宽范围连续速率时钟数据恢复电路的设计

采用0.18 μm CMOS工艺,设计了一种连续速率时钟与数据恢复(CDR)电路。该CDR电路主要由全速率鉴频鉴相器、多频带环形压控振荡器、电荷泵等模块组成。其中,全速率鉴频鉴相器不但具有很好的鉴频鉴相功能,而且结构简单,减小了功耗和面积。多频带环形压控振荡器不但调谐范围很宽,而且引入到环路中的调谐增益较低,解决了高振荡频率和低增益之间的矛盾问题。采用自举基准和运放的电荷泵减小了各种非理想因素的影响。仿真结果表明,该CDR电路版图尺寸为265 μm×786 μm,功能正常,且能恢复622~3 125 Mb/s之间的伪随机数据;在1.8 V电源电压下,输入伪随机速率为3 125 Mb/s时,功耗为100.8 mW,恢复出的数据和时钟的抖动峰峰值分别为5.38 ps和4.81 ps。     

低频率电荷泵锁相环设计

设计一款音频范围内的电荷泵锁相环,采用动态D触发器鉴频鉴相器及电流舵差分输入电荷泵。压控振荡器采用了对电容充放电的形式产生震荡波形,实现低频输出。采用HHNEC BCD035工艺并用Cadence软件实现仿真,实现250 kHz频率锁定,锁定时间为80μs,锁定时相位差为75 ns且压控振荡器控制电压纹波为5 mV。     

一种低抖动电荷泵锁相环频率合成器

设计一种低抖动电荷泵锁相环频率合成器,输出频率为400 MHz~1 GHz。电路采用电流型电荷泵自举结构消除电荷共享效应,同时实现可编程多种输出电流值。通过具体的频率范围来选择使用的VCO,获得更小的锁相环相位抖动。电路采用0.13μm 1.2 V CMOS工艺,芯片面积为0.6 mm×0.5 mm。Hsim后仿真结果显示当输出频率为1 GHz时,锁相环频率合成器的锁定时间为4.5μs,功耗为19.6 mW,最大周对周抖动为11 ps。     

利用改进的电荷泵法研究SONOS存储器陷阱电荷的分布特性

在silicon-oxide-nitride-oxide-silicon(SONOS)等电荷俘获型不挥发存储器中,编程操作后注入电荷的分布会对器件的读取、擦写以及可靠性带来影响.利用电荷泵方法可以有效而准确地测量出注入电荷沿沟道方向的分布.为了提高测试精度,在进行电荷泵测试时,采用固定低电平与固定高电平相结合的方法,分别对SONOS器件源端和漏端进行注入电荷分布的测试.通过测试,最终获得SONOS存储器在沟道热电子注入编程后的电子分布.电子分布的峰值区域在漏端附近,分布宽度在50nm左右.     

可装入很小空间的简单电源

随着便携设备应用的普及,对负极性电压电源的需求逐渐增加.用一个正电压输入源来产生一个负电压电源这一做法,成本既高,又比较复杂,特别是当设计需要正电压和负电压两种输出时更是如此.图1示出了一个经济实惠的简单解决方案,它将一个电压逆变器和一个倍压器组合成一个电荷泵电路.该电路能利用一个5～6V的输入电压来产生一个-5V稳压输出电压和一个10V非稳压输出电压.它除了需要一个SOT-23封装的电荷泵集成电路之外,只需5只很小的表面安装陶瓷电容器和两只二极管.     

一种高效率开关频率自适应电荷泵

本文提出了一种新型开关频率自适应电荷泵,它通过自动调节电荷泵开关频率,降低了芯片静态电流.与传统的固定开关频率线性控制电荷泵相比,开关频率自适应电荷泵具有更低的静态电流,更高的转换效率,稍高的输出纹波.特别是在电荷泵工作于轻负载时,其转换效率提升非常显著.理论分析和仿真结果表明在轻负载情况下,开关频率自适应电荷泵的效率比固定开关频率线性控制电荷泵效率提高了10%～40%.     

一种高速低功耗电荷泵电路的设计

介绍了作为高速锁相环电路集成芯片一部分的高速低功耗电荷泵电路的设计。所设计的锁相环路适应高频工作环境,电路结构采用当前的主流结构———D/A混合结构的电荷泵锁相环。环路中的鉴相器是数字鉴频鉴相器结构,没有反馈回路,提高了工作频率,并且缓解了传统鉴频鉴相器中死区的产生。电荷泵结构进行了一定的改进,既使电路结构简单,又削弱了MOS管带来的非理想特性,使得电荷注入、电荷分享、时钟脉冲馈通等寄生效应得到最大程度的减缓,同时保证高速、低功耗的电路性能。压控振荡器采用环路振荡器结构,易于集成而且功耗低。     

三阶电荷泵锁相环系统级设计与仿真验证

本文采用锬相环开环传输函数波特图野三阶电荷泵锁相环进行了系统级设计并且对相位裕度与建立时间．稳定性与环路带宽这两对矛盾进仁了权衡。然后在SIMULINK中建立了包含电荷泵锁相环离散时间特性和非线性本质的行为模型．并进行了仿真验证，     

一种用于高速锁相环的新型CMOS电荷泵电路

提出了一种适用于高速锁相环电路的新型CMOS电荷泵电路。该电路利用正反馈电路提高电荷泵的转换速度，利用高摆幅镜像电流电路提高输出电压的摆动幅度，消除了电压跳变现象。电路设计和H-SPICE仿真基于BL 1．2μm工艺BSIM3、LEVEL=47的CMOS库，电源电压为2V，功耗为0．1mW。仿真结果表明，该电路可以很好地应用于高速锁相环电路。