美国SiGen开发出新型光电绝缘硅技术

美国绝缘硅 (SOI)晶圆技术开发商SiliconGenesisCorp .(SiGen)宣称已将单片光电器件集成到了称之为“NanoPhotonicSOI”的标准硅芯片工艺技术之中。该公司高级市场和销售总监LoriNye表示 ,SiGen已经获得了该技术的一揽子订单。Nye在一项声明中表示 :“SiGen开发这种新型衬底技术的原因是它可以与我们的核心层转移 (Layer transfer)能力相配合 ,具有在面向诸如下一代通信和计算的集成光处理应用领域中扮演关键角色的潜力”。他还表示 ,“SiGen与客户之间真诚合作 ,从而有能力实现一种全新的基础衬底 ,在光电子领域引发一场革命。我…     

注氢硅中微结构缺陷的TEM观察

通过透射电子显微镜观察到注氢硅片中存在损伤带，损伤带的位置和注人氢的分布几乎一致，推断损伤带是由于氢的注入引起的。损伤带内主要以平行于正表面的{111}面状缺陷为主，另外还有斜交于正表面的{111}面状缺陷以及{100}面状缺陷，这是由于氢朝能量低的位置的迁移聚集而形成的。在损伤带的中间还可见到晶格紊乱团块和空洞，这是由于损伤带中间存在高浓度的氢和高密度的面状缺陷面导致形成的。     

硅铬电炉的洗炉和转炼

介绍了硅铬合金生产中造成炉底上涨的原因。通过生产实践，对用石灰和铬矿洗炉进行了分析，并介绍了洗炉后转炼硅铬合金的方法。     

氧化铝/锌合金复合材料界面的SEM观察

利用挤压铸造制备氧化铝／锌合金复合材料，在扫描电镜（ＳＥＭ）上观察复合材料的界面。结果表明，在复合材料中纤维与基体间存在致密界面层，合金元素通过适当的化学反应可改善纤维与基体间的结合；在凝固过程中，纤维／基体界面上的硅在共晶体的共生生长过程中起了领先相作用，导致复合材料的共晶转变是由铝硅共晶转变和锌铝共晶转变两者组成。     

新型无灰分散剂的结构分析研究

通过薄膜渗析、红外光谱、凝胶渗透色谱、皂化反应等一系列手段建立了一套对无灰分散剂的系统分析方法，并利用该方法得到了一种新型无灰分散剂及其衍生物的平均结构、相对分子质量分布、分散度等重要结构信息，得出该新型无灰分散剂的结构与传统无灰分散剂的结构不同。     

灰砂桩及碎石桩在处理软弱地基中的联合应用

本文通过灰砂挤密桩及振冲桩在处理软弱地基中的联合应用，对其机理及联合应用的效果进行了分析，并提出了改进意见。     

Mg-Si基热电化合物的研究现状

重点综述了Mg-Si基热电化合物的基本特性，该体系热电材料的制备方法与掺杂改性的研究进展，并提出了要重点解决的问题。     

硅电炉技术

1988年在阿根廷门多萨Carbometal厂已经开始一项广泛的研究和发展程序。目的是要改善关于生产硅及其合金的操作成本和技术。一个金属收集器(副炉缸)与硅铁炉的炉膛结合成一体以及试验了一个独立电源用于出铁电极。根据由炼钢炉得到的计算机基本数据的研宂最近得到的理论研究了电气变量。最后在大、小炉子上安装了一个没有筋片的自焙电极,用于生产碳化钙、75％硅铁和金属硅。