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NMOS器件两次沟道注入杂质分布和阈电压计算 总被引:1,自引:1,他引:0
分别考虑了深浅两次沟道区注入杂质在氧化扩散过程中对表面浓度的贡献。对两次注入杂质的扩散分别提取了扩散系数的氧化增强系数、氧化衰减系数和有效杂地系数,给出了表面浓度与工艺参数之间的模拟关系式,以峰值浓度为强反型条件计算了开启电压,文章还给出了开启电压、氧化条件、不同注入组合之间的关系式。 相似文献
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BAMHL1 1 /3- 72 0 0 - 1× 3W是在总结以往充气集合式高电压并联电容器产品优点的基础上 ,为优化大容量产品结构 ,提高绝缘可靠性和设备技术经济性能而开发的项目。本文着重介绍该产品的内部结构、外壳筋板结构和混合气体绝缘等几点改进。 相似文献
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提出一种基于同步相量测量的电压稳定评估算法。算法中只需要利用局部同步相量测量,即被监测负荷节点的同步电压相量,及由与其相连接的同步电压相量所得到的等价电压相量,建立一等价两节点系统。最后,以被监测负荷节点的同步电压相量在等价电压相量的投影与等价电压相量幅值的一半之差,作为计算电压稳定与否的指标。将这个算法应用于一个5节点系统中,仿真结果验证了算法的正确性及合理性。 相似文献
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