成品退火工艺对高压光箔立方织构的影响

通过选择不同的退火工艺方案，采用织构定量办法，用西门子D5000型X射线仪进行检测。用正态分布函数拟合计算法计算退火箔立方织构的占有率，研究了成品退火工艺对高压光箔立方织构占有率的影响。     

甲烷浓度对金刚石薄膜(100)织构生长的影响

以H2和CH4的混合气体为气源,用微波等离子体辅助化学气相沉积法(MPECVD)在1 cm×1 cm S i(100)基体上沉积了金刚石薄膜。研究了不同的甲烷浓度对金刚石薄膜(100)织构生长趋势的影响。分别采用扫描电子显微镜(SEM),Ram an光谱对金刚石膜的表面形貌、质量进行了分析。结果表明,当基体温度为750℃,气压为4.8×103Pa,甲烷浓度为1.4%时,薄膜表面为(100)织构。     

纤维素衍生物液晶相转变和织态结构

本文综述了纤维素衍生物液晶态相转变和织态结构。描述了纤维素衍生物从各向同性态向液晶态的转变过程和液晶态的织构特征。讨论了溶液浓度和温度对液晶相织构的影响。探讨了各种因素,如溶剂、取代基含量、外加力场和外加磁场等对液晶相的形成及织态结构的影响。     

不同晶体学平面对无取向电工钢电磁性能的贡献及其磁性各向异性

论证了不同晶体学平面对无取向电工钢电磁性能的贡献及其磁性各向异性。结果表明,不同晶面的这两项指标均与它们在极图上的位置有关,13个重要晶面对无取向电工钢磁感应强度的贡献依照以下次序降低：{100}-{310}-{411}-{521}-{210}-{110}、{431}、{321}和{211}-{221}-{332}-{433}-{111};而磁性各向异性则以{110}晶面最强,{111}晶面最弱,{111}晶面及其他晶面的磁性各向异性以{110}晶面的极点为中心呈放射递减状分布在反极图上。     

铝和铜互连线的晶粒结构及残余应力研究

采用X射线衍射仪和扫描探针显微镜,观察和测量了分别由大马士革工艺制备的Cu互连线和由反应刻蚀工艺制备的Al互连线的晶粒结构和应力状态.大马士革工艺凹槽中的Cu互连线受到机械应力的影响,使Cu互连线的晶粒尺寸(45~65 nm)小于Al互连线的晶粒尺寸(200~300 nm);Cu互连线(111)的织构强度(2.56)低于Al互连线(111)的织构强度(15.35);Cu互连线沿线宽方向的应力σ22随线宽的减小而增加,即沉积态和退火态的Cu互连线的σ22由73和254 MPa(4μm线宽)分别增加到104和301 MPa(0.5μm线宽).Cu互连线和Al互连线的流体静应力σ均为张应力.Al互连线的主应力σ11、σ22和σ33随Al膜厚度的减小而增加.退火使Al互连线的σ11、σ22和σ33降低,表明Al互连线中的残余应力主要为热应力.     

不同密度的微凹波纹表面织构的摩擦特性

为研究不同密度的微凹波纹表面织构的摩擦特性,首先利用激光表面织构技术,对轴承钢试样表面进行微凹波纹织构化处理;其次采用销-盘摩擦副接触方式,在常温、常压及液体润滑的条件下,对不同密度的微凹波纹表面织构进行摩擦试验;最后借助扫描电子显微镜观察其表面形貌,并利用Stribeck曲线分析在不同实验条件下不同密度的微凹波纹织构表面的摩擦特性.结果表明:在一定转速范围内,微凹波纹表面织构的减摩效果随压力的增加而提高,摩擦系数值随着微凹波纹密度的增加而降低,其中密度为22.37%的微凹波纹织构的减摩效果最好.     

氢键自组装侧链液晶聚合物的制备及性能

为了获得氢键自组装液晶聚合物,制备了两种单体M1和M2,通过调节单体M1和M2的摩尔比,利用氢键自组装方法制备得到了一系列侧链液晶聚合物.利用红外光谱仪(FTIR)、差示扫描量热仪(DSC)和偏光显微镜(POM)测试了氢键自组装侧链液晶聚合物的液晶性能.结果表明,P3和P5液晶聚合物在2 510 cm-1和1 920 cm-1处出现了氢键的吸收峰,而P3、P4和P5液晶聚合物均具有两个熔融吸收峰.P1~P5液晶聚合物具有Grandjean织构,为典型的胆甾相;P6液晶聚合物具有明显的球形织构,为典型的向列相.     

现代织构分析的进展

本文系统阐述了材料现代织构分析的进展。     

放电等离子烧结工艺对Ca3Co4O9陶瓷织构及电性能的影响

采用溶胶-凝胶与放电等离子烧结(SPS)相结合的方法制备了Ca3Co4O9陶瓷.通过X射线衍射、扫描电镜等表征手段,研究了放电等离子烧结工艺对Ca3Co4O9物相、显微结构和性能的影响.实验结果表明片状颗粒和放电等离子烧结工艺,特别是烧结温度的提高有利于Ca3Co4O9织构的形成.初步认为是片状颗粒在脉冲电流所产生的脉冲磁场作用下发生重排,使颗粒定向排列.本实验范围内,当烧结温度从700℃提高到900℃时,Ca3Co4O9晶粒取向度从0.75增大到0.87,700℃下的电阻率从6.24×10-5 Ωm降低到5.59×10-5 Ωm.此外,Ca3Co4O9块体表现出典型的半导体电学特征,电导率随着SPS烧结温度和测量温度的升高而增大,当SPS烧结温度为850℃时,P型Ca3Co4O9化合物在700℃有最大电导率.