4-Mask工艺Cu腐蚀分析及改善研究

针对4-Mask工艺铜数据线腐蚀造成的锯齿状不良现象进行系统研究,发现铜腐蚀发生的工艺步骤和机理,并找到有效的措施。首先,通过显微镜对每道刻蚀工艺后铜数据线形貌进行观测,确定铜腐蚀发生的工艺步骤。接着,通过扫描电子显微镜和X射线电子能谱测量腐蚀生产物成分,对腐蚀机理提出合理解释。最后在铜腐蚀发生机理基础上,提出有效的改善措施。铜腐蚀是在有源半导体层干刻和光刻胶的灰化综合作用下发生,其主要产物为氧化铜、氯化铜。通过先进行灰化工艺然后进行有源半导体层干刻的工艺措施,在铜数据线两侧形成氧化铜保护膜,可以彻底改善铜腐蚀。改善措施可以解决铜腐蚀的问题,彻底消除铜数据线锯齿状不良。     

低成本多晶硅片表面织构的研究

采用化学腐蚀液织构了经磷吸杂处理后的多晶硅片。利用SEM分析了化学腐蚀后多晶硅表面形态,并通过反射谱测试分析了多晶硅片表面的陷光效果。实验结果表明：经酸腐蚀后的样品表面分布着均一的“蚯蚓状”的腐蚀坑,且反射率较低。在400-1000nm波长范围内,反射率可达22．75％;生长了SiN,薄膜后,反射率减小至8．33％,比原始硅片的反射率低20．96％。     

形成硅多层微机械结构的“掩模-无掩模”腐蚀新技术

本文介绍了一种制作硅多层微结构的体微机械加工新技术．基于KOH溶液的无掩模腐蚀特性，仅用一层掩模进行一次从有掩模到无掩模的连续腐蚀工序，可在（100）硅片上制作各种以（311）晶面为侧面且进棱沿（110）晶向的多层次立体结构，原则上层面数不受限制，各个层面的位置和深度都可由一块掩模的设计和相应的腐蚀深度确定，该技术突破了传统各向异性腐蚀的局限性，使体微机械技术的加工能力大为扩展，可望在微电子机械系统的结构制作中广泛应用．     

海洋光学

为什么要研究海洋光学？海洋光学，或更一般地说水文光学，是光与自然水体如何互相作用的学问。重点过去一直是似乎还将继续是在于海洋的许多经济和军事应用。例如，海洋生产大多数人类消耗的鱼，而其生产最终是由极微小的海藻如何吸收和利用光所控制的。为了确保国家安全，人们一直在寻找如何进入和利用海洋．这类活动经常要求用可见光射入海洋去探测和确认潜在的威胁，或搞清具有战术或战略价值区域的特征。然而，让我们记住，从海洋实验得到的概念可以直接用到湖泊、溪流和江河等其他天然水体。从大洋演变过程角度看，研究海洋中光的最紧…     

发展中的美国海军研究所

美国海军研究所（ＮＲＬ）是美国海军的综合科学研究所，它不仅从事美国海军的装备研制，而且还从事海洋、天空和宇宙空间等广泛课题的开发和研究。本文在概述该所发展历史的基础上，详细介绍了民的研究范围性、组织机构与行政管理、人才开发与科学设施以及广阔的发展前景等。     

高频地波雷达探测海面动力学参数的研究

介绍了利用高频地叔雷达探测海面动力学参数的理论方法,即由海面回波多普勒谱提取海风,海浪,海流等海态信息,并进行了计算机仿真反演,结果表明该方法能满足工程技术要求。     

VSAR：一种高分辨率海洋成象雷达系统

速度合成孔径雷达（ＶＳＡＲ）是一种概念型高分辨率海洋成象合成孔径雷达传感系统。ＶＳＡＲ不仅可以利用多元ＳＡＲ系统收集的数据提取被观察区域的雷达反射率,还可以提取每个象素中散射体的径向速度。这是通过利用多幅ＳＡＲ图象中所包含的相位信息才得以实现的,而不是象传统ＳＡＲ那样只利用大小信息。ＶＳＡＲ试图利用这种速度信息补偿传统ＳＡＲ系统中潜在的速度失真并重建海洋反射率。我们介绍了ＶＳＡＲ系统的基本理论及其     

红外半导体材料HgMnTe的缺陷腐蚀

窄禁带、含Ｈｇ的Ⅱ－Ⅵ族化合物半导体晶体的电性能受缺陷影响很大,蚀坑密度又是缺陷电学性质研究中重要的相关参数．本文从腐蚀机理出发,研究了ＨｇＭｎＴｅ的腐蚀工艺,探索出一种适合于ＨｇＭｎＴｅ的腐蚀液．从实验结果来看,该腐蚀液可显示不同晶面上的多种缺陷,如位错、晶界、孪晶、杂质和沉淀等,而且腐蚀质量高．以此为基础,我们还分析了ＡＣＲＴ和Ｂｒｉｄｇｍａｎ两种方法生长的ＨｇＭｎＴｅ晶体中缺陷的形貌特点及分布情况     

倒装睛中铝腐蚀的红外显微镜观测研究

倒装芯片是当前电子封装领域中的研究热点之一。本文利用新型的红外显策镜,在不破坏焊点的情况下,首次观测到一种倒装芯片封装器件经过稳态湿热试验后的铝腐蚀模式,并用一种有损失失效分析的方法验证了红外显微镜的观测结果。实验发现,该倒装芯片在含有与不含有下流填充料的情况下具有完全不同的铝腐蚀模式和腐蚀机理。     

增材制造TC4钛合金在激光抛光前后的电化学腐蚀性能

对表面已进行喷砂处理的增材制造TC4钛合金在氩气环境下进行激光抛光实验,通过极化曲线测试研究了抛光前、后钛合金的耐蚀性,并结合表面粗糙度、晶粒尺寸、表面残余应力以及显微组织分析了激光抛光对TC4钛合金耐蚀性的影响。研究结果表明:抛光钛合金的自腐蚀电位与自腐蚀电流密度均大于未抛光钛合金,说明抛光钛合金相比于原始钛合金的被腐蚀倾向更小,但其一旦受到腐蚀,腐蚀速率会略大于原始钛合金。自腐蚀电位的升高源于钛合金表面粗糙度的降低,自腐蚀电流密度的增大则是因为表面晶粒的细化以及残余拉应力的存在。