世界食品辐照应用概况

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γ射线辐照－水热处理法制备纳米金属粉末SCIEI

用γ射线辐照－水热处理法制备出８ｎｍＡｇ粉、１６ｎｍＣｕ粉和１０ｎｍＰｄ粉．研究了实验条件对Ａｇ粉粒径的影响．确定了制备纳米Ｃｕ粉的工艺参数，发现用ＥＤＴＡ络合Ｃｕ离子，有利于制备粒径较小的纳米Ｃｕ粉，在不同条件下可获得球形和针形的纳米Ｃｕ粒子．     

HCl氧化物MOS结构质子辐照诱导的界面陷阱效应

用微分电容法研究质子辐照HCl氧化物铝栅MOS结构诱导的界面陷阱,栅氧化层在1 160℃很干燥的、含0～10％HCl的气氛中热生长而成,质子辐照能量为120～300keV,注入总剂量范围为8×10~(13)～1×10~(16)p/cm~2。结果表明,辐照诱导的界面陷阱能级密度随质子能量、剂量增加而增加。然而,氧化层中掺入6％HCl时,辐照诱导的界面陷阱明显减少。这样,已能有效地改变MOS器件的抗辐照性能。实验结果可用H~+二级过程解释。     

电子辐照对硅双极晶体管交流参数的影响

本文研究了 2 MeV电子辐照对硅双极外延平面晶体管交流参数的影响.结果表明,在7×10~(14)cm~(-2)注入剂量下、输出电容已。有明显减小,特征频率f_T基本不变,而功率增益G_p稍有增加.用多数载流子去除效应讨论了辐照后这些参数的变化和性质.     

运用辐照技术,开发新颖PC—ⅡAL型胶辊涂料的初探

本文探讨了运用不同剂量的放射性同素钴－６０对胶辊涂料进行辐照处理。经２００ｋｒ辐照量办理的辐照涂料，敷涂胶辊表面后，渗透性好，不结膜，干燥快，涂料质量稳定而且使用周期较长。     

大规模集成电路浮栅ROM器件总剂量辐射效应

提出了一种大规模集成电路总剂量效应测试方法:在监测器件和电路功能参数的同时,监测器件功耗电流的变化情况,分析数据错误和器件功耗电流与辐射总剂量的关系.根据该方法利用60Co γ射线进行了浮栅ROM集成电路(AT29C256)总剂量辐照实验,研究了功耗电流和出错数量在不同γ射线剂量率辐照下的总剂量效应,以及参数失效与功能失效时间随辐射剂量率的变化关系,并利用外推实验技术预估了电路在空间低剂量率环境下的失效时间.