A Low On-Resistance SOI LDMOS using a Trench Gate and a Recessed Drain Ge Rui(葛锐), Luo Xiaorong(罗小蓉)?, Jiang Yongheng(蒋永恒), Zhou Kun(周坤),

本文提出了一种超低比导通电阻(R_on,sp) SOI槽栅凹漏MOSFET(TGRD MOSFET)。正向导通时,槽栅和凹漏的结构增加了导电区域,缩短了电流流经的路径,从而降低了比导通电阻。并且此结构中采用了RESURF结构提高了漂移区浓度,进一步降低了比导通电阻。当TGRD MOSFET的半个元胞尺寸为6.5μm时,它的击穿电压为97V,R_on,sp为0.985mΩ.cm₂。与SOI槽栅MOSFET(TG MOSFET)和常规MOSFET(Conventional MOSFET)相比,在相同的BV下,TGRD MOSFET的R_on,sp分别地降低了46%和83%。或者在相同的R_on,sp下,与SOI槽栅槽漏MOSFET(TGTD MOSFET)相比, BV提高了37%。     

亚微米、深亚微米LDD MOSFET的衬底电流模型中特征长度改进的描述

建立了衬底电流模型中特征长度参数的改进描述,该参数的引入使衬底电流模型能够有效地适用于从微米尺寸到亚微米、深亚微米尺寸的LDD MOSFET.在以双曲正切函数描述的I-V特性基础上,该解析模型的运算量远低于基于数值分析的物理模型,其中提取参数的运用也大大提高了模型的精度,模拟结果与实验数据有很好的一致性.     

基于互高阶累积量的潜艇轴频电场信号的提取

轴频电场信号的提取可实现对潜艇目标的探测和识别。通过对潜艇轴频电场以及海洋环境电场噪声成分的分析,提出了将基于互高阶谱MUSIC算法引入潜艇轴频电场信号的提取中的方法。将通过传感器获取的电场信号进行带通滤波,再求得两次测量数据的互高阶累积量,最后采用MUSIC谱估计法求得信号子空间,提取出所需的轴频信号。实验表明:该方法可有效地将微弱的轴频电场特征信号从背景噪声中提取出来,并与传统的MUSIC方法进行了比较,证明了该方法的优越性。     

浅水条件下拖曳电极对舰船电场的模拟计算研究

以海水中稳恒电流电场线电极计算模型为基础,提出了在浅水条件下利用近底拖曳式三电极模型模拟舰船电场的方法。旨在通过输入较小电流来获得可观的电场幅值和特性曲线,从而诱使电场水雷引信动作。研究结果表明,该模型能够较好的模拟舰船的电场特性。     

高压RESURF LDMOST的开态电阻与关态电压

降低表面电场原理可大大提高ＬＤＭＯＳＴ的器件性能。本文详细研究了用ＲＥＳＵＲＦ原理设计的ＬＤＭＯＳＴ的开态电阻与击穿电压的理论分析模型，并根据这一模型对ＲＥＳＵＲＦ ＬＤＭＯＳＴ的优化设计深入的讨论。最后评价了高压ＲＥＳＵＲＦ ＬＤＭＯＳＴ在保持器件耐压不变时降低其开态电阻的几种方法。     

外部温度对二氧化钒临界相变电场影响的研究

通过无机溶胶-凝胶法和真空退火工艺在Al2O3陶瓷基片上制备出VO2薄膜,通过在薄膜上施加高电压,并结合温度控制系统的方法,研究相变过程中外部温度对二氧化钒临界相变电场的影响。结果表明:当外部温度从63.5℃增加到66℃时,相变需要的临界电场强度从0.17 MV/m下降到0.065 MV/m;随着外加电场强度由0.075 MV/m增加到0.2 MV/m时,相变临界温度从66℃降低到63.5℃,这说明VO2薄膜的相变存在温度与电场互相调控的现象;其相变行为由温度产生的电子热运动能和外场产生的电势能协同控制,但温度与电场的协同效应并非简单的叠加关系,即外界温度越低,温度对相变电场调控的效果越明显,外部电场强度越低,对相变温度的调控越明显;当外加温度为64~68℃,VO2薄膜相变需要的外部电场强度小于0.1 MV/m,满足智能电磁防护材料的要求。这为VO2薄膜应用于智能电磁防护材料提供可能性。     

KH型光电混装连接器的设计

本文介绍了我所混装光电连接器系列中其中一种连接器的设计原理,以及在该产品中所采用的新型安装板的设计,并利用ANSYS软件进行了仿真和优化,提高了产品的可靠性。     

BUCK转换器的PCB布局设计

讨论了BUCK转换器的开通回路、关断回路的电流特性,具有高电流变化率di/dt的输入回路,以及具有高的电压变化率dV/dt的开关节点是其关键回路和关键?节点,使用尽可能小的环路,短粗布线,优先对其进行PCB布局.给出了多层板的信号分配原则,也给出了分立和集成的BUCK转换器的PCB布局技巧和一些实例,分析了它们的优缺点...     

柔软的“发电机”

意义：电场活化聚合物又称人工肌肉,是一种在发生形变时可以产生能量的弹性物质。这类被称为“电场活化聚合物发电机”（Dielectric Elastomer Generator,DEG）的可变电容发电机在收集能量方面功能强大。过去的DEG需要又大又硬又昂贵的外置电极。     

具有n+浮空层的体电场降低LDMOS结构耐压分析

针对薄外延横向功率集成技术的发展,提出一种降低体内电场REBULF(REduced BULk Field)的新耐压技术,并设计了一例具有n+浮空层的REBULF LDMOS新结构.新耐压机理是通过嵌入在高阻衬底中的n+浮空层的等电位调制作用,提高源端体内低电场而降低漏端体内高电场使纵向电场重新分配,同时使衬底耐压提高.借助二维数值分析,验证了满足REBULF的条件为n+层的位置与衬底浓度的乘积不大于1×1012cm-2;在保证低的比导通电阻条件下,新结构较传统LDMOS结构击穿电压可提高75%以上.