高能电子轫致辐射能谱测量

本文介绍了在稳态加速器上进行的轫致辐射能谱测量的实验研究工作，建立了一种被称为透射系数的数值分析的迭代最小二乘法作为实验测算和解谱方法，其透射系数值用于ＬｉＦ（Ｍｇ，Ｔｉ）－Ｍ型热释光固体电离室测量，铅和聚四氯乙烯作吸收材料，实验测量得到３７个透射数值，基于这些数值初始设定的谱进行迭代计算，得到了轫致辐射能注量谱，辐射谱的平均能量（１．９０ＭｅＶ）等信息，实验的总不稳定度为４．６％（２σ）。     

^90Sr—^90Yβ源辐射场中轫致辐射剂量分量的理论计算和实验测量

对^90Sr-^90Y源半导体辐照效应在线测量系统中所用辐射源与周围物质相互作用所产生的轫致辐射剂量进行了理论计算和实验测量。采用聚乙烯薄膜作吸收材料,实现了β与X射线辐射剂量的分离。给出了测量的吸收剂量中X射线辐射剂量的贡献,并对测量及理论计算中的误差进行了分析。     

厚靶轫致辐射谱的角分布计算

本文对厚靶轫致辐射谱分布情况进行了理论研究和计算,并将结果与国外理论值和试验结果作了比较。     

EAST托卡马克电荷交换复合光谱诊断的绝对强度标定

电荷交换复合光谱(Charge e Xchange Recombination Spectroscopy,CXRS)诊断系统主要用于等离子体旋转速度和离子温度的测量。CXRS诊断的另外一个重要应用是通过测量光谱的绝对强度来确定杂质离子的密度,因此需要对系统进行绝对强度标定。在实验前通过精确校准过且各个波长强度已知的积分球光源对系统进行初步的标定;在实验过程中又利用托卡马克装置中等离子体自身产生的轫致辐射对系统的强度标定进行了进一步的检验。通过比较轫致辐射强度的实验测量值和理论计算值,可以发现两种方法得到的结果虽然存在一定的误差,但是它们的趋势是一致的。实验结果表明,利用轫致辐射进行绝对强度标定是可行的。     

声致发光中泡内气体参数的估算

基于对声致发光机制研究进展的概述,分析了工作液体、温度、惰性气体对声致发光的影响。介绍了声致发光的光谱,讨论了声致发光动力学特性的气泡半径RP方程和气泡崩溃前的临界状态下对泡内气体密度及气压的估算。     

电子束的轫致辐射生产~(123)I的理论计算

对２００ＭｅＶ高能电子束在钨靶中作用的物理过程进行Ｍｏｎｔｅ—Ｃａｒｌｏ模拟,确定电子－光子转换靶（Ｗ）的最佳厚度为７—９ｍｍ。并给出~(１２４)Ｘｅ高压气靶为３ＭＰａ,当照射３ｈ,在最佳回收时间５．２６ｈ回收氙气,可获得１２３Ｉ的活度约５．９２ＭＢｑ。     

超导ECR源SECRAL轫致辐射谱的测量

热电子在ECR（Electron Cyclotron Resonance）源中有着非常重要的作用,为了研究ECR源的工作参数（微波功率、磁场等）对热电子的影响,我们对SECRAL（Superconducting ECR ion source with Advanced design in Lanzhou）等离子体在轴向发出的轫致辐射谱进行了系统的测量。从测得的轫致辐射谱中我们得到用来衡量热电子能量的参考量——光谱温度Tspe,并且对ECR源的几个工作参数与Tspe的关系进行了讨论。     

蒙特卡罗方法计算低能γ射线在NaI晶体中能量沉积谱

本文考虑了低能γ射线的光电效应、康普顿散射、对生成,电子和正电子在库仑场慢化中的轫致辐射,以及正电子静止湮没。用蒙特卡罗方法模拟γ射线、电子及其级联过程,得到了低能γ射线在NaI晶体中的能量沉积谱、响应函数和绝对探测效率。计算结果与实验值符合较好。     

强流脉冲质子束轰击19F靶产生6-7MeV准单能脉冲γ射线初步实验研究

给出了利用PIN半导体探测器和ST401塑料闪烁体配合光电倍增管测量的强流脉冲质子束轰击含^19F核素的靶产生的6—7MeV准单能脉冲γ射线的初步实验结果。理论上计算了质子束轰击C2F4靶产生的准单能脉冲γ射线产额和核反应截面随入射质子能量的变化曲线，提出了采用质子束传输法分离和降低轫致辐射干扰的方法，利用ST401配合光电倍增管和PIN半导体探测器测量了质子传输不同距离后轰击C2F4靶产生的6—7MeV准单能脉冲γ射线谱以及相对于轫致辐射的时间延迟数据，并根据飞行时间确定了束流峰值时刻的质子能量，还通过实验验证了Cu、Cr和不锈钢靶及其中所含的杂质不能产生明显的其它能量的γ射线干扰。