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钴氧化物材料物理参数对ZnO压敏电阻器性能的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
本文阐述了钴氧化物材料物理参数对ZnO压敏电阻器性能的影响。通过对不同厂家、不同批次的钴氧化物进行包括X光衍射、电子显微观察、原子光谱、比表面积、颗粒度分布的全面对比分析,发现国内大多数标志为Co_2O_3的试剂均为Co_3O_4;在相同的配方、工艺条件下仅由于Co_3O_4的生产厂家或批次不同而引起ZnO压敏电阻器性能巨大差异的内在根源之一是这些Co_3O_4的晶粒太大。对其原因进行了理论探讨。还对用于ZnO压敏电阻器的Co_3O_4材料物理参数提出了明确的要求。 相似文献
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λ-MnO2的结构与电性能研究 总被引:3,自引:0,他引:3
采用酸处理LiMn2O4的方法来制备λ-MnO2,并用X-射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和恒电流充放电测试等方法对所得λ-MnO2的结构和电性能进行了研究。研究结果表明,所得λ-MnO2具有尖晶石型结构,晶粒细小,形貌较规则,粒径分布均匀;以其为正极组装成Li/MnO2电池的放电比容量达到226mAh/g。 相似文献
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氧化物共还原制取W-Cu和Mo-Cu复合材料的研究 总被引:3,自引:0,他引:3
近些年来,国内外研究了一些制备高分散度W/Cu和Mo/Cu复合粉末的方法,高分散度的粉末具有高的烧结致密度,用氧化物共还原粉末可在较低温度下进行烧结得到接近和达到100%的理论密度。这样的复合材料有细而均匀的组织和较好的性能。本文报道近来的研究状况,并就共还原法所用的前驱体原料种类、工艺条件、粉末特性和复合材料的性能进行评述。 相似文献
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FeMnSi基合金中层错几率的X衍射线形分析法测定 总被引:3,自引:0,他引:3
堆垛层错是一种对金属、合金的相变某些性质有重要影响的晶体缺陷。用X射线衍射线形分析法可以测定金属合金中的层错几率。本文采用近似函数和付立叶分析法测定了FeMnSi基形状记忆合金中的层错几率,得到了有规律地结果;同时,将两种方法所得的数据进行了比较,并讨论了近似函数的选择和工具线宽以错几率计算结果的影响。 相似文献