纳米AlN粉末的制备与烧结

利用低温燃烧合成前驱物制备出平均粒度为100 nm的AlN陶瓷粉末,比较了该粉末的常压烧结和放电等离子烧结的特性.实验表明:以合成的AlN粉末为原料,添加5%(质量比)Y2O3作为烧结助剂,在常压、流动N2气氛下1600℃保温3 h,制备出平均晶粒尺寸为4～8 μm、密度为3.28 g·cm-3的AlN陶瓷;将同样的粉末不加任何烧结助剂,采用SPS技术在1600℃保温4 min,得到密度为3.26 g·cm-3的AlN陶瓷,晶粒度约为1～2μm.     

Ni-Al2O3纳米复合电镀工艺的初步研究

初步研究了复合电镀各工艺条件：电流密度、镀液pH值和温度以及搅拌方式对Al2O3纳米微粒在镍基复合镀层中含量的影响。研究表明：电流密度增大不利于提高镀层中纳米微粒的含量；pH值增大也明显使复合量降低;镀液温度升高，镀层中微粒的复合量随之略有改变；电镀时，加强搅拌或适当改变搅拌方式，可以使复合镀居中的纳米微粒含量提高。还利用扫描电镜及能谱对Ni-Al2O3镀层表面进行了观察与分析。     

浅析颗粒分析中比重计读数校正

通过分析比重计法颗粒分析试验的原理,说明了比重计法读数校正（除弯月面、分散剂校正）的由来,指出了某些土工试验分析软件中存在的重复校正问题.     

“三金”由来

提起中国的信息化建设，人们往往会谈到始于1993年的“三金”(金桥、金卡、金关)工程。这三大信息化工程在一定程度上对中国信息化建设具有开创性意义。1995年至1998年，张棋在当时的它于工业部任计算机与信息化化推进司司长，并震任国家“金桥”工程办公室主任、“金卡”工程办公室主任、“金税”工程办公室主任和全国它于信息系统推广办公室常务副主任等职务，“亲眼看到了中国信息化建设的起步”。     

IGB高性价比存储卡导购

现在买DC的朋友是越来越多了，但当你忙着冲进市场的时候，有没有想过存储卡该如何去选购呢？很多图省事的朋友全权交给JS代理，只要能用、价格和听说的差不多就行。但是要求性价比的朋友该怎么办？当然是自己选择。下面笔者将目前市场上性价比最高的主流存储卡给各位介绍下。[编者按]     

数字家电元器件

ZSP410/ZSP520/ZSP560：缓存DSP核；TrueStore RC7200：90纳米读取通道；CX23885：PCI Express广播解码器；BTG215：移动TV解决方案BTG215。[编者按]     

未来几年信息技术十大重点发展领域

1，集成电路技术 发展重点将集中在SIP（硅IP）重用技术，新一代高性能通用微处理器、SoC芯片系统技术、高密度IC封装技术以及22纳米～45纳米集成电路关键装备等领域。     

随机激光器的最新进展

综述了近年来随机激光器的最新研究结果，包括随机激光产生的机制，随机增益介质的制备方法，随机激光器的激励与发光特性和随机激光理论。最后，介绍了随机激光器的应用前景。