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101.
用改进的图形结构测量金属/薄层半导体的接触电阻率   总被引:3,自引:2,他引:1  
华文玉  陈存礼 《半导体学报》1997,18(11):872-876
提出一种诊断金属/薄层半导体欧姆接触质量的改进测试图形──单点圆环结构模型.本结构不仅样品制备简单,只需做上一个小圆点和一个同心的圆环接触,无需台面绝缘,而且还有多样的灵活性.整个测试都是定域在一个小圆环内,无需考虑边界效应以及邻近其他图形的影响.发展和讨论了此模型的两种演变结构形式,使之更为简捷实用.所得结果与文献的报道一致.  相似文献   
102.
103.
目前我国电位器电阻体的制作主要有两种工艺方法:一种是丝网印刷法,另一种是流布法。流布法属比较落后的工艺方法,在我国已逐步淘汰,故现在较为流行的是丝网印刷法。本文介绍一种先进的工艺方法——PC滚涂法。本厂从日本松下公司引进这一先进的制作工’艺技术,用于电阻体高阻部的制作。它的优点是生产效率高,电阻分布均匀,膜层表面光滑、平整,目标电阻值易于控制,生产合格率高。  相似文献   
104.
105.
探讨四线电阻在测量仪器中的应用   总被引:1,自引:0,他引:1  
  相似文献   
106.
107.
随着高层建筑的发展,插接式封闭母线槽逐渐被广泛应用,文中介绍其安装技术要点及检测方法。  相似文献   
108.
龚欣  马琳  张晓菊  张金凤  杨燕  郝跃 《半导体学报》2006,27(9):1600-1603
基于实验数据对GaN材料的少子寿命和碰撞电离率进行了建模,应用漂移-扩散传输模型开展了npnAlGaN/GaN异质结双极晶体管的特性研究,给出了器件导通电压、偏移电压和饱和电压的解析式.结果表明:实际器件导通电压、偏移电压及饱和电压较大的原因主要是高基区电阻和基区接触的非欧姆特性,为器件的工艺制造提供了理论指导.  相似文献   
109.
提出一种反馈分压式电阻测量方法,给出了两种改进方案,分析了它们的测量误差,指出了减小误差的途径和方法。  相似文献   
110.
应变片式传感器的温度补偿浅谈   总被引:3,自引:0,他引:3  
倪忠英 《衡器》2003,32(4):22-22
简单论述应变片式传感器温度特性及有效的补偿方法  相似文献   
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