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111.
《电脑自做》2004,(2):16-16
Audigy2 NX是创新的第三款外置产品,开山之作Exidigy至今仍是大家讨论的经典之作,而在半年多前推出的产品——Digital Music,预示着创新再度回到外置声卡市场,不过仅仅支持双声道输出让大家多少有些遗憾。而如今的Audigy2 NX是一款完完全全的Audigy2ZX声卡的外置版本,几乎支持所有Audigy2ZX支持的功能(只没有1394接口)。它支持7.1声道输出、24bit/192KHz输入输出,完整的支持EAX Ad-vanced HD以及遥控操作等等。由于要实现高品质的信号输出  相似文献   
112.
什么是OTP?——这样的产品只允许写入一次,所以被称为“一次可编程只读存储器”(One Time Progarmming ROM,OTP-ROM)。  相似文献   
113.
辐射型漏泄同轴电缆的设计   总被引:2,自引:1,他引:1  
总结了漏泄同轴电缆的理论研究现状。围绕使用频带和耦合损耗这两个重要电气参数,讨论辐射型漏泄同轴电缆的设计方法。基于周期性槽孔结构的空间谐波的分析,讨论了抑制高次谐波以拓展使用频带的方法。利用时域有限差分方法和Matlab软件计算耦合损耗。  相似文献   
114.
威刚A-DATA DDR2 533内存的标准规格为240针脚、1.8V工作电压,且依据JEDEC(美国电子工程设计发展联合协会)的标准规范,采用最先进的0.10微米制程、FBGA封装的DDR2颗粒,成功减少IC颗粒与电路板的球面接触点,并有效降低高频工作温度与资料杂讯。且大幅提高资料传输速率并透过内建的ODT内部中断电阻设计,让主机板不用在内存旁边增加一排电阻,减少PCB的使用空间。OCD讯号校正技术让电压的上升与下降有最小的DQ—DQS SKEW(时钟讯号偏离),提升讯号质量。以及提高汇流排效率的Posted CAS功能,使DDR2 533成功突破DDR的速度限制,缔造出每秒资料访问与输出量比DDR高出一倍的优异效果,真正达到每秒3.2G的极速资料传输带宽。  相似文献   
115.
基于P2P的虚拟VPN网关模型   总被引:1,自引:0,他引:1  
一、虚拟私有网的产生 我们知道,大部分企业或机构都构建有供自己办公使用的局域网,用来沟通部门之间的信息联系和信息共享。对处在地理位置范围相对狭小的机构来说.这很容易做到。但在实际生活中.我们往往会遇到以下几种典型情形:机构的各部门地理位置分散;工作人员异地出差时要访问办公资源;SOHO家庭办公等等。  相似文献   
116.
张跃 《微纳电子技术》2006,43(11):530-534
研究了由J.Bourgoin和M.Lannoo提出的半导体内Jahn-Teller畸变效应的计算理论。应用Bourgoin和Lannoo的方法研究了含中心氮杂质金刚石结构的Jahn-Teller畸变问题,计算了34C+N簇团的T2模耦合沿%111&晶向的Jahn-Teller畸变效应,结果与实验相符。  相似文献   
117.
杜强 《电镀与环保》2003,23(2):40-40
1前言 近年来,随着欧美、日本等发达国家禁止对含镍饰件的进口,光亮黑色锡-钴电镀已经在相关领域内完全取代了黑镍和黑色锡-镍合金电镀,但由于工艺控制困难,生产中往往靠经验,所以次品率很高.本公司在推广该工艺的过程中,总结了一套准确快速的现场化验手段.  相似文献   
118.
多孔陶瓷载体氧化铝涂层的研究   总被引:1,自引:1,他引:0  
分别用纳米γ-Al2O3和SB粉制备了多孔陶瓷载体的Al2O3涂层。BET法测定了多孔陶瓷载体Al2O3涂层改性前后比表面积的变化。由SEM照片观察多孔陶瓷载体涂层改性前后表面和断面的形貌。结果表明,这两种方法对多孔陶瓷载体涂层改性均有效可行。  相似文献   
119.
Ni-Al2O3纳米复合电镀工艺的初步研究   总被引:21,自引:4,他引:17  
初步研究了复合电镀各工艺条件:电流密度、镀液pH值和温度以及搅拌方式对Al2O3纳米微粒在镍基复合镀层中含量的影响。研究表明:电流密度增大不利于提高镀层中纳米微粒的含量;pH值增大也明显使复合量降低;镀液温度升高,镀层中微粒的复合量随之略有改变;电镀时,加强搅拌或适当改变搅拌方式,可以使复合镀居中的纳米微粒含量提高。还利用扫描电镜及能谱对Ni-Al2O3镀层表面进行了观察与分析。  相似文献   
120.
硫化氢是造成炼油厂设备腐蚀最活跃的硫化合物。原油开采出来时伴有水分.这些水分含有NaCl、CaCl2、MgCl2等盐类.在炼制过程中,很容易受热水解生成腐蚀性很强的HCI2原油中的硫化物则分解成H2S.就会形成HCl—H2S和H2O的湿硫化氢腐蚀环境。  相似文献   
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