InGaAs／GaAs应变量子阱中的激子发光动力学

本文详细测量并分析了ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ应变量子阱中的激子发光衰退特性，研究了激子发光寿命与Ｉｎ组分和阱宽的关系．发现Ｉｎ组分增大时，激子寿命变短，而发光寿命与阶宽的关系不大．文章分析了影响发光寿命的诸多因素，指出在ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ量子阱中，由合金无序造成的散射对激子发光寿命有重要的影响．     

~(238)U,~(235)U和~(93)Nb的次级中子能谱和双微分截面计算

一、引言自1966年Griffin提出激子模型以来,经过人们多年的工作,激子模型在计算次级中子能谱方面取得了一定的成功,用于角分布计算也有所进展。但迄今预平衡计算和平衡(蒸发)计算不能统一,计算结果不能定量地符合实验。其一个主要的原因是激子态     

ZnSe/ZnCdSe多量子阱激子光学非线性

本文采用泵浦－探测技术研究了ＺｎＳｅ／ＺｎＣｄＳｅ多量子阱室温激子饱和吸收，并根据Ｋ－Ｋ关系计算得到５２１．６ｎｍ至５４４ｎｍ的光学非线性折射率的变化．观测到由折射率变化引起的ＺｎＳｅ／ＣｄＺｎＳｅ多量子阱光双稳器件的室温激子光双稳．根据ＺｎＳｅ／ＺｎＣｄＳｅ多量子阱的激子吸收谱及激子的非线性理论，归结其主要非线性机制为激子态的相空间填充和激子带展宽．     

不同发光层基质材料的高效红色有机电致磷光器件

制备了以铱配合物(btp)2Ir(acac)磷光体为掺杂剂,分别以TPBi、 CBP 和Alq为发光层基质的红色电致磷光器件,比较了三种器件的性能.结果表明,在三种器件中,以Alq为基质的器件效率极低;以CBP为基质的器件,高的效率和好的色度相互矛盾;以TPBi为基质的器件性能最好,在驱动电流为4 mA/cm2时,色坐标为(x=0.62,y=0.35),亮度效率达2.43 cd /A.分析表明, (btp)2Ir(acac)分子在TPBi基质中的高效发光源于其对空穴的有效俘获.进一步的研究确定,(btp)2Ir(acac)分子在TPBi基质中的激子扩散长度为20 nm左右.     

半导体量子阱材料

综述了半导体量子阱材料的量新发展动态和发展趋势。     

An organic light-emitting devices of highly efficient white phosphor using an electron/exciton blocker

Highly efficient white phosphorescent organic light-emitting devices （WOLEDs） was fabricated using an electron/exciton blocker. The device structure is ITO/2T-NATA（25 nm）/NPBX（25-dnm）/CBP：5%Ir（ppy）3：0.5%Rubrene（8 nm）/NPBX（dnm）/ DPVBi（30 nm）/TPBi（20 nm）/Alq（10nm）/LiF（1nm）/A1, in which N,N ＇ -bis- （1-naphthyl）- N,N ＇ -dipheny1-1, 1 ＇ - biphenyl-4,4 i -diamine （NPBX） functions as a hole transport layer and electron/exciton blocker, 4,4,N,N ＇ dicarbazolebiphenyl （CBP） is host, 4,4＇ -bis（2,2 -diphenyl vinyl）-1,1 ＇ -biphenyl （DPVBi） is blue fluorescent dye, 5,6,11, 12,-tetraphenylnaphthacene （rubrene） is fluorescent dye, factris （2-phenylpyridine） iridium （Ir（ppy）3） is phosphorescent sensitizer and tris（8-hydroxyquinoline） aluminum （Alq3） is an electron transport layer. The WOLEDs have obtained white light emission by adjusting the thickness of NPBX, when the concentration of Ir（ppy）3 is 5-wt% and rubrene is 0.5-wt%, respectively, the thickness of the doped emissive layer is 8 nm, the WOLEDs show a maximum luminous efficiency is 11.2 cd/ A with d of 10 nm at 7 V and a maximum luminance of 28170 cd/m^2 at 17 V, the CIE coordinates is （0.37.0.42）, which is in white region.     

三元化合物（MeI—AgI）薄膜的制备及其激子谱的研究

介绍了用真空蒸发技术制备三元化合物体系ＭｅＩ－ＡｇＩ（Ｍｅ：Ｋ,Ｒｂ,Ｃｓ）中各种材料薄膜的工艺过程,为实现不同温度下的光谱测量,设计了真空低温测量装置,测定并初步分析了薄膜在液氮温度下的激子谱及其规律。     

Alq3作为激子阻挡层对有机太阳能电池的影响

选用CuPc(酞菁酮)为供电子的材料,Alq3(8-羟基喹啉铝)为激子阻挡层,研究了结构为ITO/CuPc(20 nm)/C60(40 nm)/Alq3(x)/Ag(100 nm)的有机太阳能电池(OPV),考察了OPV性能同阻挡层Alq3厚度之间的关系.通过分析发现,OPV效率同有机功能层厚度密切相关,在标准太阳光照条件下,结构为ITO/CuPc(20 nm)/C60(40 nm)/Alq3(x)/Ag(100 nm)的器件效率随着Alq3厚度的增加先增大后变小,当厚度为0 nm时,效率为0.285%;当厚度为2.5 nm时,效率为1.13%;而当厚度为5 nm时,效率为0.569%;当厚度为10 nm时,效率则为0%.     

退火温度及气氛对Bi_4Ti_3O_(12)光致发光的影响

以Bi(NO3)3·5H2O和钛酸四丁酯[Ti(OC4H9)4]为原料,采用水热法制备了钛酸铋(Bi4Ti3O12,BiT)纳米材料。利用X线衍射(XRD)研究了产物的物相。结果表明,合成的产物为铋层状钙钛矿结构的BiT。N2气氛中不同退火温度下BiT纳米材料和BiT陶瓷的光致发光(PL)研究表明,420nm激发光激发下,470.6nm处的蓝-绿发光是因为氧空位捕获的电子和空穴形成的自束缚激子的辐射复合。而氧气氛中退火时发光强度减弱也表明蓝-绿发光与氧空位有关。