全文获取类型
收费全文 | 52096篇 |
免费 | 3316篇 |
国内免费 | 2228篇 |
专业分类
电工技术 | 3742篇 |
技术理论 | 1篇 |
综合类 | 3833篇 |
化学工业 | 7443篇 |
金属工艺 | 2446篇 |
机械仪表 | 2169篇 |
建筑科学 | 4672篇 |
矿业工程 | 3747篇 |
能源动力 | 1773篇 |
轻工业 | 7550篇 |
水利工程 | 2173篇 |
石油天然气 | 2286篇 |
武器工业 | 383篇 |
无线电 | 4027篇 |
一般工业技术 | 3721篇 |
冶金工业 | 3865篇 |
原子能技术 | 776篇 |
自动化技术 | 3033篇 |
出版年
2024年 | 381篇 |
2023年 | 1365篇 |
2022年 | 1871篇 |
2021年 | 1865篇 |
2020年 | 1539篇 |
2019年 | 1722篇 |
2018年 | 910篇 |
2017年 | 1337篇 |
2016年 | 1533篇 |
2015年 | 1890篇 |
2014年 | 3367篇 |
2013年 | 2708篇 |
2012年 | 3086篇 |
2011年 | 3088篇 |
2010年 | 2692篇 |
2009年 | 2660篇 |
2008年 | 3540篇 |
2007年 | 2661篇 |
2006年 | 2269篇 |
2005年 | 2405篇 |
2004年 | 2357篇 |
2003年 | 1639篇 |
2002年 | 1320篇 |
2001年 | 1265篇 |
2000年 | 1170篇 |
1999年 | 920篇 |
1998年 | 858篇 |
1997年 | 808篇 |
1996年 | 722篇 |
1995年 | 709篇 |
1994年 | 632篇 |
1993年 | 518篇 |
1992年 | 440篇 |
1991年 | 389篇 |
1990年 | 348篇 |
1989年 | 333篇 |
1988年 | 68篇 |
1987年 | 56篇 |
1986年 | 55篇 |
1985年 | 26篇 |
1984年 | 33篇 |
1983年 | 33篇 |
1982年 | 24篇 |
1981年 | 8篇 |
1980年 | 10篇 |
1979年 | 2篇 |
1965年 | 3篇 |
1959年 | 2篇 |
1957年 | 1篇 |
1951年 | 1篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 312 毫秒
41.
半导体芯片的检测是芯片生产企业生产过程中的重要环节,芯片在检测过程中,由于圆形硅片的结构特点而造成的漏测又是困扰芯片生产企业不可小视的实际问题。本文介绍了利用双探边器解决由于硅圆片结构所造成的漏测的有效办法及具体操作方法。 相似文献
42.
万民兵 《印刷质量与标准化》2006,(12):64-65
怎样提高设备利用率是一个“经久不衰”的话题,也是印刷厂特别是书刊印刷厂讨论的重点。书刊印刷厂由于印刷业务的季节性强,导致一方面在生产旺季,业务饱和、设备超负荷运转,甚至几个月设备得不到检修和保养;另一方面在淡季,设备开机率严重不足.绝大部分设备闲置。引起的后果是要么设备因为连续工作得不到保养而提前老化、性能降低和经济效益不好;要么职工收入低,人员不稳定。怎样解决好这一问题呢?笔者从三个方面谈谈自己的观点。 相似文献
43.
石阡县有两个乡镇打电话反映,停电后收不到中央台加密频道节目,但能收到少儿频道节目。因为两处同时出现该故障,首先怀疑是上行站停送信号或者是没有缴费而停送信号,经了解以上两处并不欠费。重新调接收机(银科),该接收机面板是锁定的,按左右、上下键两次均可解锁,将下行频率调 相似文献
44.
慢光 《激光与光电子学进展》2006,43(9):10-10
Omicron的新型二极管激光器,Deepstar,几乎拥有无限的调制能力,即使很高的调制率下,在调制“关闭”阶段也不会露出残余荧光。 相似文献
45.
46.
建筑工程的混凝土技术正在向高强度、大流动性的方向发展,但是伴随着高强及大流动性的混凝土的发展,其水化热、收缩率等一系列问题也更加突出。对于大体积混凝土,防止大体积混凝土由于水化热过高产生混凝土收缩,就必须从材料、配合比及施工等多方面因素采取措施。本文阐述三峡工程为降低大体积混凝土水化热,进行管槽底部泵送混凝土配合比优化设计采取的措施及配合比优化后的温控效益和经济效益。 相似文献
47.
48.
49.
对 MTJ(磁隧道结 )的 GMR(巨磁阻 )效应进行了分析。 MTJ的结构、形态和工作条件会对 GMR效应产生不同的影响。提出了一种 4× 1位 MTJMRAM(磁存储器 )的电路结构 ,每个 MRAM的存储单元由一个MTJ和一个 MOSFET构成 ,用 MTJ两磁极磁化方向的相对取向表示所存储的数据 ,数字线和位线电流产生磁场的共同作用可完成 MRAM数据的写入。 相似文献
50.