沉积参数对CVD金刚石晶粒尺寸的影响

采用DC Arc Plasma Jet CVD方法制备了金刚石自支撑膜体,考察了温度分布、沉积腔压和CH4/H2等沉积参数对所制备金刚石膜体中的晶粒尺寸的影响.实验发现沿温度降低的方向和增加腔压会使晶粒尺寸变大,当CH4/H2超过15%后,有带刻面的晶粒出现.本次实验最大的晶粒对角线长度超过1mm.     

OPA2889：高速电压反馈放大器

TI推出一款高速单位增益稳定电压反馈放大器,该产品可在确保不低于当前市场压摆率的同时,使功耗降低90％以上。这种新器件的独特架构为设计人员提供了高带宽与高压摆率,同时结合了低静态电流,因此适合便携式仪表、有源滤波器与ADC缓冲器等。     

空间光通信的粗精复合轴解耦技术研究

国内外的空间光通信系统都采用粗精复合轴结构实现大视场、高精度、高闭环带宽的跟踪系统.粗精控制环解耦问题是复合轴结构控制系统中很重要的问题,它会影响整个APT系统的性能.通过软件仿真和桌面实验,对双探测器的复合轴解耦问题进行了深入的研究,在桌面实验系统中实现了空间光通信要求的3urad的控制精度.     

面阵探测器对风云四号大气垂直探测仪的影响*

进行大气科学研究的傅里叶变换光谱仪, 必须具备高分辨率、高准确度的精细光谱才能对温度、压力和浓度等物理量进行反演。干涉仪中光线的离轴效应使仪器光谱函数发生变化。采用直接计算干涉调制函数的方法, 研究了面阵探测器各个探测元离轴位置对光谱函数形状的影响; 针对干涉仪使用的16×4 元面阵探测器, 模拟探测元不同位置的光谱函数参量的特性, 结果将在仪器光谱定标中得到应用。     

TMS320F28335 DSP在控制双轴转台方面的应用

双轴转台通过方位轴和俯仰轴的合成运动,实现二维控制;本论文中,转轴的动力设备采用力矩容量大,响应快的直流力矩电动机;应用角位变送器,进行实际位置的测量,在闭环的控制下,满足精度要求;TMS320F28335 DSP作为控制芯片对转台的运动进行控制,应用到了TMS320F28335 DSP中的SCI和PWM模块。     

“抢红包”真的毁了传统春节吗？

今年春节给人最大的感受就是电子红包的流行,全国范围内掀起了一股微信红包热,网民盯着手机屏幕寸步不离,即便是抢了几毛钱,也乐不可支。
　　但是,这也引发了一次大讨论,新华社就发文指出,网络红包会毁了中国的传统春节。乍眼一看,还有些道理。大家忙着抢红包,把亲情、友情晾在一边,“盯得眼花、戳的手疼”。     

宽带低相位噪声锁相环型频率合成器的CMOS实现

用0.25μm标准CMOS工艺实现了单次变频数字有线电视调谐器中的频率合成器.它集成了频率合成器中除LC调谐网络和有源滤波器外的其他模块.采用I2C控制三个波段的VCO相互切换,片内自动幅度控制电路和用于提升调谐电压的片外三阶有源滤波器,实现VCO的宽范围稳定输出.改进逻辑结构的双模16/17预分频器提高了电路工作速度.基于环路的行为级模型,对环路参数设计及环路性能评估进行了深入的讨论.流片测试结果表明,该频率合成器的锁定范围为75～830MHz,全波段内在偏离中心频率10kHz处的相位噪声可以达到-90.46dBc/Hz,100kHz处的相位噪声为-115dBc/Hz,参考频率附近杂散小于-90dBc.     

一种基于多协议电流复用双频段压控振荡器的设计

.本文设计了一种基于IEEE 802.11 a/b/g和蓝牙多协议零中频收发机中双频段压控振荡器.该振荡器使用电流复用的方法,即将两个工作在不同频段的压控振荡器串联堆叠,达到了降低功耗的目的.通过Aglient ADS仿真,结果表明本文所设计的双频段压控振荡器功耗为12.22 mW,2.44和5.23 GHz载频处的相位噪声分别为-126.2和-120.1dBc/Hz@1 MHz,其性能完全符合IEEE 802.11a/b/g和蓝牙协议的要求.该振荡器将采用0.18 μm CMOS工艺实现,芯片面积为1.18 mm×0.67 mm.     

基于衬底注入技术的交叉耦合式QVCO设计

提出了一种基于衬底注入技术的正交压控振荡器(QVCO)。此QVCO的实现是基于两个电感电容压控振荡器的耦合作用,并没有任何额外的耦合器件。在相位噪声、正交相位误差、调谐范围以及功耗方面,对所提出的QVCO与传统的QVCO进行了比较。仿真表明:该QVCO在4.1 GHz处取得了0.62°的正交相位误差,采用标准的0.13 μm 互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺对该QVCO进行流片实现,芯片面积为0.51 mm×0.87 mm。测试结果表明:在3.95 GHz处的相位误差为-118.5 dBc/ Hz@1 MHz,在0.5 V 电源电压供电下,消耗的功耗为0.41 mW,适用于低功耗需求场合。     

具有宽安全工作区的压接式IGBT芯片研制

针对柔性直流输电关键装备高压直流断路器的特殊需求,基于现有工艺平台开发了一款宽安全工作区的3 300V/50A压接式IGBT芯片。为降低2~4 ms过电流冲击过程中的芯片温升,纵向采用非穿通结构。同时,采用阶梯栅氧结构,引入第二雪崩区,降低动态闩锁发生的风险,提高器件的安全工作区。为适用于压接封装,开发了厚金属电极工艺,实现对压力的缓冲。将此结构流片验证,并进行模块级测试,芯片可在1 800V电压下达到6.5倍以上额定电流安全关断,短路电流可在20μs内安全关断,具有宽安全工作区水平。