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Wolfram Witte Daniel Abou‐Ras Karsten Albe Gottfried H. Bauer Frank Bertram Christian Boit Rudolf Brüggemann Jürgen Christen Jens Dietrich Axel Eicke Dimitrios Hariskos Matthias Maiberg Roland Mainz Max Meessen Mathias Müller Oliver Neumann Thomas Orgis Stefan Paetel Johan Pohl Humberto Rodriguez‐Alvarez Roland Scheer Hans‐Werner Schock Thomas Unold Alfons Weber Michael Powalla 《Progress in Photovoltaics: Research and Applications》2015,23(6):717-733
The gallium gradient in Cu(In,Ga)Se2 (CIGS) layers, which forms during the two industrially relevant deposition routes, the sequential and co‐evaporation processes, plays a key role in the device performance of CIGS thin‐film modules. In this contribution, we present a comprehensive study on the formation, nature, and consequences of gallium gradients in CIGS solar cells. The formation of gallium gradients is analyzed in real time during a rapid selenization process by in situ X‐ray measurements. In addition, the gallium grading of a CIGS layer grown with an in‐line co‐evaporation process is analyzed by means of depth profiling with mass spectrometry. This gallium gradient of a real solar cell served as input data for device simulations. Depth‐dependent occurrence of lateral inhomogeneities on the µm scale in CIGS deposited by the co‐evaporation process was investigated by highly spatially resolved luminescence measurements on etched CIGS samples, which revealed a dependence of the optical bandgap, the quasi‐Fermi level splitting, transition levels, and the vertical gallium gradient. Transmission electron microscopy analyses of CIGS cross‐sections point to a difference in gallium content in the near surface region of neighboring grains. Migration barriers for a copper‐vacancy‐mediated indium and gallium diffusion in CuInSe2 and CuGaSe2 were calculated using density functional theory. The migration barrier for the InCu antisite in CuGaSe2 is significantly lower compared with the GaCu antisite in CuInSe2, which is in accordance with the experimentally observed Ga gradients in CIGS layers grown by co‐evaporation and selenization processes. Copyright © 2014 John Wiley & Sons, Ltd. 相似文献
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MPLS VPN不同解决方案的比较分析 总被引:5,自引:1,他引:5
MPLS VPN是一种基于多协议标记交换(MPLS)技术的IP虚拟专用网络(VPN),是通过在网络路由和交换设备上应用MPLS技术,简化核心路由器的路由选择方式,并结合传统路由技术的标记交换来实现的.本文介绍了MPLS VPN的基本原理和发展现状,分析和比较了主要的2层(L2)和3层(L3)MPLS VPN技术. 相似文献
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J2EE(Java 2平台企业版)是当前建立和开发各种Web应用的主流平台,MVC(模型-视图-控制)体系结构是当今设计交互式应用的事实标准.文中结合MVC在J2EE Web中的应用,通过电子政务系统开发实践,提出了一个具体的实现方案,描述了应用系统设计,给出了表示层、控制层、代理层、业务逻辑层、数据访问层和数据存储层等层次的明确划分,阐述了各层的功能作用以及层与层之间的关系,并针对具体业务给出了实现的部分具体内容,为在J2EE环境下开发结构良好、易于维护、易于扩展的Web应用提供了可行方案. 相似文献
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I2C总线和PCI_XIO是Philips公司最新DSP芯片PNX1302的两个常用接口.文中介绍了采用上述两个接口设计与实现基于IP视频监控系统的云台控制方法以及比较.基于I2C总线的云台控制方法是利用PNX1302 DSP芯片所集成的I2C总线,根据I2C总线的工作原理、传输速率以及云台控制信息比特数少的综合因素考虑实现的.基于PCI_XIO接口的云台控制方法是根据PNX1302 DSP芯片的PCI总线接口为实现8 bit数据传输而特别设计的PCI_XIO接口实现的. 相似文献
997.
采用热弹塑性有限元方法,在考虑了材料性能参数随温度变化情况下,分析了采用Ag—Cu—Ti钎料钎焊A12O3陶瓷与Ni金属丝的钎焊接头,在钎焊和随后再次加热过程中产生的应力大小和分布情况,计算中着重考虑了钎料对接头残余应力的影响。分析结果表明,在钎料与陶瓷的界面处存在着较大的残余拉应力,影响了钎焊接头的连接强度,并可能在界面的陶瓷侧产生裂纹。通过试验对比,认为在此类连接结构中,钎料是造成接头形成较大残余应力的主要因素。同时。选择合适厚度的钎料会降低钎焊接头的残余应力,改善接头连接强度。 相似文献
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用SiH2Cl2在3种温度下进行了多晶硅薄膜的沉积,根据膜厚计算出了沉积速率,用SEM、XRD和薄膜应力测试仪对薄膜进行测试分析.证明用SiH2Cl2在950℃时可以快速沉积用于MEMS的多晶硅. 相似文献
999.
1000.