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131.
132.
介绍了苯乙烯单体热引发本体聚合的特点及美国FINA石油化学公司聚苯乙烯生产工艺的特点,探讨了影响HIPS产品质量的多种因素,并对HIPS产品质量的改善提供提出建议和看法。  相似文献   
133.
介绍了马尔马里克河土坝滑坡的成因,对滑坡进行了分析研究。强调了进行监测对于预测滑坡的重要性。  相似文献   
134.
本文论述一种厚/薄铜复合PWB(及其可靠性),它允许PWB设计者在厚铜和薄铜之间以任何希望的图形进行随意选择,以使电源模块/分配电路可以和精细图形特征一起集成,从而适应离I/O数半导体封装的要求。  相似文献   
135.
喷射轧制Fe-4.5%Si硅钢片的组织和性能   总被引:3,自引:0,他引:3  
采用喷射成形和轧制工艺制备了厚度为0.5mm的Fe-4.5%Si高硅钢片,并对其密度、显微组织和电磁性能进行了测试分析,研究结果表明:在最佳的喷射成形和轧制工艺条件下,所制备硅钢片的磁感应强度B25为1.544T、B50为1.641T;铁损P1050为1.437W/kg、P1550为3.43W/kg,说明喷射成形轧制技术可以制备出高磁感应强度、低铁损的高硅钢片。  相似文献   
136.
137.
138.
新型高k栅介质材料研究进展   总被引:5,自引:0,他引:5  
随着半导体技术的不断发展,MOSFET(metal-oxide-semiconductor field effect transistor)的特征尺寸不断缩小,栅介质等效氧化物厚度已小至nm数量级。这时电子的直接隧穿效应将非常显著,将严重影响器件的稳定性和可靠性。因此需要寻找新型高k介质材料,能够在保持和增大栅极电容的同时,使介质层仍保持足够的物理厚度来限制隧穿效应的影响。本文综述了研究高k栅介质材料的意义;MOS栅介质的要求;主要新型高k栅介质材料的最新研究动态;展望了高k介质材料今后发展的主要趋势和需要解决的问题。  相似文献   
139.
高雷诺数下双圆柱绕流的数值模拟   总被引:16,自引:5,他引:11  
本文使用表面涡法研究高雷诺数下不同排列方式双圆柱绕流的流动状态,计算了双圆柱在并列、串列及级列的情况下的各种流动结构,涡街的变化及作用在圆柱上的受力情况。本文结果清楚地描述了双圆柱绕流复杂的流动状况,计算结果与实验显示的流动状况十分相似,斯特罗哈数和阻力系数与实验结果符合得很好。  相似文献   
140.
在GPS原始数据采集中,整网联测4个四等水准点人为高程约束条件,经过网平差软件对整网进行高程拟合计算,求出特定点的高程值,然后在GPS高程控制网的基础上,利用全站仪进行三角高程加密控制,得出了各测站点的高程,计算结果表明:使用该方法测量精度高且可靠,完全能满足山区测图的要求,并大大提高了工作效率,节省了人力物力。  相似文献   
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