首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   4837篇
  免费   281篇
  国内免费   727篇
电工技术   180篇
综合类   184篇
化学工业   629篇
金属工艺   208篇
机械仪表   102篇
建筑科学   74篇
矿业工程   41篇
能源动力   71篇
轻工业   844篇
水利工程   6篇
石油天然气   19篇
武器工业   19篇
无线电   921篇
一般工业技术   594篇
冶金工业   80篇
原子能技术   1821篇
自动化技术   52篇
  2024年   46篇
  2023年   148篇
  2022年   185篇
  2021年   221篇
  2020年   149篇
  2019年   168篇
  2018年   101篇
  2017年   159篇
  2016年   157篇
  2015年   128篇
  2014年   232篇
  2013年   160篇
  2012年   209篇
  2011年   255篇
  2010年   215篇
  2009年   252篇
  2008年   246篇
  2007年   231篇
  2006年   200篇
  2005年   182篇
  2004年   150篇
  2003年   216篇
  2002年   165篇
  2001年   165篇
  2000年   153篇
  1999年   115篇
  1998年   117篇
  1997年   102篇
  1996年   129篇
  1995年   130篇
  1994年   109篇
  1993年   114篇
  1992年   94篇
  1991年   86篇
  1990年   94篇
  1989年   66篇
  1988年   50篇
  1987年   25篇
  1986年   33篇
  1985年   25篇
  1984年   26篇
  1983年   21篇
  1982年   9篇
  1981年   6篇
  1959年   1篇
排序方式: 共有5845条查询结果,搜索用时 15 毫秒
961.
中子辐照诱导Si PIN光电二极管暗电流增大的数值模拟   总被引:1,自引:0,他引:1  
分析了中子辐照诱导Si PIN光电二极管暗电流增大现象的机理,建立了Si PIN光电二极管的器件物理模型和中子辐照效应模型。运用MEDICI软件进行数值模拟计算,得出了1MeV中子在辐照注量为1010~1014cm-2时,Si PIN光电二极管暗电流变化的初步规律。数值模拟结果与相关文献给出的实验结果吻合较好。  相似文献   
962.
对国产工艺的部分耗尽SOIPMOSFET60Coγ射线的总剂量辐照及退火效应进行了研究。结果表明:随着工艺技术的发展,正栅氧化层具有较强的抗辐照加固能力,背栅由于埋氧层厚度和工艺生长原因而对总剂量辐照较为敏感;辐照引入的深能级界面态陷阱电荷的散射作用,导致了正栅源漏饱和电流的显著降低;退火过程中界面态陷阱电荷的饱和决定了正栅亚阈曲线的平衡位置,而隧穿或热发射的电子只能中和部分背栅氧化物陷阱电荷,使得退火后背栅曲线仍与初始值有一定负向距离。  相似文献   
963.
在相关研究工作的基础上,分析得到了基于模拟植物生长算法的排源算法的性能热点,并对其进行了并行化改进,具体是将原有串行执行过程转化为统一计算设备架构(CUDA)的线程块并行执行过程,从而可有效利用GPU的大规模并行能力,实现程序执行效率的大幅加速。若干计算实例结果表明,在保持排源算法原有优点的基础上,新算法的整体性能有最低30倍的提高,使当前的排源算法具有高度的竞争力。  相似文献   
964.
不同基区掺杂浓度NPN双极晶体管电离辐照效应   总被引:1,自引:0,他引:1  
对相同工艺制作但基区掺杂浓度不同的国产NPN双极晶体管,在不同剂量率条件下进行60Coγ辐照效应和退火特性研究。结果显示,晶体管基区掺杂浓度不同,对高、低剂量率的辐照响应也不相同,低基区掺杂浓度的晶体管辐照损伤明显高于高基区掺杂浓度的晶体管。  相似文献   
965.
<正>【日本原子能研究开发机构网站2010年1月14日报道】日本原子能研究开发机构(JAEA)利用填充了铍金属微粒的辐照样品盒定位器,在世界上首次成功开发出了"中子辐照环境控制法",可以在辐照试验反应堆为用户提供更理想的中子场。  相似文献   
966.
采用中频磁控溅射Ti80Si20合金靶在单晶硅表面制备了钛硅共掺杂的类金刚石薄膜。利用紫外-可见光多波长Raman光谱表征薄膜微结构, 并结合FTIR光谱研究了紫外光辐照对类金刚石薄膜微结构的影响, 进一步讨论了紫外光辐照下薄膜微结构的演化机理。结果表明: 非晶结构的类金刚石薄膜出现反式聚乙炔和聚对苯乙炔类聚合物结构以及sp杂化的线型卡宾碳结构。紫外光辐照诱导薄膜微结构驰豫和重构, 薄膜Si-O和C-O键含量增加, C=C和C-H键含量减少; 同时薄膜sp2团簇尺寸减小而无序度增大。  相似文献   
967.
采用吸收光谱、电子顺磁共振谱和光致发光谱对掺Ce多组分硅酸盐玻璃K509在10 MeV电子辐照下的色心动力学进行了研究。结果表明, 电子辐照引起K509玻璃可见光透过率降低的色心类型为非桥氧空穴色心HC1和HC2。在剂量率一定的情况下, 色心浓度随总剂量的增大呈指数函数增大; 在总剂量一定的情况下, 色心浓度随剂量率增大呈指数函数减小。Ce3+荧光强度的变化表明辐照过程中Ce3+浓度与辐照总剂量负相关, 与辐照剂量率正相关, 验证了掺Ce玻璃耐辐照机理: Ce3+吸收辐照产生的空穴从而抑制空穴色心HC1和HC2的形成, 且不引入额外的可见光波段吸收。通过对Ce3+宽带荧光峰进行高斯拟合, 得到了K509中Ce3+能级结构图。  相似文献   
968.
本研究以未处理样品为对照,采用巴氏杀菌(80℃,30 min)、电子束辐照(3、5、7 kGy)和超高压技术(400、500、600 MPa,6 min)对红枣浓浆样品进行处理,通过测定游离氨基酸、还原糖等呈味物质含量,结合电子鼻、电子舌技术和感官评价等方式分析不同处理对红枣浓浆风味的影响。结果表明:与对照组相比,巴氏杀菌和电子束辐照处理导致游离氨基酸含量显著下降,巴氏杀菌导致精氨酸、缬氨酸和亮氨酸等苦味氨基酸含量显著上升;电子束辐照和超高压处理组可以显著提升红枣浓浆样品中果糖含量;通过电子鼻检测发现8组样品传感器数值存在明显差异;电子舌结果显示,电子束辐照、超高压处理和未处理样品之间滋味特征存在明显差异,而巴氏杀菌处理样品与对照组样品滋味特征更为接近;在感官评价中,电子束辐照处理样品获得感官评分高于其他处理,主要表现为滋味、色泽和冲调性更好。总之,电子束辐照处理和超高压处理均能有效提升红枣浓浆风味品质。  相似文献   
969.
杨文斗 《核安全》2012,(3):1-11
综合了国内外反应堆压力容器(RPV)钢的实验结果,归纳、分析了RPV钢的辐照参数、冶金因素对辐照效应的影响及其实践应用,对出现的现象和规律作了理论解释,并对辐照脆化机制和公认的规律作了介绍和总结。  相似文献   
970.
为给宇航用光纤陀螺非金属材料的设计选型提供参考依据,考察了光纤陀螺中几种典型非金属材料γ射线总剂量抗辐照特性,并通过电子扫描电镜(SEM)、傅里叶红外光谱(FT-IR)、热失重曲线(TGA)和力学性能测试对比分析了辐照前后材料的表面形貌、分子结构和力学性能变化情况,并对高分子材料辐照老化的机制进行了理论分析和推测。结果表明,在1000Gy60Coγ射线辐照后,固化胶的表面形貌未出现明显变化。但从红外光谱、TGA曲线和力学性能测试结果可以看出硅橡胶存在少量侧链和主链的降解,环氧树脂固化胶呈现主链的进一步交联,而丙烯酸树脂固化胶辐照前后的性能几乎没有变化。  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号