中央电视台‘96春节联欢晚会三地互传共演直播系统介绍

中央电视台’９６春节联欢晚会三地互传共演直播系统介绍中央电视台１前言１９９６年春节，中央电视台和上海东方电视台、陕西电视台，经过精心策划、精心组织，第一次采用三地互传共演直播方式，播出了’９６春节联欢晚会（一套），并取得了圆满成功。晚会技术方案的制定...     

工业还原NS—掺杂蓝钨过程中掺杂剂相的形成和结合

本文叙述了用于生产具有不下垂性能的细钨丝的ＮＳ－掺杂蓝钨工业还原过程中掺杂剂相的形成和结合。在还原过程中结合适量的掺杂剂是钾残留在烧结锭中的基本保证，钾能在丝材制造中形成钾泡串，使在随后的的灯丝工作时形成大晶联锁微结构，而这是不下垂特性的关键所在。本文的第一部分讨论了金属钨粉的工业生产方法。虽然掺杂Ｋ、Ａｌ、Ｓｉ的钨粉的生产方法与末掺杂的钨粉的生产方法基本相同，但仍有一些特别的区别要介绍。本文分析     

掺氧化镧钼丝的再结晶

研究了掺Ｌａ２Ｏ３钼丝的再结晶机制。直径１ｍｍ试样在不同温度下退火１小时。用透射电镜测亚结构。包括高密度位错和细颗粒在内的亚晶结构在大约１６５０℃以下是稳定的。在１８００℃退火，沿加工方向部分地生长了高长宽比的大晶，虽然还同时保留着由位错构成的亚晶。而且，由于第二相质点的钉轧作用，粗晶内的位错尚未完全消失。相反，在２０００℃退火，整根丝内都形成了长晶粒组织。可以得出结论，晶粒粗化的原因是，包含位错     

高温退火硅单晶中氧和氮杂质性质

利用低温红外光谱技术（８Ｋ），研究了微氮硅单晶中氧和氮杂质在高温１３００℃退火时的性质，实验指出，在此高温退火时，硅单晶中的原生氮－氧复合体被逐渐分解，氮杂质以很高的扩散速率，迅速外扩散     

微氮硅单晶中新施主的形成特性

借助于电学测量和低温（８Ｋ）红外分析技术，研究了微氮硅单晶中新施主的形成特性在６５０℃长时间热处理后，微氮硅单晶不产生新施主，其中氮破坏了新施主的可能形核中心低温４５０℃预退火能促进新施主生成，而高温１０５０℃预退火样品则同样没有新施主生成．     

掺锗CZSi中光致发光谱的研究

本文研究了掺有不同浓度锗的直拉硅在温度３５０℃－５５０℃等时退火后的光致发光谱。结果发现：杂质锗使硅材料的本征激光峰强的增加，ＰＬ谱随着锗浓度的增加，峰位向低能端移动，ＰＬ峰变宽。     

纳米微粒作为电池活性材料的前景

介绍了用溶胶凝胶法、微乳法、低热固相反应法制备纳米级电池活性材料——如MnO_2、Ni(OH)_2、Bi—MnO_2、LiCoO_2以及这些纳米材料的充放电性能。数据表明,一般来说这些纳米材料本身的放电容量并不比相应的常规粒径材料好,但若与常规粒径材料混合,则存在一个最佳混合配比,可大大提高其放电容量。因而纳米材料有可能成为有前景的电池活性材料。     

缓冲层材料对纤锌矿结构GaN(0001)光电发射性能的影响研究

利用金属有机物化学气相沉积技术在蓝宝石衬底上异质外延生长了GaN光电发射层,为降低GaN发射层和蓝宝石衬底间的晶格失配与热失配,在蓝宝石衬底和GaN发射层间分别采用了AlN和AlxGa1-xN两种不同的缓冲层材料。对具有不同缓冲层材料的两种样品进行了表面清洗与激活,在激活结束后利用多信息量测试系统分别测试了样品的光谱响应,其最大量子效率分别为13%和20%,依据激活后光电阴极的光谱响应作为评估标准,可以得出,采用组份渐变AlxGa1-xN作为缓冲层激活出的阴极具有更高的光电发射性能,从而实现了GaN光电阴极结构的优化设计。     

微波毫米波多芯片模块三维互联与封装技术

微波毫米波固态有源相控阵天线在通信、雷达和导航等电子装备中得到广泛应用,三维互联与封装技术是研制小型化、高集成和高可靠有源相控阵天线的微波毫米波多芯片模块(MMCM)的关键技术。通过开展三维多层多芯片热布局优化设计,使MMCM 温度分布均匀,保证三维MMCM 可靠工作。通过研发含有双面高精度腔体的低温共烧陶瓷(LTCC)多层电路基板,并采用球栅阵列(Ball Grid Array, BGA)和毛纽扣微波毫米波垂直互联工艺、激光密封焊接工艺,研制出小型化、高性能和高可靠性的三维微波毫米波多芯片模块,满足新一代微波毫米波相控阵天线技术要求。