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以共振能级的透射系数半峰宽(FWHM)做为共振隧穿二极管(RTD)材料结构设计的依据,对GaAs/AlAs/In0.1Ga0.9As材料体系的RTD进行了设计.用分子束外延(MBE)进行了RTD结构材料制备,X射线双晶衍射(XRD)分析表明,制备的异质结界面光滑、层厚准确.RTD采用台面结构,器件特性测试结果表明,峰值... 相似文献
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