双机架可逆冷轧机张力控制系统的研究

文章针对双机架可逆冷轧机的特点和轧制工艺要求,采用间接张力与直接张力复合控制法以实现卷取恒张力控制;提出了机架间张力控制系统的组成,描述了两种调张法的控制原理与实现方法.     

电吸收调制器产生光脉冲的波形和啁啾的测量

利用条纹分辨二次谐波相关法,对电吸收调制器产生的光脉冲进行了测量.在不假定光脉冲波形情况下,通过迭代计算,重建光脉冲的波形和位相.在2.5GHz微波调制下测量得到,电吸收调制器产生的光脉冲半极大全宽为30.8ps,波形接近sech2型,频率啁啾约3.8GHz.     

三次谐波检测无刷直流电机转子位置的研究

论述了一种用三次谐波检测转子位置的新方法。与传统的反电动势法检测转子位置相比较，三次谐波法实现简单，可检测速度范围更宽，不需要深度滤波。文中抛弃了将三次谐波直接输入DSPA／D口的传统做法，而是将反映三次谐波相位信息的方波输入DSP的I／O口，利用DSP强大的数据处理功能，提出了用软件实现数字锁相功能和对换相时刻的准确估计，去除了传统的硬件积分方法；提出用模拟相电压代替传统的端电压作为辅助检测信号；从而简化了硬件电路，提高了转子位置估计的精度和可靠性。实际试验表明，这种方法能够准确而快速的估计转子位置，动静态特性良好，整个系统结构紧凑，可靠性高。     

基于二元线性回归的谐波发射水平估计方法

区分电力系统中系统侧与用户侧谐波发射水平十分必要。该文提出了基于二元线性回归的系统谐波阻抗及用户谐波发射水平的估算方法。根据此方法，利用在公共联接点测量的各次谐波的电压和电流信号，运用二元线性回归统计可得到系统侧的谐波阻抗，进而计算出用户侧谐波发射水平。相对于“双线性回归法”忽略电阻分量，该文提出的方法能够估计出谐波复阻抗中实部与虚部，更为合理。通过对实验电路仿真分析以及实测数据的分析结果，并对比“波动法”的计算结果，验证了其有效性。     

UPS并联系统的SPWM再调制控制技术研究

在全数字化并联UPS系统中，由于定时器的最小时基的限制，系统的同步控制精度低。该文提出了一种简单实用的基于再调制SPWM的数字同步控制策略。文中给出了几种SPWM再调制的实现方案，并对比分析了其调节精度和谐波特性。对采用再调制SPWM控制的并联UPS系统进行了数字仿真和实验研究，最后与未采用再调制SPWM控制的系统进行了对比分析。仿真和实验结果表明再调制SPWM控制策略大大提高了系统的同步控制精度，保证了并联UPS系统的稳定运行，较好地抑制了UPS模块间的环流。     

直流侧APF主电路参数与补偿性能的关系

直流侧有源电力滤波器并联在整流桥的直流侧，对整流类负载进行谐波治理有很大的技术优势。主电路参数不仅决定系统能否正常工作，而且影响系统的补偿性能，还影响整个系统的成本。文中讨论了直流侧有源电力滤波器主电路的主要参数(电感L、直流侧储能电容C)以及电容电压Uc及其波动范围与补偿性能之间的关系，并给出了参数选取标准。为直流侧有源电力滤波器主电路的设计提供了理论依据。用文中提出的参数设计标准，设计并调试了一台试验样机，试验结果证明了文中理论分析的正确性。     

高效全固化钛宝石腔内倍频蓝光和四倍频紫外激光器的研究

用半导体抽运的Q开关YLF倍频激光器抽运钛宝石晶体，在平凹腔内加入组合的石英双折射滤光片压缩线宽，用LBO晶体腔内激发二次谐波，聚焦到BBO上产生四次谐波深紫外光。在抽运功率3．8w时，输出610mW．416nm蓝光。用长焦距的透镜聚焦二次谐波．得到64mW，208nm的紫外激光。基频光的谱线宽度是决定倍频效率的关键因素。实验观察到激光器的频谱宽度与双折射滤光片的带宽有一个数量级的差别，考虑到模式竞争和增益饱和效应，数值模拟了加入双折射滤光片后的钛宝石激光器的实际线宽，结果与实验中测量的数据基本一致。实验还分析了基频光的线宽对二次谐波效率的影响、二次谐波的线宽对四次谐波效率的影响、基频光的波长对四次谐波激发效率的影响。     

干摩擦LQ控制系统在简谐激励下响应的递推算法

本在用增量谐波平衡法求解系统响应和用子结构法求解Riccati方程的基础上，进一步研究了单自由度含有粘性阻尼双线性滞迟恢复力LQ控制系统在简谐激励下的响应计算问题，并给出相应算例，为干摩擦系统在工程中的应用提供了理论依据。     

达芬-谐波振子的改进解析逼近解

研究达芬-谐波振子的解析逼近解。所谓达芬-谐波振子是指当位移远小于1时，系统可化为三次非线性振子，而当位移远大于1时，该系统则化为线性谐波振子。通过将变形后的控制方程的线性化与谐波平衡法组合起来，我们建立了达芬-谐波振子频率及周期解的改进解板逼近。改进的解析逼近在振幅的全部取值范围内，包括振幅趋于零及无穷的情况，都有令人非常满意的精度。     

应用VMOSFET的匝间耐压试验仪的研制

针对直流电机制造过程中电枢绕组的静态匝间耐压试验，提出了一种应用VMOS场效应管作为放电器件的试验方法，并基于此研制了实用的匝间耐压试验仪。