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41.
碳化硅是新兴的第三代半导体材料。用固定磨料金刚线切割机对其进行切割加工,分析了加工过程的各项参数对晶片表面粗糙度的影响,为优化碳化硅金刚线切割过程提出依据。 相似文献
42.
300mm铜膜低压低磨料CMP表面粗糙度的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
随着集成电路特征尺寸的减小、低k介质的引入及晶圆尺寸的增加,如何保证在低压无磨料条件下完成大尺寸铜互连线平坦化已经成为集成电路制造工艺发展的关键。采用法国Alpsitec公司的E460E抛光机在低压低磨料的条件下,研究了12英寸(1英寸=25.4 mm)无图形(blanket)铜膜CMP工艺和抛光液配比对抛光表面质量的影响。实验结果表明,在压力为0.65 psi(1 psi=6.89×103 Pa),抛光液主要成分为体积分数分别为5%的螯合剂、2%的氧化剂和3%的表面活性剂。抛光后表面无划伤,表面非均匀性为0.085,抛光速率为400 nm.min-1,表面粗糙度为0.223 nm,各参数均满足工业化生产的需要。 相似文献
43.
化学机械抛光浆料研究进展 总被引:3,自引:1,他引:3
化学机械抛光(CMP)作为目前唯一可以实现全面平坦化的工艺技术,已被越来越广泛地应用到集成电路芯片、计算机硬磁盘和光学玻璃等表面的超精密抛光.介绍了CMP技术的发展背景,以及目前国内外抛光浆料的研究现状,并根据CMP浆料磨料的性质,将其分为单磨料、混合磨料和复合磨料浆料,对每一种浆料做了总体描述.详细介绍了近年来发展的复合磨料制备技术及其在CMP中的应用,并展望了CMP技术的发展前景以及新型抛光浆料的开发方向. 相似文献
44.
45.
对硅胶磁弹磨粒双磁盘磁力钝化对切削结果的影响进行了研究。首先,采用磁弹磨粒双磁盘磁力钝化技术对刀具进行钝化处理,并建立形状因子K关于磁弹磨料钝化参数的预测模型;然后,通过铣削仿真分析K因子和钝化参数对切削温度和切削力的影响规律,并建立相关的预测模型,并结合铣削实验验证仿真试验获得的切削力的有效性。结果表明,高温区域主要分布在刃口和靠近刃口附近的前刀面区域。受切削参数和形状因子影响最大的是FY,其次为FX、FZ受到影响最小;切削力的仿真模拟结果与铣削实验结果变化趋势一致,仿真与铣削实验吻合度从高到低为:FX>FZ>FY。 相似文献
46.
47.
48.
提出数控磨料水射流切割机伺服进给系统存在振动爬行现象,并对其危害、影响因素、爬行机理进行分析,通过建立物理模型和分析临界速度找到解决爬行的措施和对策,对提高系统稳定性具有实际意义. 相似文献
49.
一、山东鲁信高新技术产业股份有限公司的历史沿革
山东鲁信高新技术产业股份有限公司(以下简称:鲁信高新),曾用名:山东电极厂、山东金刚砂制造厂、张店砂轮厂、453厂、第四砂轮厂、四砂。 相似文献
50.