清洗液温度及浓度对硅研磨片清洗效果的影响

超声波清洗在硅片生产中具有广泛的应用,影响超声波清洗效果的因素有很多,如清洗液温度、清洗液浓度等。为了研究清洗温度和清洗液浓度对硅研磨片清洗效果的影响,在实验中通过改变清洗液温度及清洗液的浓度,最后观察硅片表面洁净情况。得出清洗液温度和清洗液浓度不是越高越好,在某一具体工艺下,都存在一个适宜范围,在适宜范围内,硅片的清...     

450 mm硅片存在市场需求

随着半导体业逐渐地走出2008/2009年低谷,450 mm硅片的可行性再次提上议事日程。目前450 mm最大问题集中在研发成本及未来投资的回报率。     

全面解析今年一季全球半导体硅片产能

国际半导体数据统计机构SICAS近期的统计数据中,表示采用MOS工艺以8英寸等值硅片计,另一类工艺为双极工艺,通常用在模拟电路中。除了标有300 mm硅片MOS之外,双极数据以5英寸等值硅片计,而分立器件以6英寸等值硅片计。总的半导体SC数据,包括双极数据由5英寸转换成8英寸利用转换率0.391及分立器件由6英寸转换成8英寸,利用转换率0.563。所有数据的时间段在2007Q1至2010Q1,包括产能、实际产出及产能利用率,代工的产能单列。产能是按线宽尺寸即小于8英寸、200 mm(8英寸)及300     

硅片研磨表面状态的改善和研磨液的改进

在硅片研磨过程中,由于应力的积累和剧烈的机械作用,硅片表面损伤严重,碎片率增加.介绍了一种改进的研磨液,不但把剧烈的机械作用转变为比较缓和的化学-机械作用,还能起到其他较好的辅助作用并对其各成分作用,进行了理论分析.硅片表面状态得到了一定程度的改善,提高了生产效率.     

硅研磨片超声波清洗技术的研究

介绍了硅研磨片清洗的重要性,分析了影响硅研磨片质量的主要因素,即金属杂质和各种污染物.重点分析了硅研磨片表面沾污的原因,并且通过大量的实验分析得到了活性剂和碱性清洗液、去离子水的最佳体积比是0.20:1.00:10.0,清洗的最佳时间为3 min～5 min和最佳温度范围为40℃～50℃.     

NTDCZSi中辐照缺陷的电镜观察

利用硅中固有杂质与缺陷的相互作用来改善硅片质量以适应硅器件日趋严格的技术要求,逐步形成了目前的“缺陷工程”的内容,而将直拉硅(czsi)进行中子嬗变掺杂(NTD)不仅解决了掺杂的均匀性问题,且因大剂量中子辐照在czsi中引入大量的辐照缺陷并与czsi中氧等杂质的相互作用为缺陷工程增添了新的内容,最近的研究表明,中子辐照能强烈地抑制硅片表面缺陷,促进了硅中氧沉淀,并使czsi中氧沉淀定量控制,定域分布,定型转化。从而可改善器件质量,使器件成品率大大提高,因此对NTDCZSi中辐照缺陷的性质,结构及与硅中杂质的相互作用的研究,无疑对解释NTDCZSi中其它实验事实,对改善VLSI器件的材料性能都会具有十分重要的意义。     

一种新型半绝缘键合SOI结构

报道了一种新型半绝缘键合SOI结构,采用化学气相淀积加外延生长键合过渡多晶硅层的方法实现了该结构.研制出的这种新结构,完整率大于85%,Si-Si键合界面接触比电阻小于5×10-4Ω·cm2.这种新结构可以广泛用于高低压功率集成电路、高可靠集成电路、MEMS、硅基光电集成等新器件和电路中.