阶段.这两个因素使得新结构的关断时间大大减少.在IGBT的开启状态,由于p-MOSFET不导通,因此器件的开启特性几乎与普通器件一致.模拟结果表明,新结构至少能增加25%的耐压,减少65%的关断时间. 相似文献
105.
106.
本文分析了峰值电流模式控制的特点,峰值电流模式控制芯片UC3846,并应用UC3846采用双管正激电路设计了48V/50A电源模块。 相似文献
107.
横流均匀环境中三维线源型正负浮力射流特性研究 总被引：2，自引：2，他引：0
本文利用混合有限分析法及交错网格。对横流均匀环境中三维线源型正负浮力射流及负浮力射流的特性进行研究，分析了不同工况下流速，温度和湍动能在断面上的分布及影响射流轨迹线的因素，讨论了轨迹线上温度的变化及浮力射流的贴壁现象。对三维长线源型负浮力射流，分析了流速比，喷口弗汝德数对负浮力射流的影响。 相似文献
108.
本文主要讨论了以微机作为控制器、功率晶体管作为功放元件的直流伺服系统的设计,包括系统方案的选择、功放电路大功率晶体管的保护、控制规律、D/A变换以及伺服系统的位置检测等问题。 相似文献
109.
TDA1170N的OTL场输出级电路的功耗主要由四部分组成,一是正程前半段场输出管、Q_1的导通功耗(约1.9W),二是正程后半段输出管Q_2的导通功耗(约1.3W),三是逆程期间Q_1的导通功耗(约0.2W),四是正程期间偏转线圈的电阻功耗(约0.9W)。 相似文献
110.
丁腈橡胶/导电粒子复合材料的正温度系数(PTC)特性 总被引：7，自引：0，他引：7
将导电粒子碳黑和铜粉分别与丁腈橡胶混合制备导电聚合物复合材料，其中碳黑（Ｎ５５０）／丁腈橡胶复合材料的电阻率随温度的变化呈现较强的正温度系数（ＰＴＣ）效应。讨论了掺入导电粒子浓度、结构和表面性质以及混炼硫化工艺等对该类材料的室温电阻率及ＰＴＣ效应的影响。 相似文献