FPGA进入硅片融合时代

FPGA在经过了从上世纪90年代到2000年的快速发展、随后短期的泡沫破裂、以及近几年的平稳增长的发展阶段,未来将会迈入硅片融合时代。阶段,未来将会迈入硅片融合时代。据Altera公司资深副总裁兼首席技术官Misha Burich介绍,     

激光加工中硅片晶圆的自动对准切割研究

针对激光加工设备在硅片晶圆切割过程中的效率提高问题以及客户需求, 通过图像识别功能,研究并设计实现硅片晶圆的自动旋转校位与自动切割功能,提高了晶圆的切割效率,提升设备的自动化程度.     

扫描电镜在太阳能导电银浆研发中的应用

利用场发射扫描电镜(SEM)和能谱分析仪(EDS)对太阳能电池导电银浆中无机功能相、印刷效果进行了分析。分析结果表明,SEM、EDS可准确的对太阳能电池导电银浆中无机功能相的形貌及成分,印刷制作的电极的连续性、平整性、电极厚度、电极成分向基体扩散等进行分析,为电子浆料的研发、生产提供了重要的分析手段。     

介电泳抛光方法及其电极形状的实验研究

目的验证介电泳抛光方法的有效性,研究电极形状对介电泳抛光方法均匀性、抛光效率和去除率的影响。方法选取直径76.2 mm的单晶硅片为实验对象,进行传统化学机械抛光(CMP)实验和使用4种电极形状的介电泳抛光实验,每隔30 min测量硅片不同直径上的表面粗糙度以及硅片的质量,然后对测量的数据进行处理和分析。结果与传统CMP方法比较,使用介电泳抛光方法抛光的硅片,不同直径上的表面粗糙度相差小,粗糙度下降速度快,使用直径60 mm圆电极形状介电泳抛光时相差最小,粗糙度下降最快。介电泳抛光方法去除率最低能提高11.0%,最高能提高19.5%,最高时所用电极形状为内径70 mm、外径90 mm的圆环。结论介电泳抛光方法抛光均匀性、效率和去除率均优于传统CMP方法。     

单砝码配重法在调节硅片研磨均匀性上的应用研究

为提高硅片研磨的均匀性,提出了一种通过改变调节砝码位置的新方法。对单砝码配重法的原理、步骤及物理模型进行了详细的论述,并基于LabVIEW软件对该方法进行了可视化。在精密研磨抛光机上进行实验,并用膜厚仪进行均匀性测量。结果表明:在给定的条件下使9.9 cm硅片的均匀性从单靠自重研磨的20μm提高到用配重法调节后的3μm,显著提高了硅片研磨的均匀性。单砝码配重法为解决硅片研磨均匀性问题提供了一种既精确又简便的方法。     

硅研磨片超声波清洗技术的研究

介绍了硅研磨片清洗的重要性,分析了影响硅研磨片质量的主要因素,即金属杂质和各种污染物.重点分析了硅研磨片表面沾污的原因,并且通过大量的实验分析得到了活性剂和碱性清洗液、去离子水的最佳体积比是0.20:1.00:10.0,清洗的最佳时间为3 min～5 min和最佳温度范围为40℃～50℃.     

连续刚度法对单晶硅片的力学性能的表征

利用纳米压痕仪通过连续刚度测量法对单晶硅片在压入过程中的接触刚度、硬度、弹性模量进行了连续测量.结果表明:当接触深度在20～32 nm左右时,单晶硅片的接触刚度与接触深度成直线关系,硬度和弹性模量基本保持不变,此时所测得的是单晶硅片表面氧化层的硬度和弹性模量,分别约为10.2 GPa和140.3 GPa.当接触深度在32～60 nm左右时,单晶硅片的接触刚度与接触深度成非直线关系,硬度和弹性模量随接触深度急剧增加,表明单晶硅片表面氧化层的硬度和弹性模量受到了基体材料的影响.当接触深度在60 nm以上时,单晶硅片的接触刚度与接触深度成直线关系,硬度和弹性模量基本保持不变,测得值为单晶硅的硬度和弹性模量,分别约为12.5 GPa和165.6 GPa.     

济南科尔超声波设备有限公司

济南科尔超声波设备有限公司为一家专业生产工业用清洗设备的高新企业,凭借日益精进的技术与强大的研制能力,现已发展成为集研发、设计、制造为一体的现代化大型超声波清洗设备生产企业。产品包括超声波单槽、多槽半自动(全自动)系列清洗机,汽车零部件中、高压清洗机以及半导体硅片行业用去鳞硅清洗机。产品广泛应用于电子、机械、汽车     

我国IC产业发展对高纯塑料材料的需求

论述了我国信息产业发展时超净高纯包装及运输材料需求,以及国内外发展现状、开发应用前景等,我国目前需要在较高的起点上．通过引进消化吸收．集合制造业、加工工艺研究、检测技术等多方面的优势,进行工程化技术体系的研究,建立生产环境控制、应用测试与分析剥试体系等,以便形成专业化和规模化生产。