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101.
具有形状记忆功能的高分子材料 总被引:11,自引:0,他引:11
本文综述了具有形状记忆功能的高分子材料的发展概况 ,分析了形状记忆高分子材料的记忆效应原理 ,并对交联聚烯烃、聚氨酯、聚酯等具有形状记忆功能的高分子材料的特性及应用进行了评价和探讨 ,同时对形状记忆高分子材料的发展前景进行了展望 相似文献
102.
103.
N. LIU W. M. HUANG 《中国有色金属学会会刊》2006,16(B01):37-41
A systematic study on the temperature memory effect (TME) in a polycrystalline NiTi shape memory alloy was presented. The investigation was carded out through a series of differential scanning calorimeter (DSC) tests. Two types of tests were conducted, namely single-step test and multi-step test. The influence of the step temperature on the peak/trough temperatures in the subsequent heating process and the associated energy absorption/release in the phase transformations was investigated. Using a simple theoretical model, the exact mechanism behind TME was studied. 相似文献
104.
受载岩石电磁辐射特性及其应用研究 总被引:22,自引:5,他引:22
对砂岩、泥岩和混凝土在压、拉状态下的电磁辐射特性,规律进行了实验研究和分析。研究结果表明,砂岩、泥岩和混凝土在压、拉状态下能够产生电磁辐射;电磁辐射与载荷呈现正相关性,岩石电磁辐射具有记忆效应,在受载过程中最大电磁辐射强度与岩石强度间呈现正相关性,电磁辐射在测定原岩应力,测定围岩相对应力分布、评定煤岩体应力状态及其稳定性方面具有非常广泛的应用前景。 相似文献
105.
106.
迟滞回线及其蕴含的记忆效应是弹性材料和电磁材料共有的一个性质。这个性质对于理解迟滞起源以及材料的力学、电学和磁学性质有很大帮助,在存储器制造、高精度纳米定位等领域有着十分重要的应用。目前在这方面还缺乏系统的研究和总结。本文从自旋玻璃的概念出发,简述了磁记忆效应的基本概念和基本理论模型以及其和磁滞回线的关系。综述了记忆效应在磁性材料及其他领域的研究进展情况。 相似文献
107.
为了改善介质阻挡放电分布形成工业水平均匀放电,研制了旋转电极介质阻挡放电装置,在高频和低频下形成带状放电分布。通过拍摄50Hz半个周期内放电照片,发现放电在半个周期内形成了带状轨迹。这说明在半个周期内,放电残留物随气流流动为下游放电提供初电子,有利于形成带状轨迹分布。在工频条件下,拍摄了不同转速下的放电照片,发现随着转速增加,带状区域扩大,放电分布变得更均匀。上述现象及初步计算分析说明利用电极旋转带动放电残留物与壁电荷发生相对位移改变放电分布是成功的,为下一步实现工业应用水平上的均匀放电提供了可能性。 相似文献
108.
固体绝缘的表面是高压电力设备绝缘的最薄弱环节,很多绝缘事故都是由沿面放电造成的。发生放电后,电荷会在绝缘表面积聚,会很大程度上影响下一次放电的产生与发展。为此,通过观测在极性交替变化的冲击电压作用下沿同轴圆柱形聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)绝缘表面放电的发展以及测量放电后表面残余电荷电位的分布,来研究残余电荷对沿面放电的影响。研究表明,在改变冲击电压的极性后,由于反极性残余电荷的影响,放电会被促进,放电通道会沿着前一次放电的通道向前发展,并且会比前一次放电距离略长,放电的强度会增强,放电的发展速度也会加快。在沿着放电通道方向,表面电荷电位梯度可以明显分为两部分:在放电头部的20mm区域,电位梯度较大,为流注放电;而在后面的主干部,电位梯度平缓,为先导放电。 相似文献
109.
110.
对非对称Doherty功率放大器(ADPA)的特性进行了研究。峰管采用更高功率的LDMOS管,用非对称负载调制理论做功率匹配,提高了功率放大器的平均效率和峰值输出功率。对功率放大器记忆效应进行了研究,介绍了多种减小记忆效应的方法。用ADS软件分别仿真了对称和非对称Doherty功率放大器,最后采用了100 W和140 W的LDMOS功率管进行实验验证。测试结果表明:2.62 GHz单载波W-CDMA信号平均输出功率为47.5 dBm,峰值输出功率为55dBm,功率附加效率(PAE)为41%,经数字预失真(DPD)校正后,近端(5 MHz)临信道泄漏比(ACLR)达到-60 dBc以下,完全达到系统要求的指标。 相似文献