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51.
直流开关电源的研究 总被引:1,自引:6,他引:1
本文以Dickson电荷泵的基本原理为出发点,研冤了一种输出是负电压的开关电容电源电路参考功率MOSFET的电容模型通过增大驱动电路的电流减小了开关管的上升延时.提高了开关动作的速度,使转换效率得到明显提高。同时,针对开关电容的充放电特点,采用非交叠(nonoverlap-ping)时钟控制信号避免了由于时钟交叠而造成的两级开关同时导通的现象,提高了电路的稳定性和可测试性采用压控震荡器频率的变化来控制功率开关管的开关时间,有效地控制了由于负载变化而造成的输出电压不稳定等现象。此电路结构简单,性能优良,易于集成,可广泛应用于输出负电压的电源产品中。 相似文献
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53.
梁旗 《数字社区&智能家居》2007,3(14):404-1858
在分析锁相环基本原理和线性化模型的基础上,给出了基于锁相环系统环路带宽和相位裕度的环路滤波器参数的计算公式.结合具体的参数计算,给出系统参数,然后用ADS工具对系统进行仿真,结果表明利用给出的方法来设定锁相环的参数,通过反复几次的调节能得到一组很好的系统参数,仿真结果于预期的相吻合,对三阶电荷泵锁相环的系统设计和仿真有一定的指导意义. 相似文献
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在D类功率放大器的设计中,为了提高驱动效率,需要一个高电平驱动H桥的高端LDNMOS管.文中设计了一种新颖的适用于D类功放的驱动电路,在芯片内部采用一个电荷泵电路.当芯片正常工作时,H桥低端LDNMOS管的驱动电平通过较大的电荷泵电容稳定在5.5V左右,H桥高端LDNMOS管的驱动电平通过自举电容高达18.8V,从而实现对D类功放H桥高端的驱动,这样既提高了驱动效率,又减少了对外部多个电源的需求.采用此电路的一款3-W的立体声D类功放已在TSMC06BCD工艺线投片,芯片效率高达89.67%,H桥高端和低端的导通电阻为320mΩ,电源抑制比(PSRR)为-62dB,THD低至0.1%,测量结果表明该驱动电路工作良好. 相似文献
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59.
采用GSMC0.18μm工艺设计了性能优良的电荷泵,与传统电荷泵相比,此电荷泵具有低失配(mismatch≤2%)、低功耗(≤0.15mw)、低电荷共享的特点,可广泛应用于电荷泵锁相环(CPPLL)中。 相似文献
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