平面型APD抑制边缘击穿的方法研究

雪崩光电二极管(APD)作为一种具有内部增益的光电探测器,被广泛地应用于光纤通信领域,其中平面型APD具有暗电流低、可靠性高等优点而被大量研究。但是平面型APD边缘处由于高电场易被提前击穿,影响器件性能。文章对抑制平面型APD边缘击穿的不同方法进行了综述,指出它们的结构差别,并重点介绍保护环法的原理及保护环各个参数的优化。     

基于C8051F005无人驾驶系统的设计

智能汽车是本世纪的新型交通工具，可以实现自动发现前方障碍物后主动避让，在陌生地区可以自动导航引路，甚至自动驾驶等功能。介绍了基于C8051F005单片机的嵌入式系统在无人驾驶车辆中应用的工作原理，设计方法，给出了紊统框图并讨论了工作过程，包括超声波测距自动避障电路，光电耦合器检测路面标记实现自动变速行驶电路。     

一种新型雪崩监测预警系统

伴随着全球气候变暖,冰冻圈雪崩灾害潜在风险逐渐增加,雪崩灾害已受到社会各界的广泛关注。雪崩摧毁森林和度假胜地,会给当地的旅游经济造成非常大的影响,大型雪崩会掩埋山下居民的房屋,甚至活埋当地居民。由此可见,对雪崩的监测和预警显得尤为重要。本文介绍了一种基于陀螺仪传感器和GPS的新型监测预警系统,可以有效的对雪崩进行监测和预警。     

一类CI-SAC(k)布尔函数的存在性及其构造

相关免疫且满足k阶严格雪崩准则的布尔函数称为Cl…SAC(k)函数.本文利用特征矩阵给出一类n+k+l元布尔函数为平衡且代数次数达到最大的CI-SAC(k)函数的一个充分必要条件,也就通过特征矩阵给出了具有这类“综合优良性”的布尔函数的一种简单易行的构造方法。     

带有固定压降APD电流监视器的新型75V升压型DC／DC转换器

美国凌力尔特公司（Linear Technology Corporation）推出具有集成高端雪崩光电二极管（APD）电流监视器的固定频率、电流模式升压型DC／DC转换器LT3571芯片。该器件能从2．7～20V的输入范围提供高达75V的输出电压．因此非常适用于多种光纤的应用。     

5998A单管推挽功率放大器

5998A为低内阻双三极功率电子管,单只三极管的功牦为15W,它的特性与6N5P、6AS7、6080等双三极功率电子管相近。由该管组成的双声道单管推挽功率放大器的音质清澄通透、保真度高、低齿浑博、高音纤细明亮,而且悦耳动听,其输出功率为11W×2。     

基于APD面阵探测器的非扫描激光主动成像雷达

为了获得目标区域的高精度3-D距离图像,采用自研带读出电路的雪崩光电二极管（APD）面阵探测器组件,研制了一台非扫描激光主动成像雷达。雷达采用波长1.064μm脉冲激光泛光照射目标区域,APD面阵探测器组件接收目标漫反射激光回波信号,经信息处理获得目标区域3-D距离图像,对典型目标开展了3-D成像实验研究。结果表明,所研制的非扫描激光主动成像雷达可获得较好的目标区域3-D距离图像,成像距离达1.2km,距离分辨率为0.45m,成像帧频为20Hz。基于APD面阵探测器组件的非扫描激光主动成像雷达技术取得突破。     

硅PiN管的雪崩击穿的修正

硅PiN结构在工业产品中有多种应用,是多种二极管的基本结构。本文分析了该结构的雪崩击穿特性,推导得到一个适合于PiN结构的突变结雪崩击穿电压公式。该解析式能估算器件杂质分布为单边突变结、双边突变结和PiN结构的雪崩击穿电压,修正了以往解析式中i层宽度为零时,击穿电压为零的错误结论。该解析式对于PiN管的器件物理分析、工艺结构的优化和产品流水线的监控是有用的。     

高速InP/InGaAs雪崩光电二极管

采用分层吸收渐变电荷倍增(SAGCM)结构,通过两次扩散、多层介质淀积、AuZn p型欧姆接触、AuGeNi n型欧姆接触等工艺,设计制造了正面入射平面InP/InGaAs雪崩光电二极管,器件利用InGaAs做吸收层,InP做增益层,光敏面直径50 μm;测试结果表明器件有正常的光响应特性,击穿电压32～42 V,在低于击穿电压2 V左右可以得到大约10A/W的光响应度,在0到小于击穿电压1 V的偏压范围内,暗电流只有1 nA左右;器件在2.7 GHz以下有平坦的增益.     

恒流二极管的扩流及调光

恒流二极管(CRD)可以通过多个并联的方法来实现扩大输出电流,但在要求输出电流较大时(如350mA),则需要并联的CRD数量太多,这不仅造成占PCB的面积大,而且会增加生产成本.本文介绍一种CRD扩流电器,电路较简单,有较好的恒流精度,并且有调光功能.另外,本文还介绍一种可采用PWM信号来调节CRD驱动LED电路的通断...