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提出了一种具有阶梯浅沟槽隔离结构的LDMOS.阶梯浅沟槽结构增加了漂移区的有效长度,改善了表面电场及电流的分布,从而提高了器件的击穿电压.借助器件模拟软件Silvaco对沟槽深度、栅长及掺杂浓度等工艺参数进行了优化设计.结果表明,在保证器件面积不变的条件下,新结构较单层浅沟槽隔离结构LDMOS击穿电压提升36%以上,而导通电阻降低14%. 相似文献
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《固体电子学研究与进展》2016,(3)
介绍了一种常开型高压4H-SiC JFET的仿真与制造工艺。通过仿真对器件结构和加工工艺进行优化,指导下一步的工艺改进。在N+型4H-SiC衬底上生长掺杂浓度(ND)为1.0×1015 cm-3,厚度为50μm的N-外延层,并采用本实验室开发的SiC JFET工艺进行了器件工艺加工。通过测试,当栅极偏压VG=-6V时,研制的SiC JFET可以阻断3 000V电压;当栅极偏压VG=7V、漏极电压VD=3V时,正向漏极电流大于10A,对应的电流密度为100A/cm2。 相似文献
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The phenomenon that the wide P-emitter region in the conventional reverse conducting insulated gate bipolar transistor (RC-IGBT) results in the non-uniform current distribution in the integrated freewheeling diode (FWD), and then causes a parasitic thyristor to latch-up during its reverse-recovery process, which induces a hot spot in the local region of the device is revealed for the first time. Furthermore, a novel RC-IGBT based on double trench IGBT is proposed. It not only solves the snapback problem but also has uniform current distribution and high ruggedness during the reverse-recovery process. 相似文献
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《电子产品可靠性与环境试验》2008,26(5)
罗门哈斯电子材料公司(ROH:Rohm and Haas Electronic Materials)宣布.其新型化学机械研磨垫表面沟槽设计能够减少缺陷和研磨液的用量.现已迅速得到全球各地市场的认可。全球各地的客户现在开始采用这些能显著地改善工艺性能的新型表面沟槽设计.以降低缺陷.延长研磨垫的使用寿命,减少化学机械研磨易耗品的总体成本。 相似文献
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68.
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<正> 2001年4月22~25日在美国召开的光媒体国际会议“ODS2001”上,全球重量级光碟开发厂商们再次研讨了各自有关新一代DVD的开发现状。内容涉及碟片结构、薄形覆盖层、记录重放技术和主控方式等方面。1999年7月由激光和电光协会(IEEE/LEOS)、美国光学学会(OSA)、光学工程国际协会(SPIE)和日本应用物理学会(JSAP)共同发起了一个光存储器国际讨论会/光数据存储会议“ISOM/ODS 1999”,第一次公开了400nm青紫激光为旗帜的第二代DVD的概念和开发情况,当时各厂家的技术比较分散。而这次各公 相似文献
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