全文获取类型
收费全文 | 1292篇 |
免费 | 94篇 |
国内免费 | 137篇 |
专业分类
电工技术 | 162篇 |
综合类 | 69篇 |
化学工业 | 4篇 |
金属工艺 | 7篇 |
机械仪表 | 56篇 |
建筑科学 | 9篇 |
矿业工程 | 11篇 |
能源动力 | 4篇 |
轻工业 | 14篇 |
水利工程 | 3篇 |
石油天然气 | 1篇 |
武器工业 | 14篇 |
无线电 | 900篇 |
一般工业技术 | 67篇 |
冶金工业 | 7篇 |
原子能技术 | 57篇 |
自动化技术 | 138篇 |
出版年
2024年 | 7篇 |
2023年 | 30篇 |
2022年 | 24篇 |
2021年 | 38篇 |
2020年 | 14篇 |
2019年 | 30篇 |
2018年 | 15篇 |
2017年 | 30篇 |
2016年 | 38篇 |
2015年 | 34篇 |
2014年 | 74篇 |
2013年 | 48篇 |
2012年 | 64篇 |
2011年 | 92篇 |
2010年 | 91篇 |
2009年 | 109篇 |
2008年 | 71篇 |
2007年 | 66篇 |
2006年 | 65篇 |
2005年 | 76篇 |
2004年 | 64篇 |
2003年 | 72篇 |
2002年 | 35篇 |
2001年 | 40篇 |
2000年 | 33篇 |
1999年 | 26篇 |
1998年 | 25篇 |
1997年 | 40篇 |
1996年 | 20篇 |
1995年 | 17篇 |
1994年 | 25篇 |
1993年 | 23篇 |
1992年 | 21篇 |
1991年 | 17篇 |
1990年 | 26篇 |
1989年 | 9篇 |
1988年 | 3篇 |
1987年 | 2篇 |
1986年 | 3篇 |
1985年 | 1篇 |
1984年 | 2篇 |
1983年 | 1篇 |
1981年 | 1篇 |
1980年 | 1篇 |
排序方式: 共有1523条查询结果,搜索用时 46 毫秒
51.
本文设计了一种基于光敏三极管的汽车车门防盗报警电路。光敏三极管不受光照时不报警,受光照时报警。该报警电路报警性能好,安装方便,受到人们青睐。 相似文献
52.
53.
我们上一讲说过要输出100VRMS(有效值)以上的推动电压.对于采用电阻负载的三极管单管输出是比较困难的。原因是在提高供电电压后.由于三极管的屏流是随屏压以1,5次方的关系上升的,因此为了使屏流得到控制,而不得不把工作点的栅负压提高。这样负载线(它是电子管工作的轨迹线)的右下端就会和弯曲的特性曲线相交,从而产生明显的失真。 相似文献
54.
《固体电子学研究与进展》2016,(3)
基于沟槽型超结器件结构,研究了超结MOSFET器件的P型杂质的分布对器件性能包括反向击穿电压和雪崩能量的影响。结果表明,通过P型杂质浓度和杂质浓度分布的优化,可以改善器件击穿电压的一致性,提高器件的雪崩击穿能量并改善其均匀性,从而给出了一种提高器件雪崩能量及改善雪崩能量一致性的方案。 相似文献
56.
基于InGaAs/InP雪崩光电二极管的高速单光子探测器雪崩特性研究 总被引:1,自引:0,他引:1
报道了一种基于InGaAs/InP雪崩光电二极管、1.25 GHz正弦波门控及贝塞尔低通滤波器的1.25 GHz高速短波红外单光子探测器.通过调整比较电路的鉴别电平, 实验研究了单光子探测器雪崩信号幅度随反向直流偏压的变化.随着鉴别电平的提高, 单光子探测器的探测效率及暗计数率均呈指数衰减, 而后脉冲概率先增大到一个峰值, 然后减小.研究表明, 为获得更高的性能, 需要尽量降低单光子探测器的鉴别电平. 相似文献
57.
提出了一种基于0.35μm CMOS工艺的、具有p+/n阱二极管结构的雪崩光电二极管(APD),器件引入了p阱保护环结构.采用silvaco软件对CMOS-APD器件的关键性能指标进行了仿真分析.仿真结果表明:p阱保护环的应用,明显降低了击穿电压下pn结边缘电场强度,避免了器件的提前击穿.CMOS APD器件的击穿电压为9.2V,工作电压下响应率为0.65 A/W,最大内部量子效率达到90%以上,响应速度能够达到6.3 GHz,在400~900 nm波长范围内,能够得到很大的响应度. 相似文献
58.
重点研究了InGaAs/InP SPAD的隧道贯穿电场、雪崩击穿电场、雪崩宽度与过偏电压的关系,提出了过偏电压的计算方法.分析了InGaAs/InP SPAD的基本特性即探测效率、暗计数率与其过偏电压、工作温度、量子效率、电场分布的依赖关系,提出了一种单光子InGaAs雪崩二极管的设计方法.设计制作了InGaAs/InP SPAD,并在门控淬灭模式下进行了单光子探测实验.结果表明:对于200m的SPAD,在过偏2 V、温度-40 ℃条件下,探测效率(PDE) 20%(1 550 nm)、暗计数率(DCR)20 kHz;对于50m的SPAD,在过偏2.5 V、温度-40 ℃条件下,探测效率(PDE) 23%(1 550 nm)、暗计数率(DCR)2 kHz.最后对实验结果进行了分析和讨论. 相似文献
59.
室内可见光无线通信技术是随着白光LED 照明技术的发展而兴起的无线光通信技术。在分析目前的可见光通信技术基础上,针对室内可见光通信系统的应用需求,设计了雪崩光电二极管(APD)探测电路组件。首先阐述了APD 探测电路的工作原理,其次详细设计并分析了系统各组成部分的电路结构及其功能,最后对所设计的用于室内可见光通信接收子系统的探测组件进行了相关实验测试。实验结果表明:设计有效可行,APD 探测电路具有增益高、带宽宽、温控可靠、稳定性好等优点,对室内可见光通信系统有很好的应用价值,为室内可见光通信系统进一步研究提供依据。 相似文献
60.
利用传输矩阵法设计了空气与基本膜系之间具 有3个周期减反膜结构的日盲紫外探测器滤波膜系,并利用半导体 器件仿真软件Atlas分析集成了滤波膜系的GaN/AlGaN异质结雪崩光电探测器(APDs)的光 电性能。研究结果表明,相对 无减反射膜的滤波膜系,本文设计的膜系明显提高了光在日盲区的透过率及截止区的反射率 ,使GaN/AlGaN APDs有更 加平滑的光谱响应曲线、更大的响应度、更陡峭的响应截止边频及更好的滤波性能;同时, GaN/AlGaN APDs比传统AlGaN APDs 更有利于光生空穴的注入,使GaN/AlGaN APDs的最大光谱响应度及紫外/可见抑制比较传统的 APDs提高超过300%。 相似文献