我国IC产业发展对高纯塑料材料的需求

论述了我国信息产业发展时超净高纯包装及运输材料需求,以及国内外发展现状、开发应用前景等,我国目前需要在较高的起点上．通过引进消化吸收．集合制造业、加工工艺研究、检测技术等多方面的优势,进行工程化技术体系的研究,建立生产环境控制、应用测试与分析剥试体系等,以便形成专业化和规模化生产。     

乙二胺在硅化学机械抛光中的作用机制

利用胶体二氧化硅在胺的辅助下对硅片进行抛光是微电子工业中的一种典型制造工艺,其动力学过程仍然不清楚。研究了在硅抛光中加入不同浓度乙二胺(EDA)对抛光速率的影响,结果表明EDA浓度提高时,硅的抛光速率逐渐增大,并且在质量分数5%时增加74.5%。为了揭示其中的作用机理,对EDA和Si在水中的电离性质作了分析,对硅片表面在EDA碱性溶液中的接触角以及Si经过EDA溶液浸泡后的表面作了X射线光电子能谱(XPS)测试,进一步采用基于反应力场的分子动力学模拟了动态反应过程。分析表明EDA和硅片表面不仅有强烈的库仑吸附作用,且Si和EDA通过Si-N进一步形成化学键,其中EDA中的N原子与硅表面原子能形成两种结构,使附近的Si-Si和Si-O键极化。基于这些测试,最终解释了硅在含有EDA碱性抛光液中的抛光动力学过程,此作用机制可为硅衬底加工的抛光液研制提供一定的技术指导。     

磨料质量分数对磨硅片用金刚石砂轮磨削性能的影响

采用改进的凝胶注模技术制备多孔陶瓷结合剂超细金刚石砂轮,研究6种不同质量分数磨料(质量分数分别为27%、30%、33%、36%、39%、42%)的多孔金刚石砂轮的显微结构和磨削性能。结果表明:磨料的质量分数直接影响砂轮磨削时的磨削电流、砂轮磨损速率,进而影响硅片磨削后的表面一致性。使用磨料质量分数为39%的砂轮时,硅片磨削后可获得粗糙度为4.8 nm的光滑表面。      

激光清洗硅片表面Al2O3颗粒的试验和理论分析

以KrF准分子激光器为激光源,对目前工业上常用的硅片研磨抛光液的主要成分Al₂O₃颗粒进行激光清洗的试验和理论分析。建立一维热传导模型,利用有限元分析软件MSC.MarC模拟硅片表面的温度随激光作用时间和能量密度的分布。通过理论计算,量化了颗粒所受到的清洗力以及其与硅片表面之间的粘附力,理论预测出1 μm Al₂O₃颗粒的激光清洗阈值为60 mJ/cm²。在理论分析的指导下,利用248 nm、30 ns的KrF准分子激光进行单因素试验,研究激光能量密度、脉冲个数、激光束入射角度对激光干法清洗效率的影响,并且实验验证了清洗模型以及场增强效应对激光清洗结果的影响。     

化学机械抛光流动性能分析

基于连续流体理论和其运动学关系，建立了力平衡方程关系式。推导r牛顿流体在化学机械抛光过程中的润滑方程，给出了模拟出的典型的压力分布情况和无量纲载荷、转矩与抛光垫转速变化的关系。计算结果表明：抛光中的压力分布是沿半径方向变化的且抛光垫转速的增加将有助于提高抛光的切除速率。     

黑硅晶片可产生更多电能

美国SiOnyx公司开发出一种新的硅材料。这种被称作黑硅的材料可吸收几乎全部太阳能光线，比普通硅片所产生的光电流高出数百倍，因而可用更少的硅材料制造光传感器，使器件更便宜、更小、更轻。     

应用材料推出突破性的SmartMove系统为客户提供无线硅片管理解决方案

近日,应用材料公司宣布推出SmartMove系统,这是半导体产业第一个面向非自动化200mm和300mm芯片制造厂的全面硅片管理解决方案。     

燕郊开发区:世界单晶硅片切割能力最大的产业基地之一

<正>燕郊国家高新技术产业开发区自建区以来,共引进中外项目700余个,吸引了来自美国、意大利以及港、澳、台等30多个国家和地区的优秀企业前来投资。已形成了以电子信息、新能源、新材料、生物医药、装备制造、绿色食品为     

硅片直接键合技术的研究

对硅片直接键合技术作了详细的研究；探明了合适的工艺条件，其结果键合的样品界面致密，成品率较高。     

中国将成为最大IC市场 3年欲建30家硅片厂

日前，Applied Materials亚洲区总裁David Wang在上海表示，未来的3年内，中国将建立30家硅片工厂。其中绝大多数将基于0．25微米和0．13微米制造工艺。这意味着，在未来几年内，中国将至少投资数百亿美元用于部署制造设备。