仙人掌纳米银的制备及其对桑蚕丝织物的抗菌整理

 利用纯天然仙人掌液还原制备了纳米银溶液,其制备方法简单,无污染。采用激光粒度仪（HPPS）和透射电镜（TEM）研究了仙人掌纳米银的尺寸和分布。利用制备的仙人掌纳米银溶液对桑蚕丝织物进行了整理,研究了织物的抗菌性能和耐洗性能。结果表明：生成的仙人掌纳米银粒径为50nm左右,且均匀性好,分散性好,抑菌试验表明整理后的桑蚕丝织物有很好抑菌效果,当织物上银含量为268.58mg/kg时,抑菌率达到了99%以上,经洗涤50次后,抑菌率依然保持在98%以上,说明织物具有优异的抗菌耐洗性能。     

纳米银敷料无菌检查方法

依据《中国药典》2005年版二部附录无菌检查法进行试验,建立适合于纳米银敷料的无菌检查方法。采用直接接种法,对14批纳米银敷料进行无菌方法学验证,结果表明使用规格40mL的培养基、每管培养基接种量为1cm×3cm时,纳米银敷料无明显抑菌作用,可按此方法进行无菌检查。     

纳米银自组装多层膜修饰铟锡氧化物（ITO）电极的制备及电化学研究

用3-氨基-三甲氧基硅烷对铟锡氧化物(ITO)导电玻璃进行修饰,以4,4-联吡啶为桥连配体,用层层自组装法制备纳米银多层膜.应用原子力显微镜、紫外可见光谱对其表征.用循环伏安法初步研究了碘离子在电极上的电化学行为.结果表明:电极对碘离子有很好的电化学响应,碘离子在(2×10-5～5×10-4)mol/L浓度范围内与氧化峰电流呈良好的线性关系,最低检出限5×10-6mol/L,线性相关性系数:R=0.999 24.     

银基填料可拉伸导电复合材料制备的研究进展

综述了银系填料及聚合物基体在可拉伸导体制备中的研究进展,重点关注了银纳米球、银纳米线及银纳米片在可拉伸导体制备中的应用及其性能评价,主要介绍了水凝胶、化学交联弹性体和物理交联弹性体在可拉伸导体应用方面的优势及限制,最后对银基可拉伸导体未来的发展进行了展望。     

3D-MCM高集成微波模块的热设计研究和应用

文中针对3D-MCM高集成模块的散热问题,研究了3D-MCM组件在高能量密度、高集成度下的热设计,并以3D-MCM信号处理组件为例,根据信号处理组件电性能设计和封装布局设计要求,建立了参数化的有限元仿真模型。经过布局迭代、散热方式优化和组件材料优化,组件的等效热导率高达 76 W/(m·K),封装基板局部的热导率可达183 W/(m·K)。基于氮化铝基板和纳米银等高导热材料,实现了高集成信号处理组件的高效散热设计。     

医用银离子抗菌水凝胶敷料的制备及性能研究

将纳米银与水凝胶两者性能结合,制备医用银离子抗菌水凝胶敷料,并对其性能进行研究。不使用分散剂,采用水凝胶的纳米孔吸附银离子的方式制备纳米银,使用壳聚糖、冰醋酸、纳米银、泊洛沙姆、碳酸氨、甘油六种试剂制备纳米银抗菌凝胶,并采用类似的方式制备纳米银抗菌凝胶敷料。分别对制备得到的水凝胶敷料进行UV-vis分析,并测试其抗菌性、溶胀性和生物相容性。实验结果表明,在不添加分散剂和还原剂的条件下,硝酸银可以被还原成纳米银,表明纳米银制备方法可行;水凝胶对大肠杆菌的最大抑菌圈为4.20mm左右,对葡萄球杆菌的最大抑菌圈为3.52 mm左右,均具有良好的抗菌效果,且纳米银的添加,更加增强了水凝胶的抗菌性;相较于其他甘油含量的水凝胶敷料,添加2%甘油的敷料具有更好的溶胀性;银离子抗菌水凝胶敷料具有较好的生物相容性,在促进细胞增殖分化方面具有无可比拟的优势。     

芦荟纳米银在真丝织物上的应用研究

为赋予真丝制品新的功能,拓展其应用领域,采用自制的芦荟纳米银溶液整理真丝织物,测试其抗菌和抗紫外性能.研究表明,采用植物芦荟可成功制备纳米银,整理的真丝织物对金黄色葡萄球菌和大肠杆菌的抑菌率可达99.71%和99.54%,且耐洗性良好.真丝织物的UPF值由处理前的6.52提高到处理后的36.62,且洗涤50次后UPF值仍可达24以上.芦荟纳米银整理真丝织物具有良好的抗菌性能和紫外线屏蔽效果.     

纳米银-聚合物薄膜的制备及力电性能测试

聚合物基底上纳米银颗粒薄膜的制备工艺相对简单,成本较低,且该薄膜具有成为高敏感性压阻应力/应变传感材料的潜力。本文采用银镜制备法在聚酰亚胺(PI)和聚乙烯(PE)上合成了纳米银颗粒薄膜,系统研究了该薄膜制备工艺、结构特性、材料性能之间的关系。实验考察了材料“浸泡”时间及聚合物材料前处理等因素对材料表面吸附纳米颗粒含量的影响,研究了 “浸泡”时间对纳米银颗粒粒径大小、颗粒含量及分布的影响,并探讨了不同聚合物基体的颗粒特性对薄膜二维导电渗滤,压阻特性及拉伸性能的影响。研究表明,增加“浸泡”时间能够增加纳米银颗粒粒径大小,提高银颗粒的含量及分布均匀性；在相同的制备条件下,PI基底较PE基底对纳米银颗粒具有更加优异的吸附效果；在PI 和PE基底上的纳米银颗粒薄膜均表现出显著的压阻性能,且电阻对应变的敏感性随应变的增大及银颗粒含量的减少而显著提高。     

碳化硅功率模块焊接工艺研究进展

碳化硅(SiC)模块的封装技术是目前电力电子行业关注的热点,焊接材料和工艺是影响模块可靠性的关键环节。详细分析了当前国内外业界已使用或正在研究的焊接材料和工艺,包括应用于传统硅(Si)功率模块和SiC功率模块的常规无铅钎料、低温纳米银烧结、固液互扩散连接和纳米铜焊膏等。分析了各种工艺的焊接过程、焊层性能及存在的问题,明确了今后SiC功率模块高温封装焊接技术的发展方向,即低温纳米银烧结技术和固液互扩散技术将会是SiC功率模块焊接工艺的优选。