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121.
挠性电路板及其装配工艺   总被引:1,自引:1,他引:0  
胡朝晖 《电子工艺技术》2006,27(2):94-95,99
介绍了挠性电路板(FPC)在电子行业的运用,由其制造的产品具有结构灵活、体积小、质量轻以及刚性电路板和挠性电路板相结合等结构特点;同时介绍了挠性电路板的主要组成材料及不同主要材料之间的性能比较;以及挠性电路板在表面贴装(SMT)工艺装配流程上与硬板(PCB)不同的工艺装配特点.  相似文献   
122.
用3,3′———二乙基———4,4′———二氨基二苯甲烷(DEDADPM)、均苯四甲酸二酐(PMDA)和马来酸酐(MA)为原料采取化学亚胺化法合成了具有良好加工性能和耐热性能的聚酰亚胺低聚物.通过红外光谱分析可证实亚胺环已形成.采用活性稀释剂和不饱和聚酯改性该低聚物,热分解温度达490℃以上,拉伸强度提高,韧性得到了较大改善.  相似文献   
123.
Polyimide (PI) thatserves as a typical kind of en-gineering polymer material has been used widely in aer-ial, nuclear and microelectronic industries because ofits outstanding characteristics, such as excellent ther-mal stability, relatively high tensile strength and modu-lus and, especially, preeminentelectrical properties in-cluding low dielectric constant[1]. But the pure poly-imide also has many disadvantages, such as high wetta-bility, thermal expansivity and poor corona-resistance.Moreove…  相似文献   
124.
介电常数是表征绝缘聚合物电性能的重要物理量,根据布儒斯特定律,利用分光仪测得聚酰亚胺薄膜的折射率,基于麦克斯韦方程,算得Dupont聚酰亚胺100HN普通和100CR无机纳米杂化薄膜的光频相对介电常数分别是1.932和2.631.  相似文献   
125.
以聚酰胺酸作为基体,通过正硅酸乙酯(TEOS)和异丙醇铝的水解缩合反应后,与聚酰胺酸发生溶胶凝胶的过程,从而制备出不同比例的A l-Si氧化物纳米掺杂聚酰亚胺薄膜.利用原子力显微镜,傅立叶红外光谱和介电谱,对其表观形貌和介电性能进行了表征和测试,考察分析了了相应的结构与性能之间的关系.  相似文献   
126.
对位芳纶纸基材料因其分子链刚性结构以及纤维表面化学惰性导致其力学性能较差,即使通过环氧树脂增强,其综合性能仍然不能达到航空航天等耐高温结构材料的要求。为了获得优异力学性能和耐高温性能的纸基材料,高强,高模及耐高温树脂聚酰亚胺作为增强树脂被采用,而其制品的力学性能受到成型加工工艺的影响。采用100℃预固化,250℃,20MPa热压成型的工艺将获得最佳力学性能,其裂断长达到8350m。通过DSC及TGA分析,其玻璃化转变温度及初始分解温度分别为275、550℃,有望作为航空航天等领域耐高温结构材料使用。  相似文献   
127.
将双向拉伸聚酰亚胺(PI)薄膜叠层、压制炭化、高温热处理后制得了高定向石墨材料.借助TG、元素分析、XRD等测试手段分析了PI薄膜层叠成型体在热处理过程中质量、尺寸、化学组成、微观结构的变化.结果表明成型体炭化期间薄膜面向收缩较大,层叠方向尺寸变化不大,对材料进一步加压石墨化后,发现材料沿层叠方向有较大收缩,沿径向收缩较小.XRD分析表明PI薄膜热处理过程中会发生从高分子定向膜到无定型炭,再到高有序石墨结构的转变.经2800℃处理后的材料具有高的取向性和传导性能,四探针法测得样品的电阻率为0.79μΩ·m,根据电阻率与热导率的相关公式推得其热导率为1000~1600W/m·K.  相似文献   
128.
采用XRD和TGA测试手段,通过有机蒙脱土的鉴定分析和有机蒙脱土在聚酰亚胺中的形态,分析说明了聚酰亚胺/蒙脱土纳米复合材料的形成机理.  相似文献   
129.
以1,2-双(4-氨基苯氧基)乙烷、1,3-双(4-氨基苯氧基)丙烷、1,4-双(4-氨基苯氧基)丁烷三种主链含柔性链的二胺单体和3,3′,4,4′-二苯醚四羧酸二酐进行缩聚反应,制得聚酰胺酸溶液,涂层于芳纶1414基布.对经聚酰亚胺处理后织物的力学性能、热性能及防紫外辐射性能进行测试,结果表明强力有所降低,热性能稍有提高,防紫外辐射性能有了显著提高.  相似文献   
130.
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