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151.
福稿 《仪表技术》2005,(2):25-25
图1为一个单片机MCS51的应用电路,采用AT—MEL公司生产的89C52芯片。用74HCT373锁存低位地址线A0~A7。外接RAM6264扩展8KB内存,同时用4片82C51扩充4个串口。地址空间分配由一片74HC138生成各器件所需的片选信号。  相似文献   
152.
目前国内对于氨合成塔温度控制多采用PID控制、串级控制、前馈一反馈控制等方法,这些方法虽然实现简单,但难以克服氨合成塔温度控制中的大延时、强干扰和各段间强烈耦合等特性带来的不利影响,控制效果不佳,因此,决定在氨合成塔温度控制中采用广义预测控制策略设计多路前馈广义预测控制器。  相似文献   
153.
孙书静 《砖瓦》2007,(8):57-58
通过试制研究,成功地开发了珍珠岩轻质砌块,确定了珍珠岩轻质砌块的原材料技术要求及配比和工艺流程,并使产品达到和超过了国家标准GB15229—94规定的要求。  相似文献   
154.
《广石化科技》2007,(4):61-62
分公司承担的“三级旋风分离器陶瓷单管开发与研究”和“DJ-5型塔板的研发以及在乙烯系统改造中的应用”两项股份公司科技开发项目日前通过了股份公司科技开发部组织的鉴定。  相似文献   
155.
国家商务部昨天披露,国家高技术研究计划先进能源技术重点科技攻关项目———中国最大的高倍兆瓦级聚光型(CPV)并网电站本月初已在四川西昌开工。据介绍,该项目包括建设一座发电功率为10MW的太阳能示范电站和聚光器、聚光电池、太阳跟踪系统等关键设备的研制,占地10hm2,总投资6  相似文献   
156.
蔚子 《中国宝石》2007,16(1):I0007-I0007
最近几年,有关合成钻石的问题引起珠宝业界的高度关注。在很多业内活动上,有关宝石级合成钻石的命名与生产过程的透明化问题引起很多讨论。在2006年CIBJO年会上,CIBJO钻石分会建议,规范首饰用合成钻石的命名及运用,并在钻石书中明确阐述。  相似文献   
157.
X射线三轴晶衍射法测量半绝缘GaAs单晶的化学配比   总被引:1,自引:0,他引:1  
采用X射线三轴晶衍射法,根据As间隙原子对作为过量As在GaAs单晶材料中存在的主要形式的模型,可以无损、高精度测量半绝缘GaAs单晶的化学配比.并探讨了引起晶格变化的原因及其与熔体组分的关系,对于制备高质量GaAs单晶及其光电器件具有重要的意义.  相似文献   
158.
概述了鞍钢1780mm生产线技术改造工程中供电、传动及自动控制系统的构成、安装及调试技术要点,以及技术经济效果评述,可供同类工程施工参考.  相似文献   
159.
160.
相电流差突变量选相元件在单回线故障中具有良好的选相性能,但在同杆双回线跨线故障中可能误选相。利用六序故障分量的分析方法,分析了相电流突变量在同杆双回线跨线故障中的幅值和相位特征,给出了其相位比相方程。在此基础上,提出了一种运用测量阻抗和方向元件相结合的综合选相方法,并给出了选相流程图。仿真结果表明,在双回线简单故障和跨线故障时,基于单回线单端电气量的同杆并架双回线综合选相方法具有较理想的选相性能。  相似文献   
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