准连续3SS纳米紫外激光器

北京国科世纪激光技术责任公司开发出一款功率瓦级以上的准连续355纳米紫外激光器。     

涂抹字迹的光学提取法防伪研究一例

红外照相是显现记录涂抹字迹的首选方法,但是这类技术却难以解决黑色墨汁掩盖字迹的提取,本研究通过实验利用多波段光源配合数码照相机解决了红外反射照相不能提取的黑色墨汁掩盖的红色复写纸字迹,为物证检验照相输入了新鲜内容。     

纳米氧化锌的制备及其中红外、紫外可见光吸收特性

用均匀沉淀法制备了纳米氧化锌,通过反应条件和工艺参数的控制,得到了几种不同粒径分布范围的纳米级氧化锌粉体,并着重研究了这些不同粒径分布的粉体在中红外、紫外 可见光波段的吸收性能,并与普通氧化锌粉进行了对比,结果表明:纳米氧化锌在中红外频段与普通氧化锌的吸收能力相当;在可见光区,纳米氧化锌具有普通氧化锌不具备的高度透光性;而在紫外光区,纳米氧化锌具有很宽的吸收频段和优异的吸收性能,且随粒径的不同而出现变化,粒径分布在20～50nm之间,平均粒径为31nm时具有最佳紫外遮蔽性能;同时随粒径的减小,吸收峰发生蓝移。     

中国计量科学研究院光学处光谱实验室

~~中国计量科学研究院光学处光谱实验室     

新型陶瓷气密低损耗U波段波导窗设计

本文设计出一种应用于U波段的小型化、低插损、高气密性的毫米波波导窗传输结构,它采用完全无吸水率的陶瓷基片作为介质窗材料,首次在采用高介电常数介质情况下,实现了低损耗、完全气密的波导窗结构。经实物测试验证,其外形尺寸仅为4.3mm*2.9mm*2.05mm;该波导窗在-55℃～+85℃的环境温度下,其射频性能在46～53GHz频段内回波损耗优于15dB,插入损耗小于0.4dB,且其高气密性不产生变化。因此,该低损耗、高气密性的波导窗结构,满足毫米波系统在实际工程应用中对稳定性和可靠性的需求。     

基于0.1-μm GaAs pHEMT工艺的最小噪声系数3.9 dB的66~112.5 GHz低噪声放大器

本文基于0.1-μm砷化镓赝配高电子迁移率晶体管（GaAs pHEMT）工艺,研制了一款覆盖整个W波段的宽带低噪声放大器。提出了一种由双并联电容组成的旁路电路,能够提供宽带射频接地,减小了级间串扰,利于实现宽带匹配。采用双谐振匹配网络实现了宽带的输入匹配和最佳噪声匹配。实测结果显示,最大增益在108 GHz处达到20.4 dB,在66~112.5 GHz范围内,小信号增益为16.9~20.4 dB。在90 GHz处,实测噪声系数为3.9 dB。实测的输入1-dB压缩点在整个W波段内约为-12 dBm。     

光刻胶树脂结构与性能技术进展

光刻工艺随集成电路的发展成为核心环节,被誉为集成电路制造这顶皇冠上最耀眼的明珠。而光刻技术离不开其辅助材料光刻胶,每一代光刻技术得到的突破都将在相应光刻胶技术上得到体现,从436 nm光刻技术到248 nm KrF光刻技术、193 nm ArF光刻技术再到EUV光刻技术等,与之相应的光刻胶也不尽相同。