分子振动态及其跃迁的激光相干控制

讨论了激光合成相干叠加态的原理及其性质 ,针对 XY2 型分子 ,证明了合成局域模振动的可行性 ,然后给出相干叠加态的跃迁几率特征 ,发现它仍表现出相干的特性 ,对之进行分析研究表明 ,分子的振动态具有可控性 ,态跃迁几率具有可控性。     

几种新型的光电器件

描述用ＳＯＩ技术制造的光耦合ＭＯＳ继电器和多量子阱长波和红外探测器，以及集成异质结晶体管和激光二管于一体的高增益，高灵敏的光电子开关器件，文中着重介绍这些器件的结构，制造工和器件特性，并对其进行了讨论。     

简并量子拍频三能级系统中的光场压缩效应

本文讨论了V-型简并量子拍频三能级原子与单模相干辐射场相互作用时的动力学行为，并研究了光场的压缩效应。     

抛物形量子阱的共振隧穿

文中通过求解薛定谔方程得到抛物型形量子阱的变换矩阵与透射系数。利用这一结果计算透射系数可以达到任意高的精度，最后，讨论了结构变化对抛物型量子阱的共振隧穿的影响。     

新型结构的1.3μmGexSi1—x／SiMQW波导探测器的优化设计

本首次提出了一种新型的环形ＧｅｘＳｉ１－ｘ／Ｓｉ波导探测器结构，器件的主体由３μｍ宽的环形波导构成，器件的输入端是８μｍ宽的波导，这两部分通过劈形波导过渡连接，各部分经过优化设计，可以同时实现高的耦合效率和高内量子效率，对于器件的材料结构，电学和光学特性进行了仔细的分析与设计，结果表明，优化设计的器件其外量子效率可达２８％，比已经报道的直波导探测器的外量子效率提高２－３倍，而上升下降时间仍然保持     

应变In0.20 Ga0.80As／GaAs单量子阱结构的光谱研究

报道了用光致发光光谱，吸收光谱和光电流谱研究具有相同组伊阱宽，不同覆盖层厚度的应变Ｉｎ０．２０Ｇａ０．８０Ａｓ／ＧａＡｓ单量子阱结构的实验结果，结果理论计算，观察到ＧａＡｓ覆盖层厚度对单量子阱结构的材料质量，应力驰豫和发光淬灭机制的影响，确定了各样品应变值和导带不连续因子Ｑｃ，并讨论了这种结构发光机制。     

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The Journal of Semiconductorspublishes articles that emphasize semiconductor physics,materials,devices,circuits,and related technology.Authors submitting a paper to the journal should note the following:     

掺杂InGaAs／InAlAs单量子阱中电子对称态和反对称态磁输运研究

利用变温Hall测量研究了重掺杂InGaAs／InAlAs单量子阱中二维电子气，发现在量子阱中由于存在电子对称态和反对称态导致纵向电阻出现拍频现象。通过分析拍频节点位置，得到电子对称态和反对称态之间的能级间距为4meV。此外，通过迁移率谱方法和多载流子拟合过程研究了不同迁移率电子的浓度和迁移率随温度的变化关系。     

网战风云之黑客

提起黑客这个名词,相信大家一定非常熟悉了,不过什么是真正的黑客?黑客的过往是怎样的?可能很多人就所知甚少了,本期“主题发言”将为大家呈现一个精彩的黑客世界。在动漫栏目中将继续为大家介绍高桥老师的漫画作品,此外还有生动有趣的《ONE PIECE》赏析,如果你是一个动漫迷,那么一定不要错过这些内容哟!最后希望大家将关注的眼球多分一些给“校园主题”,有什么好提议尽管发邮件给我ZXYANDZW@SINA.COM。     

TMN协议的攻击及其分类研究

对TMN协议的攻击进行分析，并从协议应该确保的安全日标，即保密性和认证性入手，结合采用的攻击方法对现有的攻击进行分类。