Absorption of photons in the thin film AlGaInP light emitting diode

The path of photons in the thin film(TF)light emitting diode(LED)was analyzed.The reflectivity of reflector in AlGaInP TF LED with and without the AlGaInP layer was contrasted.The absorotion Of the AlGaInP layer was analyzed and then the light extraction was calculated and shown in figure.The TF AlGaInP LED with 8 μm and 0.6μm GaP was fabricated.At the driving current of 20 mA,the light output power of the latter is 33%higher.For the 0.6μm GaP LED,the etching of heavily doped GaP except the ohmic contact dot area iS advised.The design and optimizing of current spreading between the n-type electrode and the p-type ohmic contact dot need further research.     

ITO厚度对AlGaInP发光二极管特性的研究

采用金属有机物化学气相沉积技术在GaAs衬底上生长AlGaInP红光发光二极管器件,在表层GaP上沉积氧化铟锡透明导电层,使用扫描电镜分析器件外观、透射电镜观察器件各层结构、半导体测试机测试其光电参数、回流焊验证器件的热稳定性、X射线光电子能谱分析氧化铟锡透明导电层中In、O元素化合态;研究了不同氧化铟锡透明导电层厚度对器件光电参数、热稳定性、发光角度的影响,结果表明随着氧化铟锡透明导电层厚度增加器件电压降低、发光亮度先增加后下降,热稳定性随厚度增加而变好,发光角度随厚度增加而减小。     

AlGaInP四元系材料双异质结发光二极管的最佳Al组分分析

鉴于双异质结发光二极管(DH—LED)限制层的Al组分的不确定性，本文通过分析载流子在双异质结中的输运及受约束情况，从理论上剖析了Al组分确定为一个最合适的取值时，有源层中的载流子应有一个最大数量的复合，此时LED的复合效率最高、发光最强。这个最佳Al组分的确认，对于器件结构设计以及相关的MOCVD材料生长有指导意义。     

A1GaInP四元系材料双异质结发光二极管的最佳Al组分分析

鉴于双异质结发光二极管(DH—LED)限制层的Al组分的不确定性,本文通过分析载流子在双异质结中的输运及受约束情况,从理论上剖析了Al组分确定为一个最合适的取值时,有源层中的载流子应有一个最大数量的复合,此时LED的复合效率最高、发光最强。这个最佳Al组分的确认,对于器件结构设计以及相关的MOCVD材料生长有指导意义。     

GaAs基AlGaInP LED的研究和进展

探讨了GaAs基AlGaInP LED的最新研究与进展,介绍了AlGaInP红光LED外延材料的能带结构和基本的外延层结构以及限制外量子效率的问题,探讨了几种高效率的LED器件结构设计。着重介绍了目前一些外量子效率比较高的LED器件的制作方法以及一些提高外量子效率的AlGaInP LED器件结构,最后探讨了AlGaInP LED在作为固体光源发展过程中仍然需要面对的挑战。     

渐变异质结在HB-LED器件中的应用以及实现技术

本文首先讨论通过渐变方式使异质结处的尖峰消失或减小，从而改善高亮度发光二极管(HB-LED)的器件性能．讨论在实际中用双层突变拟合缓变异质结遇到的问题．     

透明导电ITO欧姆接触的AlGaInP薄膜发光二极管

提出了一种透明导电氧化铟锡(ITO)欧姆接触的AlGaInP薄膜发光二极管(LED)的结构和制作工艺.在这个结构里,ITO还作为窗口层材料,增强电流扩展,并应用了高反射率的金属作为反光镜.用Au-Sn合金(Au∶Sn＝8∶2,重量比)作为焊料,把带有金属反光镜的AlGaInP LED(RS-LED)外延片倒装键合到GaAs基板上,并去掉外延GaAs衬底,把被GaAs衬底吸收的光反射出去.与常规AlGaInP吸收衬底LEDs(AS-LED)和带有分布布拉格反光镜(DBR)的AlGaInP吸收衬底LEDs(DBR-AS-LED)电、光特性的比较,用透明导电ITO做欧姆接触的AlGaInP薄膜RS-LED结构能极大提高光输出功率和发光强度.正向电流20 mA时,RS-LED的光输出功率分别是AS-LED和DBR-AS-LED的2.4倍和1.7倍;RS-LED 20 mA下峰值波长624 nm的轴向光强达到了179.6 mcd,分别是AS-LED 20 mA下峰值波长627 nm和DBR-AS-LED 20 mA下峰值波长623 nm轴向光强的2.2倍和1.3倍.     

发光二极管表面结构对出光特性的影响

用传输矩阵法模拟计算了AlGaInP发光二极管(LED)不同表面结构的光学特性,用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)或磁控溅射掺铟氧化锡(ITO)设备,在带有DBR结构的外延衬底上制备出具有不同表面层结构的LED.通过实验结果对比表明,表面生长λ/4n SiON加λ2n ITO增透膜结构复合增透膜的LED,器件光学性能提高最佳,在20 mA注入电流下,光强和光通量分别达到141.7 mcd和0.4733 lm.比同样结构的无增透膜LED轴向光强和光通量分别提高138%和91%.     

The growth and properties of high performance AlGalnP emitters using a lattice mismatched GaP window layer

The growth and properties of high performance surface light emitting diodes which utilize a GaP window layer are presented. The devices consist of an AlGaInP double heterostructure lattice matched to a GaAs substrate. A lattice mismatched GaP layer is then grown on top of the heterostructure. The resulting upper confining and window layers have high electrical conductivity and optical transmissivity allowing for the fabrication of red-orange and yellow emitters with performance superior to existing commercial technologies. The effect of different confining and window layer structures on device performance is described, including characteristics of the shortest wavelength AlGaInP green emitters yet reported.