量子阱质量检测方法研究

目的 研究激子峰所包含的相关信息,为量子阱的质量检测提供依据。方法 总结了有关激子峰的研究成果,将其归纳成可操作的测试理论。结果与结论 激子峰的相对强度反映量子阱生长质量,激子峰的位置反映内部电场分布进一步反映变分布。     

量子阱质量检测方法研究

目的　研究激子峰所包含的相关信息 ,为量子阱的质量检测提供依据 .方法　总结有关激子峰的研究成果 ,将其归纳成可操作的测试理论 .结果与结论　激子峰的相对强度反映量子阱生长质量 ,激子峰的位置反映内部电场分布并进一步反映应变分布 .     

二体法计算ZnO量子点中激子的基态能

采用二体模型,通过坐标变换把二体问题化为两个单体问题,再分别采用无限深球方势阱和氢原子模型求解,通过一定的近似,得到了ZnO量子点的基态能的近似解析解.     

非催化剂法制备ZnO纳米线阵列的近带边高分辨变温光致发光性能研究

采用CVD法在a-面蓝宝石衬底上制备了ZnO籽晶层,然后在籽晶层上用碳热还原法制备了高质量的ZnO纳米线阵列。发现生长后的ZnO纳米线阵列具有良好的近带边发光性能,束缚激子发光峰半峰宽<500!eV。通过变温PL测试,确定3.37737eV的发光峰为自由激子发光,分别通过Vina模型和Vashni模型对其进行拟合,发现在60K以下Vashni模型的拟合相当好,而在60～150K,Vina模型的拟合效果更优。3.29eV处的峰为DAP峰,计算可得样品中的施主浓度为1.8×1018cm-3。     

三元混晶膜的表面激子极化激元

运用麦克斯韦方程组和波恩-黄昆(Born-Huang)近似,对几种典型膜材料的三元混晶(TMC)膜中的表面激子极化激元进行了研究和数值计算。结果表明:TMC膜中存在两支激子极化激元表面模,与二元材料定性类似,但定量明显不同;TMC膜两支表面模频率和分裂能均随组分非线性变化;非线性程度与混晶膜厚(或频率)有关,在某些膜厚(或频率)下,可呈现非单调性。     

极性三元混晶中的Wannier激子结合能

在无序元胞孤立位移(MREI)模型下．考虑激子与混晶中的两支光学声子的相互作用,利用变分法计算了极性三元混晶(TMCs)中的Wannier激子的结合能。数值计算给出几种混晶材料的结合能随组份x的变化关系。讨论了混晶中的两支光学声子对激子结合能的贡献。结果表明,当电子和空穴有效质量相差较大时,电声子相互作用对激子结合能有着重要的贡献,声子对结合能的影响随混晶组份非线性变化的。同时讨论了有效声子近似(EPMA)在计算激子结合能时的适用范围。     

中子与58,60Ni反应的理论计算

根据中子与天然Ni及其同位素反应的总截面、去弹截面和弹性散射角分布的实验数据，得到中子的光学模型势参量。应用得到的光学模型势参量，根据光学模型、统一的Hauser-Feshbach和激子模型理论以及扭曲波玻恩近似理论，系统计算和分析了中子与^58,60Ni反应的非弹散射角分布和双微分截面，理论结果与实验很好地一致。     

半导体量子点中的双激子发光

双激子发光是半导体材料在高激发强度下形成两个激子后复合发光的一种物理过程。相较于块体材料,量子点体积小、载流子受限、能级分立,从而具有独特的双激子发光特性,具体表现为双激子结合能大,级联发射中的光子对是极化反对称的,激子对的俄歇复合效应强。从双激子发光研究的发展历程出发,重点介绍了量子点双激子发光的基本原理、光谱特性,特别是量子效应对量子纠缠和光增益的影响。讨论了量子点双激子发光在纠缠光源、量子点激光器等方面的应用潜力和目前所面临的挑战。     

有机发光二极管发光机理的研究

从载流子注入和传输、载流子复合以及激子的衰减和发光等方面阐释了有机电致发光二极管的发光机理，介绍了载流子注入与传输的理论模型，讨论了激子形成及正负载流子复合的问题，详细分析了激子衰减和发光的过程。