半导体微晶掺杂玻璃的电致二阶非线性光学效应

报道了若干半导体微晶掺杂玻璃的电致二阶非线性光学效应的一些实验结果，并对其形成机理进行了讨论     

彩电场输出电路故障检修

例1 故障现象:松下TC—2185型彩电开机三无,机内有“吱吱”声。分析检修:根据故障现象,分析可能是行扫电路没有工作。先测行输出管Q_(501)集电极电压为113V正常,但基极电压为0V;进而测IC601(AN5601K)第(42)脚     

有n缓冲层SOI RESURF结构的电场分布解析模型

提出了有n缓冲层SOI RESURF结构的电场分布解析模型,采用MEDICI数值仿真,验证了上述模型的正确性。基于所建立的解析模型,获得了缓冲层的最优杂质浓度分布,提出了提高SOI RESURF结构耐压的缓冲层分段变掺杂新结构。     

聚酰亚胺振动膜微型电场传感器

设计并分析了一种新型的以硅为基底、聚酰亚胺为振动膜的微型电场传感器。此种传感器利用了聚酰亚胺耐热、耐腐蚀并具有良好机械性能的特点,采用MEMS技术制造,使其具备体积小、重量轻、功耗低、便于与其他器件集成等特点,而且制作工艺简单,成本较低。本文阐述了此传感器的工作原理,并通过计算机模拟确定了增强信号的方法,同时描述了新型传感器的结构设计和加工工艺过程。     

全介质自承式架空光缆的研制

本文提出了全介质自承式架空光缆结构参数的设计方法，并对光缆材料的选取，工艺技术的关键点进行了分析，最后给出了我们研制的全介质自承式架空光缆的测试数据。     

均匀电场中聚丙烯电老化机理的研究

以往在常压下进行电老化试验,由于电晕和热氧等侵蚀试样表面,使介质因表面损坏而劣化。本文在高真空下使聚丙烯(PP)薄膜处于均匀电场中,进行电老化试验。采用了红外分析、热重分析和光电导技术分析了老化前后介质化学结构的微观变化。试验结果表明,PP的击穿强度随老化时间的增加而降低,其原因在于老化使PP发生降解,产生大量自由基和裂解成小分子,生成低密度区。且聚丙烯材料内电荷的深陷阱密度增加。     

利用半导体量子点的高效太阳电池

1前言 第三代太阳电池的开发 太阳电池，主要是由做在半导体基片上的pn结组成。如图1所示若在pn结处射入太阳光，则在半导体内部激发出电子-空穴对，在内部电场作用下，电子向n侧。空穴向p侧迅速流动，产生光生电功率。现在广泛使用的是厚度200～350μm的单晶硅，及用铸造法制作的多晶硅太阳电池。最近为了降低硅太阳电池的制造成本，开发了薄膜太阳电池。在薄膜太阳电池的情形下由于光吸收层的厚度仅为0．2～3μm左右，使用的材料大大减少。现在还在开发非晶硅、微结晶硅、CdTe、Cu（InGa）、Se2（CIGS）等太阳电池。     

有限元在金属微结构电铸特性分析中的应用

为改善高深宽比金属微结构的电铸成型质量,采用有限元方法分析微细电铸的电场和流场的分布特点,及搅拌方式、电场和流场分布对微细电铸质量的影响。研究表明:搅拌对电铸区域的影响只集中在微区的入口部分,深度小于55μm,扩散过程成为金属沉积的限制性因素;电力线曲率随电铸深宽比增大而提高,导致电铸微区内金属离子传输能力不均匀。微细电铸过程中,搅拌速度提高并不能改善金属沉积的传质条件;辅助超声的复合搅拌在相同条件下能提高金属沉积速度,减少铸层缺陷、改善传质。实现了表面光滑、侧壁陡直的金属微结构的电铸成型。