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61.
目的 在青岛市小麦岛试验站开展实海浸泡试验,探究聚氨酯涂层在实际服役过程中的失效行为。 方法 选用TS55?80聚氨酯涂层/Q235碳钢体系为试验样品,开展实海浸泡试验。从聚氨酯涂层的表面形貌、失光率、色差、涂层附着力、化学结构及涂层热稳定性等角度对聚氨酯涂层的失效行为进行研究。结果 在实海浸泡条件下,聚氨酯涂层表面会出现明显的鼓泡和裂纹等缺陷,在浸泡6个月后的涂层表面可以观察到明显的腐蚀产物。随着浸泡时间的延长,涂层的化学结构发生了明显变化,涂层的热稳定性显著降低。在浸泡12个月后,聚氨酯涂层的失光率为69.9%,属于严重失光;涂层的色差达到3.20,属于轻微变色,涂层的附着力降至0.82 MPa,涂层与金属基体的结合强度大幅下降;聚氨酯涂层的阻抗值降至2.81×103 Ω.cm2,说明涂层的防护性能基本丧失。结论 在实海浸泡条件下,聚氨酯涂层中颜料颗粒的脱落会造成涂层表面孔隙数量的增加,这会加速海水中水和氧气等腐蚀性介质的渗透过程,使得涂层/金属界面处的电化学反应快速进行,导致涂层的防护性能快速下降。此外,聚氨酯链中氨基甲酸酯键的水解是造成聚氨酯涂层发生降解的主要原因。 相似文献
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63.
64.
以南方某铀尾矿石为研究对象,探究pH、粒径、浸泡时间等因素对尾矿中铀、钍放射性元素释放的影响。将待测铀尾矿样分为-0.45mm、0.45~8mm、+8mm三个粒度区间,设置三组pH分别为4.0、5.0、6.0的淋浸液,连续浸泡42d。结果表明:三组粒度,在相同试验条件下,钍元素比铀元素更难从尾矿中酸泡浸出,其中粒度越小的尾矿,放射性元素(U、Th)的释放量越大。粒度-0.45mm组中,U和Th最大释放量分别为8.42mg/L和0.151mg/L。 相似文献
65.
66.
某深水管道工程在进行补口防腐层热水浸泡试验中发现管道主体 3LPP防腐层脱落的情况,对主体防腐层和补口防腐层耐热水浸泡性能的要求及实验等进行失效分析。通过对 3种不同质量的主体防腐层分别取环状试样和片状试样开展了 7d、30 d和 100 d热水浸泡试验。结果表明:延长热水浸泡试验周期更容易发现涂层质量问题,片状试样较环状试样更容易出现脱落,质量良好的防腐层受试样形式和浸泡周期的影响较小。为了更好地保障海底管道涂层质量,基于标准比对和试验结论对海底管道主体防腐层提出了 100 d热水浸泡的指标要求。 相似文献
67.
通过细菌培养试验、实海浸泡腐蚀试验,研究了2507双相不锈钢在南海深水环境中的点蚀和缝隙腐蚀行为,通过电化学测试、光学显微镜、扫描电镜和能谱仪等方法,分析了2507双相不锈钢的电化学特征和微观腐蚀形貌。结果表明:南海深水中无硫酸盐还原菌(SRB)和锰氧化菌(MOB)菌群,1 L南海深水中大约有400个铁氧化菌(IOB);在南海深水环境中浸泡17 d后,2507双相不锈钢开始出现点蚀倾向,这可能与微生物的附着和氯离子的富集有关;浸泡120 d和592 d后,2507双相不锈钢表面有点蚀坑,且随着浸泡时间的延长,蚀坑深度无明显增加;浸泡506 d和592 d后,2507双相不锈钢缝隙区域出现腐蚀坑,其深度约为7μm。 相似文献
68.
为揭示钻井液浸泡岩石产生表面形貌损伤引起井壁失稳,选取砂岩、页岩岩样,利用三维光学显微镜,对不同温度钻井液浸泡作用前后的岩石表面形貌进行测试,定量分析其特征参数,探讨温度对岩石表面形貌的影响机制及损伤度。结果表明:随温度的升高,特征参数Sa、Sq、Sk整体上呈增大趋势,特征参数Sr整体上呈减小趋势,导致其形貌轮廓的粗糙度、离散性、波动性增加,轮廓起伏度降低,对称性优于浸泡前;在30~120 ℃时,形貌损伤度逐渐增加,在120~150 ℃时,形貌损伤度降低,形貌损伤度极值点TS在120~150 ℃之间。砂岩和页岩的高度特征参数的损伤度大于纹理特征参数的损伤度。 相似文献
69.
驻极体空气过滤材料消静电实验研究 总被引:1,自引:0,他引:1
选取4片不同级别的驻极体空气过滤材料,对滤料消除静电效应前后的计数效率和PM2.5净化效率等性能参数进行了试验研究,消静电方法采用的是异丙醇浸泡法,试验用气溶胶为KCl固态气溶胶。试验结果表明:采用异丙醇浸泡法能够在一定程度上消除驻极体过滤材料本身所带的静电;消除静电效应后滤料对不同粒径颗粒的计数效率均有所下降,特别是颗粒物粒径越小,过滤效率下降的幅度也越大;消静电后滤料对PM2.5的净化效率也有所下降。研究结果揭示了采用驻极体过滤材料制造而成的带静电过滤器在实际使用过程中可能存在的因静电消失后带来的效率下降风险,试验数据也能为将来空气过滤器国家相关标准的修订提供参考建议。 相似文献
70.
采用浸泡镀敷的方法在多孔硅表面形成了一镀铜层,通过对掺铜前后多孔硅的光致发光(PL)谱和傅里叶变换红外(FTIR)吸收光谱的研究,讨论了铜在多孔硅表面的吸附对其光致发光的影响。实验表明,掺铜多孔硅的光致发光谱出现两个发光带,其中能量较低的发光带随主发光带变化,并使多孔硅的发光峰位蓝移。多孔硅发光峰位的蓝移,是由于在发生金属淀积的同时伴随着多孔硅表面Si的氧化过程(纳米Si氧化为SiO2)的缘故。 相似文献