SMT的发展和超SMT的兴起

本文概括地介绍了SMT的近期发展动向和CAIT概念及特点。CAIT与SMT所具有的优点,使人们确信,该技术必将成为下一代装联技术的发展中心。     

银粉粒径及形貌搭配对无铅导体浆料性能的影响

从银粉的不同粒径级配与形貌搭配方面考察其对无铅导体银浆烧结后膜层的电阻率、附着力的影响。选取了平均粒径分别为0.1,0.4,1μm的球形银粉以及平均粒径为3~6μm的片状银粉,首先将3种粒径的球形银粉按不同比例的搭配得到3种球形银粉最紧密堆积的最佳比例,然后根据Dinger-Funk粉体堆积原理进行验证,最后再与片状银粉搭配制得导电银浆。实验结果表明,在大颗粒间填充小颗粒能增加粉体堆积的致密度,从而明显降低烧结后膜层的方阻,同时通过在片状银粉之间空隙填充这种致密度好的球形混合银粉颗粒,比单纯使用片状银粉制得的银膜层方阻更低。通过本次实验制得的银膜外表致密光洁,可焊性、耐焊性良好,方阻为3.78 m?/□、附着力40 N/mm~2。     

薄壁片状电极的加工方法

针对薄壁片状电极的加工常出现的现象进行分析,并提出经过实践检验可行的处理方法,供同行们参考。     

超细片状银粉的制备技术研究进展

超细片状银粉比传统大尺寸银粉可更好地满足电子产品发展需求。对机械球磨法和化学还原法2种制备超细片状银粉方法进行了对比分析。球磨法产率高、成本低,但易引入杂质且技术指标难保持一致;化学法制备的银粉形貌粒径均一性高,但产率低。介绍了化学还原法的技术特点,对其生长机理进行了分析。提出对球磨工艺的深入研究,以及化学法中保持高品质银粉情况下提高反应体系浓度,是超细片状银粉制备技术的研究重点。     

粉煤灰制备片状氧化铝粉体

在粉煤灰中加入一定量硫酸铝为原料,以硫酸钠为反应介质,研究了不同温度对试样产物的影响。结果表明：在1200℃温度条件下保温3h,试样的主要物相为α—Al2O3和硅铝酸钠,用HF酸溶去硅铝酸钠和试样中的杂质相,得到了较纯的片状α—Al2O3,片晶大小为4～7μm,厚度为0．1～0．3μm。     

Gd~(3+)掺杂La_(1-x)Gd_xMgAl_(11)O_(19)(x=0～1)陶瓷的制备及热学性能

以Al(OH)3,La2O3,Gd2O3和4MgCO3·Mg(OH)2·5H2O为原料,采用固相反应法在1500℃保温4h合成了镁基六铝酸镧钆(La1-xGdxMgAl11O19,x=0～1,LGMA)粉体。结果表明:合成的LGMA粉体具有畸变的磁铅石型晶体结构,形成一种镧钆共掺镁基六铝酸盐固溶体,LGMA晶粒发育良好,呈板片状,晶粒平均厚度约为350nm。采用无压烧结法在1700℃保温6h后LGMA陶瓷仍能保持其稳定的磁铅石结构。在LaMgAl11O19晶格中掺入钆离子能显著降低LGMA陶瓷的高温热导率,在800℃,GdMgAl11O19陶瓷的最低热导率为1.78W/(m·K),200～1200℃范围的平均线性热膨胀系数为9.39×10-6/K。GMA陶瓷具有较低热导率的主要原因是:在LaMgAl11O19晶格中原子质量较重的Gd3+取代La3+能够增强声子散射作用,Gd3+掺入后引起的晶格畸变对声子散射也具有重要作用。     

片状纳米ZnO的合成及其光催化活性研究

以六次甲基四胺为沉淀剂,氯代十六烷基吡啶为形貌控制剂,采用水热-均匀沉淀法合成了片状ZnO微晶,考察了合成方法、沉淀剂用量及水热反应温度等条件对产物形貌、尺寸及光学性质的影响,并以甲基橙为模型污染物研究了样品的光催化性能。结果表明,所得样品均为六方纤锌矿型ZnO,当锌盐和六次甲基四胺的摩尔比为1∶2,采用水热-均匀沉淀法于120℃水热条件下反应所得到的样品其形貌最佳,且在250~400 nm波长范围内对光有很强的吸收,对甲基橙的光降解具有较高的光催化活性,自然光照5 h后甲基橙的脱色率可达90.8%。     

金刚石合成机制的研究

孤立原子不存在轨道混合问题。碳原子在形成金刚石时,原子间互相影响,使电子运动状态发生变化,形成sp3的杂化轨道,C- C形成共价键。文章分析了金刚石合成的机理,论述和比较了片状触媒和粉状触媒合成金刚石的过程和差异,提出了“单间生长机制”的观点,认为在粉状触媒工艺中金刚石生长的环境条件优越,合成出的金刚石晶体均匀对称,品质良好。