复合流场上吸罩流场理论分析

提出在计算复合流场内存在两种不同流态的流动:势流和紊流。针对两种流动,分别建立了其数学模型,对于紊流流场,针对标准k-ε紊流模型的缺陷,采用了RNGk-ε紊流模型使紊流控制方程封闭。以及提出了边界条件的确定原则。为复合流场的数值计算提供了理论指导。     

静电场中静电屏蔽的Ansoft求解

静电屏蔽是“电磁场与电磁波”课程静电场教学中的一个重要知识点。本文基于Ansoft工程电磁场有限元分析软件,给出金属罩接地与不接地情况下,对空间电场分布的影响。分析结果表明,闭合的金属罩可屏蔽内部空间以防电磁干扰,接地的金属罩能实现全屏蔽。对场的空间描绘可增加学生对场的感性认识,提高教学效果。     

基于体积分方程的三维集成电路互连线电磁快速求解器

三维集成电路通过高密度金属互连线实现芯片在三维空间上互连,其电路参数的快速提取是保证信号完整性良好设计的关键技术之一.文中基于体积分混合势积分方程（mixed potential integral equation,MPIE）方法,结合多层平面介质格林函数与预纠正快速傅里叶变换（pre-corrected fast fourier transformation,pFFT）方法,通过对互连线内趋肤电流准确建模,实现对互连线结构S参数的快速准确提取.通过对典型互连线结构的仿真表明,本文求解器得到的结果与商业软件HFSS结果在网格剖分考虑趋肤效应时,其精度相当,计算效率可提高50%以上.所以本文方法在三维集成电路互连线参数快速提取方面具有一定的应用前景.     

短沟道双栅MOSFET二维表面势解析模型

采用分解电势的方法求解二维泊松方程,建立了考虑电子准费米势的短沟道双栅MOSFET的二维表面势模型,并在其基础上导出了阈值电压、短沟道致阈值电压下降效应和漏极感应势垒降低效应的解析模型。研究了不同沟道长度、栅压和漏压情况下的沟道表面势,分析了沟道长度和硅膜厚度对短沟道效应的影响。研究结果表明,电子准费米势对开启后的器件漏端附近表面势有显著影响,新模型可弥补现有模型中漏端附近表面势误差较大的缺点;对于短沟道双栅MOSFET,适当减小硅膜厚度可抑制短沟道效应。     

场引晶体管双极理论:Ⅹ.基本物理和理论(所有器件结构)

本文描述半导体场引晶体管器件物理和理论所用的根本原则,它适用电场中有两种载流子的器件.讨论边界条件对器件电流电压特性的重要性.作为例子,计算两种边界条件下的转移直流电压特性:电势边界给出很高、流进内禀晶体管、飘移限制抛物型电流,电化学势边界仿真电子和空穴接触,给出很低、越过势垒注入、扩散限制电流,具有理想、每量级60mV、指数型亚阈值区倾斜.双MOS栅薄纯基硅场引晶体管为典型结构.     

增强现实显示衍射光波导的设计

提出了在波矢k空间中设计衍射光波导片的相关理论,系统仿真并研究了光线波长、光栅周期、光栅时钟角、波导基底折射率以及波导基底折射率色散对衍射光波导视场角以及相关设计参数的影响.设计结果表明,当使用宽光谱光源时,光谱带边缘波长的视场存在切割,对显示效果影响不大,衍射光波导片适用于宽光谱光源.波导基底折射率色散对衍射光波导设...     

非对称单脊波导的特性计算

从矢量波函数空间的偏微分算子理论出发,给出完备的旋量波函数空间的本征函数系及电磁波基本方程组,由此推导出数学形式简洁的并矢格林函数及基于旋量波算子空间本征函数系的电磁场量,在脊波导的耦合边界上模式匹配,推导出计算公式,给出了两个分析脊波导的实例,得到主模和第一个高阶模的截止频率,非对称脊波导的电中心线偏移量.     

带电粒子在超品格量子阱沟道中的准沟道辐射

引入正弦平方势,在经典力学框架内,把粒子的运动方程化为标准的摆方程.用Jacobian椭圆函数和椭圆积分解析地给出了系统的解和粒子运动周期,并从方程的旋转周期解出发讨论了带电粒子的准沟道辐射.将准沟道辐射和沟道辐射进行了比较,发现二者的主要差别在于准沟道粒子的横向速度的平均值不为零,而它的辐射能量在k~c=0.5时,比沟道辐射大2.4倍.

Abstract：

In the frame of the classical mechanics the motion equation of particles is reduced to the pendulum equation by using the sine-squared potential. The solution of the equation and the period of the particle motion are expressed exactly by means of Jacobian elliptic function and the elliptic integral. The quasi-channeling radiation of the charged particles is discussed based on the rotational periodic solution. From the comparison between quasi-channeling radiation and channeling radiation, it is found that their main difference is that the average transverse velocity of the quasi-channeling particles is not zero,and its radiation energy is 2.4 times more than that of the channeling radiation if k~c =0.5.     

顶点法矢在自适应Loop细分算法中的应用

本文根据一种新的面积角度加权顶点法矢计算公式对顶点平坦度方法进行了改进,考虑到了三角面片的面积和形状对三角网格顶点法矢的综合影响.使顶点法矢的计算结果更为准确,也使求顶点平坦度的算法得到了优化.     

液晶光学相阵列相移单元的电压-相移特性

液晶光学相阵列是一种新型的光学相位调制器件,为分析器件中相移单元的电压-相移特性,建立了液晶相移单元的数学模型,并提出了一种混合差分迭代算法。该算法根据液晶分子在电场作用下的物理变化过程,在指向矢与电位的耦合迭代过程中,采用追赶法计算相移单元中的电位分布。根据该算法对相移单元中液晶指向矢的分布进行了仿真计算,进而对取向膜厚度、预倾角和液晶盒厚度对器件的电压-相移特性的影响进行了分析。结果表明,当电压处于阈值电压与饱和电压之间时,取向膜厚度对液晶的电压-相移特性的影响比较明显。