非接触式全场三维激光ESPI与Shearography(NDT)测试技术

本文介绍最新激光电子散斑干涉技术ESPI与Shearography激光错位检测技术的基本原理及其应用.该技术足近十年间发展起来的最新的光测技术,它们的特点是非接触式全场三维测试,适用于新材料研究、电子元器件与构件的力学性能试验、振动测试及无损检测.国外的应用表明,ESPI技术可以提供快速、全场、三维的测试信息,能解决许多目前电测方法所不能解决的复杂问题,是目前具有广泛工程应用前景的先进的光测技术.     

用CMOS工艺实现非接触IC卡天线的集成化设计

论述了用CMOS工艺实现非接触式IC卡天线的集成化需要考虑的各个方面,建立了集成天线的模型,给出了合理的设计方案,并通过实验验证了模型和设计方案.实验结果表明,采用片上天线完全可以提供非接触式IC卡工作所需要的能量.在频率为2 2 .5 MHz、感应强度为6×10 - 4 T的磁场中,面积为2 m m×2 mm的集成天线可以为10 kΩ的负载提供1.2 2 5 m W的能量.     

新一代电话系统的三层体系结构研究

文章针对新一代电话系统存在的问题提出了由H.323Zone,IPTel Zone和PZK zone组成的三层体系结构，而IPTel Zone和PZK Zone是本文从实际应用出发新提出来的体系层次。该体系结构根据IP网络的分布性和扩展性提供了新一代电话业务的运营平台，为解决安全问题和QoS服务问题打下了基础。     

X射线光刻掩模背面刻蚀过程中的形变仿真

开发了理论模型以验证有限元方法用于X射线光刻掩模刻蚀过程数值仿真的正确性。利用相同的有限元技术，对X射线光刻掩模的背面开窗、Si片刻蚀过程进行数值仿真。结果表明，图形区域的最大平面内形变(IPD)出现在上、下边缘处，最大非平面形变(OPD)出现在左、右边缘处。此外对Si片单载荷步刻蚀和多载荷步刻蚀的仿真进行比较，结果表明图形区域最终的形变量与Si片刻蚀的过程无关。     

基于B/S架构的口岸管理信息系统设计与实现

为了对口岸管理进行微机化，以微软、NET和水晶报表为开发工具，设计并实现了口岸管理信息系统，同时对实现过程中所遇到的关键技术进行了探讨。运行证明：该系统界面美观简洁，方便易用，客户端只需通过浏览器就可以访问服务器，不需要安装其它软件。加强各执法部门间的业务衔接，减少业务脱节现象，简化查验手续，促进查验工作的快速完成，也减轻了查验工作人员的劳动强度，提高口岸工作的效率，有利于发挥口岸工作的综合管理职能和整体功能。     

软件安装也得讲究原则和方法

Windows毕竟只是个平台，尽管它垄断集成了很多应用程序。但在实际应用中我们仍需安装更多的第三方软件才能满足需求（没有人会因为Windows中集成了“画笔”就放弃Adobe 的Photoshop）.     

新结构MOSFET

和传统平面结构MOSFET相比，新结构MOSFET具有更好的性能(如改善的沟道效应(SCE)，理想的漏诱生势垒降低效应(DIBL)和亚阈值特性)和更大的驱动电流等。文章主要介绍了五种典型的新结构MOSFET，包括平面双栅MOSFET、FinFET、三栅MOSFET、环形栅MOSFET和竖直结构MOSFET。随着MOSFET向亚50nm等比例缩小，这些新结构器件将大有前途。     

德州仪器扩展第三方网络以满足制造商的需求

日前，德州仪器（TI）宣布已扩展了其第三方网络的范围，以充分满足小区网关（RG）与嵌入式系统市场对产品功能与种类的特定需求，显示了德州仪器为帮助小区网关与消费类电子（CE）制造商加速创新产品上市进程所作的努力。