非致冷红外焦平面成像系统辐射测温技术研究

为了消除由非致冷红外焦平面自身温度变化造成的辐射测温偏差,提出了一种基于G-t(黑体辐射灰度-探测器工作温度)标准曲线进行辐射测温的新方法.该方法从热辐射理论和热像仪测温原理出发,利用实验测得的G-t标准温度关系曲线,并结合灰体表面真实温度的计算公式,最终实现了非致冷红外焦平面成像系统的高精度辐射测温.实验结果表明,当...     

非均匀散射背景下的列车测速信号建模仿真

由于多普勒效应,高频连续波雷达在列车与地面发生相对运动时会产生相应的频移,利用此频移可以精确地求解出列车速度。由于天线具有方向性,雷达在照射到地面时不会以点目标进行反射,而是以整个反射面的回波进入雷达信号处理系统中,且不同的反射介质会使反射波存在功率方面的差异,因此需要建立相关的数学模型。提出了一种在非均匀散射背景下列车测速信号的多普勒模型,建立了完整的测速数学模型,分析了不同散射界面的散射系数,通过仿真证明了模型的合理性与有效性。     

GMM,PZT和弹性基板复合磁电耦合效应研究

将超磁致伸缩材料(GMM)、压电材料(PZT-5H)复合于弹性基板上,利用共振原理构造了一种新型的磁电换能器。当激励磁场的频率等于或者接近于弹性基板的固有频率时,GMM将驱动弹性基板振动并发生共振,粘结于基板上的压电材料的输出电压将达到极大。实验研究表明,该器件的磁电耦合电压曲线呈现多个峰值,在800Oe偏置磁场和1Oe交变磁场激励下,谐振点处的磁电耦合电压系数达到1.552V/Oe。     

电子散射参数提取的新方法

准确提取电子散射参数是确保纳米级电子束光刻邻近效应校正精度的关键。采用了一种不基于线宽测量和非线性曲线拟合的电子散射参数提取的方法。邻近效应校正的近似函数采用双高斯分布,其中η的提取是基于设计线宽变化与相应曝光剂量之间的线性关系进行拟合而得;α和β的提取则是分别根据前散射和背散射的范围设计特定的提取版图,并根据电子束邻近效应产生的特殊现象进行参数值的确定。根据此方法提取了150nm厚负性HSQ抗蚀剂层在50kV入射电压下的散射参数,并将其应用于邻近效应校正曝光实验中,很好地克服了电子束邻近效应的影响,验证了此方法提取电子束曝光邻近效应校正参数的实用性及准确性。     

基于Cosserat理论的微梁振动特性的尺度效应

不少微观实验已经证实,微尺度领域材料的力学性能存在尺度效应.采用偶应力理论(又称Cosserat理论)研究微梁振动特性(主要是固有频率)的尺度效应.文中首先对偶应力理论进行简介,然后采用Hamilton变分原理推导基于Cosserat理论的微梁无阻尼自由振动的微分方程,分析微梁固有频率对微尺度的依赖性.结果表明,当微梁的厚度减小到可以和材料的本征长度相比时,微梁的固有频率将显著增大.     

ZnxFe3-xO4-α-Fe2O3 纳米多晶材料中的隧道磁电阻效应与微结构

在具有纳米绝缘层的多晶锌铁氧体体系中，当晶界为α－Fe2O3纳米量级的绝缘层时，则构成（ZnxFe3-xO4-α－Fe2O3非均匀体，电子显微分析证实了这种微结构。该体系在0．5T磁场、4．2K温度下，磁电阻效应可达1280％，300K下为158％。     

直序扩频信号RAKE接收机的改进与实现

对抗移动通信中的衰落效应的措施之一是信号的多径分集接收,多径分集在直序扩频系统中的实现方法就是RAKE接收机技术.为了解决传统RAKE接收机相关器消耗大的问题,给出了一种改进的直序扩频信号RAKE接收机的实现方法,最后给出了部分实测结果.     

4G时代引发光纤熔接机“连带效应”

正随着政策推动和运营商建设规模扩大,我国迈入4G时代的步伐明显加快。4G所采用的接入频段比2G、3G更高,基站覆盖半径减小,必然需要更多基站。无线只是从基站到移动终端进行信号传输,其它环节都是通过有线的方式实现的,包括射频天线与基站的连接、基站及局间的传输都需要用到光纤光缆。4G超过100Mbit/s的数据速率对光网络提出了高速带宽的要求。在不同的应用需求下,多样的光纤将与之相匹配,像4G     

铝焊垫俄歇分析中荷电效应影响及其降低方法

铝焊垫表面残留物的检测是确保铝焊垫质量的重要指标.俄歇电子能谱仪(AES)由于检测区域小、表面分析灵敏度高,被广泛用于集成电路(IC)芯片制造中铝焊垫的表面成分分析,但荷电效应的存在常常会影响俄歇分析的结果.铝焊垫分析过程中,消除或者减少荷电效应是保证俄歇分析结果正确的前提.从优化俄歇电子能谱仪分析条件(比如降低入射电压、倾斜样品载物台、Ar+离子中和)和使用辅助方法改善样品导电性两大方面,介绍了几种减少荷电效应的有效方法,提出了铝焊垫俄歇分析的基本流程.结果表明,此分析流程能有效提高分析效率,为业内俄歇分析人员提供借鉴.     

Bi4Ti3O12栅Si基铁电场效应晶体管特性研究

采用溶胶 -凝胶工艺制备了 Si基 Ag/Bi4 Ti3O1 2 栅铁电场效应晶体管。研究了 Bi4 Ti3O1 2 铁电薄膜厚度、栅宽 /长比等器件结构参数对性能的影响。研究表明 :铁电场效应晶体管的阈值电压、击穿场强和剩余极化等并不随 Bi4 Ti3O1 2 薄膜厚度的增加而线性变化 ,跨导和漏 -源电流在不同的栅宽 /长比范围变化趋势不同 ,当Bi4 Ti3O1 2 厚度为 2 0 0～ 40 0 nm、Wg/Lg 取 1～ 2时 ,器件可获得较好的综合性能 ,不同栅压变化过程的 Isd-Vsd特性曲线并不重合 ,表明该器件具有源于铁电薄膜极化的场效应特性。