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对 MTJ(磁隧道结 )的 GMR(巨磁阻 )效应进行了分析。 MTJ的结构、形态和工作条件会对 GMR效应产生不同的影响。提出了一种 4× 1位 MTJMRAM(磁存储器 )的电路结构 ,每个 MRAM的存储单元由一个MTJ和一个 MOSFET构成 ,用 MTJ两磁极磁化方向的相对取向表示所存储的数据 ,数字线和位线电流产生磁场的共同作用可完成 MRAM数据的写入。 相似文献
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MRAM是指以磁电阻性质来存储数据的随机存储器。MRAM是大多数手机、移动设备、膝上机、PC等数字产品的存储器的潜在替代产品。从MRAM芯片技术的特性上来看,可以预计它将能解决包括计算机或手机启动慢、数据丢失、数据装载缓慢、电池寿命短等问题,能明显改变消费者使用电子设备的方式。 相似文献
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回热损失对磁斯特林制冷循环制冷率的影响 总被引:7,自引:0,他引:7
从铁磁质的磁化强度一般表示式出发,探讨热阻和回热损失对磁斯特林制冷循环性能的影响,导出最大制冷率及其它性能参数。得到了结果适用于以顺磁质为工质的磁斯特林制冷循环。并指出在理想回热条件下的结论也适用于磁卡诺制冷循环。 相似文献
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本文介绍单相负载适用在三相电网中的新型产品——T接磁调的关键技术,阐述了T接磁调的基本工作原理、结构特点和优越性。 相似文献
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近年来,以开关电源用电感为中心的微型磁件的研究取得了很大进展。本文首先讨论论影响薄膜电感和薄膜变压特性的诸要素,重点探讨薄膜材料的趋肤深度参数,并介绍薄膜电感和薄膜变压器的最新开发动向。 相似文献
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日本磁吸附爬壁机器人的研究现状 总被引:24,自引:3,他引:21
本文概述了磁吸附爬壁机器人的研究现状,介绍了各种移动力方式的磁吸附爬壁机器人的应用场所及优缺点,为今后的研究提供了参考。 相似文献