阶梯浅沟槽隔离结构LDMOS耐压机理的研究

提出了一种具有阶梯浅沟槽隔离结构的LDMOS.阶梯浅沟槽结构增加了漂移区的有效长度,改善了表面电场及电流的分布,从而提高了器件的击穿电压.借助器件模拟软件Silvaco对沟槽深度、栅长及掺杂浓度等工艺参数进行了优化设计.结果表明,在保证器件面积不变的条件下,新结构较单层浅沟槽隔离结构LDMOS击穿电压提升36%以上,而导通电阻降低14%.     

高档酒店建筑声学设计

高档酒店对建筑声学要求较高,且内容多而复杂.针对高档酒店在建声设计时需要重点关注的内容,从隔声设计、机电设备隔振设计、室内音质设计三个方面进行了探讨,并对声学设计中应当注意的问题进行了重点介绍,可供酒店声学工程实践参考.     

3000V 10A 4H-SiC结型场效应晶体管的设计与制造

介绍了一种常开型高压4H-SiC JFET的仿真与制造工艺。通过仿真对器件结构和加工工艺进行优化,指导下一步的工艺改进。在N+型4H-SiC衬底上生长掺杂浓度(ND)为1.0×1015 cm-3,厚度为50μm的N-外延层,并采用本实验室开发的SiC JFET工艺进行了器件工艺加工。通过测试,当栅极偏压VG=-6V时,研制的SiC JFET可以阻断3 000V电压;当栅极偏压VG=7V、漏极电压VD=3V时,正向漏极电流大于10A,对应的电流密度为100A/cm2。     

一种有强健的续流开关的新型槽栅逆导IGBT

The phenomenon that the wide P-emitter region in the conventional reverse conducting insulated gate bipolar transistor （RC-IGBT） results in the non-uniform current distribution in the integrated freewheeling diode （FWD）, and then causes a parasitic thyristor to latch-up during its reverse-recovery process, which induces a hot spot in the local region of the device is revealed for the first time. Furthermore, a novel RC-IGBT based on double trench IGBT is proposed. It not only solves the snapback problem but also has uniform current distribution and high ruggedness during the reverse-recovery process.     

光电平台无角位移减振机构运动分析

分析了光电平台的工作环境和角振动对成像质量的影响，应用空间机构学原理和减振理论，设计了一种既具减振功能又能抑制角位移的无角位移减振机构。对减振机构的减振机理及运动特性进行了分析，并利用三维建模软件和MSC．Visual Nastran 4D仿真分析软件对该减振机构进行了三雏实体仿真分析，通过输出的仿真数据及曲线检验无角位移减振原理的正确性。     

罗门哈斯公司依靠能够减少缺陷和研磨液用量的化学机械研磨垫表面沟槽设计，大力拉动市场需求

罗门哈斯电子材料公司（ROH：Rohm and Haas Electronic Materials）宣布．其新型化学机械研磨垫表面沟槽设计能够减少缺陷和研磨液的用量．现已迅速得到全球各地市场的认可。全球各地的客户现在开始采用这些能显著地改善工艺性能的新型表面沟槽设计．以降低缺陷．延长研磨垫的使用寿命,减少化学机械研磨易耗品的总体成本。     

基于捷联惯导的被动隔振测试系统的研究

本文针对捷联惯导系统振动影响精度的问题,提出了被动隔振测试系统,建立了捷联惯组被动隔振的等效模型,通过实验与ANSYS仿真分析,得到被动隔振测试系统有效的抑制了振动,对捷联惯导系统减振有一定的参考价值。     

一种适用于公厕的智能节水装置的研究

提出了一种根据入厕人数调节厕所冲刷次数的、适用于沟槽式公厕的智能节水装置。文章详述该智能节水装置的机械构成、控制原理以及控制系统的组成和原理。本装置已经进行了试用推广,节水效率在60～80%,其不仅经济实用、易安装,而且节水效果好。     

新一代DVD技术集锦

<正> 2001年4月22～25日在美国召开的光媒体国际会议“ODS2001”上,全球重量级光碟开发厂商们再次研讨了各自有关新一代DVD的开发现状。内容涉及碟片结构、薄形覆盖层、记录重放技术和主控方式等方面。1999年7月由激光和电光协会(IEEE/LEOS)、美国光学学会(OSA)、光学工程国际协会(SPIE)和日本应用物理学会(JSAP)共同发起了一个光存储器国际讨论会/光数据存储会议“ISOM/ODS 1999”,第一次公开了400nm青紫激光为旗帜的第二代DVD的概念和开发情况,当时各厂家的技术比较分散。而这次各公     

SF6/O2气氛中SiC ICP刻蚀的微沟槽效应

本文采用SF6 + O2作为刻蚀气体,对单晶6H-SiC 材料的感应耦合等离子体( ICP) 刻蚀工艺进行了研究。着重分析了ICP 功率、偏置电压、气体混合比等工艺参数对微沟槽效应的影响。结果表明,O2的加入对于微沟槽的形成起到了极其重要的作用,微沟槽是加入氧气后形成的SiFxOy中间层的充电造成的。ICP功率与偏置电压的增大会增强微沟槽效应,进一步促进微沟槽的形成,另外入射离子的角度分布也会影响微沟槽的形成.