四钛酸钾纤维的反应机制研究

以K2CO3、TiO2为原料,采用混炼-干燥-焙烧工艺制备出四钛酸钾纤维,通过TG—DSC、XRD、SEM等测试手段分析研究了不同TiO2/K2CO3摩尔比时的Ti4O9反应形成机制,实验证明,TiO2／K2CO3摩尔比对纤维的合成有一定的影响,并且用VLS和LS理论对纤维形成给予了解释。     

压电陶瓷变压器材料的研究与发展

从压电变压器材料的角度叙述了:压电变压器材料研究与发展;压电变压器对其材料性能的要求;现有常用的各系列压电陶瓷变压器材料及其特点;今后的发展。     

力电多场鼓包法测定PZT铁电薄膜的横向压电系数

为表征Pb(Zr_(0.52)Ti_(0.48))O_3(PZT)薄膜的横向压电性能,以纯力场鼓包测试模型和铁电薄膜材料压电方程为基础,推导了PZT铁电薄膜的力电耦合鼓包本构模型。采用溶胶-凝胶法制备了PZT铁电薄膜,并通过化学腐蚀法获得PZT薄膜鼓包样品。在外加电压为0~14V的条件下进行鼓包测试。结果表明,在纯力场作用下,PZT薄膜的弹性模量和残余应力分别为91.9GPa和36.2MPa;随着电压从2V变化到14V,PZT薄膜的横向压电系数d31从-28.9pm/V变化到-45.8pm/V。本工作所发展的力电耦合鼓包测试技术及力电耦合鼓包本构模型为评价铁电薄膜材料的横向压电性能提供了一种有效的分析方法。     

高活性锆钛酸铅压电陶瓷粉体的合成及其烧结性能研究

以Pb3O4、ZrO2和TiO2为原料,采用冲击波加载技术合成锆钛酸铅Pb(Zr0.95Ti0.05)O3粉体,并对粉体活性和烧结特性进行XRD和SEM表征,研究结果表明,利用冲击波的高温高压作用可以合成单一钙钛矿相锆钛酸铅粉体,合成粉体产生了细化并存在一定程度的晶格畸变,有利于增强粉体活性,促进了低温活化烧结,也显著地改善了陶瓷的烧结性能,在常压下1200℃烧结150min得到了密度达到7.83g/cm3的锆钛酸铅95/5陶瓷体,比传统固相法制备的粉体烧结温度降低了100℃左右,且得到的陶瓷体晶粒形状、大小均匀。     

AgBr/纳米管钛酸复合材料可见光催化性能研究

以钛酸纳米管为前驱体,通过共沉淀-煅烧的方法制备得到了AgBr/纳米管钛酸复合材料。透射电镜(TEM)和X射线衍射分析(XRD)结果表明,经过不同温度的焙烧,钛酸纳米管的形貌由一维管状逐渐转变为颗粒状,晶体结构也由正交晶系转化为锐钛矿结构;紫外-可见漫反射光谱(UV-Vis DRS)表明,担载的AgBr明显拓展了纳米管钛酸的可见光吸收范围;X射线光电子能谱(XPS)对样品中Ag元素的价态进行了分析,Ag物种主要以Ag+形式存在。以甲基橙(MO)的可见光降解为探针反应,结果表明,当煅烧温度为200℃时,光催化活性最高,MO的降解率在30min内就达到了90%以上;随着煅烧温度的增加,催化活性有逐渐降低的趋势。     

La掺杂SrBi4Ti4O15结构影响研究

通过对La不同掺杂比例SBT的XRD、拉曼光谱测试表明La掺杂对铋层状结构材料SBT的结构没有破坏.随掺杂量增加La取代不同位置,SBT拉曼光谱中270cm-1峰和550cm-1峰先宽化然后逐渐锐化,314cm-1肩峰锐化,870cm-1峰没有太大的变化.La掺杂进入类钙钛矿层对邻近TiO6八面体振动影响更大.     

Na0.5Bi2.5Nb2O9-Na0.5Bi4.5Ti4O15材料的微观结构及电性能

采用固相烧结法制备了铋层结构铁电材料(1-x)Na0.5Bi2.5Nb₂O₉-xNa0.5Bi4.5Ti₄O₁₅(NBNO-NBT-x)。结合XRD、SEM以及电子能谱分析推测NBNO-NBT-0.5陶瓷主要为2-4层的共生结构NaBi₇Ti₄Nb₂O₂₄,由Na0.5Bi2.5Nb₂O₉和Na0.5Bi4.5-Ti₄O₁₅沿c轴交替排列。晶格结构的不对称性增加导致晶格应力增大,而NBNO和NBT两种单体系的复合将进一步加大离子无序和结构无序,从而使该组成的陶瓷表现出不同于两种单体系的微观结构和电性能。NBNO-NBT-0.5陶瓷的晶粒长度大于20 μm,厚度小于2 μm,晶粒长径比明显高于NBNO和NBT;而相比于两种单体其居里温度TC降低,居里峰宽化,高温介电损耗增大,电导激活能减小,铁电、压电性能降低。     

Y3+掺杂Li4Ti5O12负极材料的电荷输运特性及电化学性能研究

以Li₂CO₃与锐钛矿型TiO₂为原料,六水合硝酸钇（Y（NO₃）₃·6H₂O）为钇源,采用球磨辅助固相法合成了Li₄Ti_5-xY_xO₁₂（x=0,0.05,0.10,0.15,0.20）负极材料。通过X射线衍射分析（XRD）、扫描电镜（SEM）、能谱仪（EDS）与X射线光电子能谱（XPS）分别对材料的物相与形貌进行表征分析,并利用电化学工作站对材料的电化学性能与电荷输运特性进行测试。结果表明,Y³⁺掺杂没有影响尖晶石型Li₄Ti₅O₁₂（LTO）材料的尖晶石结构,x=0.15时,Li₄Ti_4.85Y_0.15O₁₂样品的离子与电子电导率分别为2.68×10^-7 S·cm^-1和1.49×10^-9 S·cm^-1,比本征材料提升了1个数量级,表现出良好的电荷输运特性。电化学测试表明,Li₄Ti_4.85Y_0.15O₁₂样品在0.1 C倍率首次放电比容量可达171 mAh·g^-1,且在10 C与20 C高倍率下仍然拥有102 mAh·g^-1和79 mAh·g^-1的较高比容量,循环200周次后容量保持率分别为92.6%和89.1%,表现出良好的倍率特性。     

磷铝酸盐玻璃中铋离子近红外发光与光学碱度反常现象

研究了铋离子掺杂磷铝酸盐玻璃近红外发光与光学碱度的反常现象. 研究发现, 通过改变碱金属离子半径调节玻璃基质光学碱度, 在808 nm激光激发下铋离子位于1300 nm波段的近红外宽带发光强度随光学碱度的增大而增强, 而在690 nm激光激发下得到的1100 nm波段近红外发光强度则随着光学碱度的增大而减弱. 该玻璃1300 nm波段近红外发光强度与光学碱度依存关系与以往报道结果相反, 且也与1100 nm波段发光特性相反. 根据上述结果可以推测玻璃中1100和1300 nm波段的近红外发光源于不同价态的铋离子, 而该玻璃体系的基质结构自还原作用是导致上述现象产生的主要原因.     

溶胶凝胶法制备NiO掺杂CaCu3Ti4O12薄膜（英文）

用溶胶凝胶法制备纯CaCu3Ti4O12(CCTO)薄膜以及NiO掺杂CaCu3-x Nix Ti4O12(CCNTO)薄膜(x=0.10、0.20、0.30),研究了掺杂NiO对CCTO介电性能以及微观结构的影响。通过AFM图片可以看出,掺杂NiO的CCTO薄膜的晶粒尺寸比不掺杂NiO的CCTO薄膜的晶粒尺寸小。当x=0.2时,CCNTO薄膜的漏电流最小,最小值为0.546 mA,同时具有最大阈值电压与最大非线性系数,最大值分别为81 V/mm和1.9。当Ni掺杂量达到一定程度时,CCNTO薄膜的介电常数就会增加,总体来说,随着Ni的掺杂量增加,CCNTO薄膜的介电损耗呈上升趋势。