聚乳酸/二氧化硅有机无机杂化材料的制备和表征

以聚乳酸(PLA)、正硅酸乙酯(TEO S)为原料,活性单体3-氨基丙基三乙氧基硅烷(APTES)为偶联剂,采用两步法制备PLA/S iO2杂化材料。采用FT-IR、DSC和TEM等技术对杂化材料进行表征。研究结果表明,杂化材料中有机组分和无机组分通过APTES发生了化学键合;材料的玻璃化转变温度(Tg)随着二氧化硅含量的增大而提高;随APTES加入量增大、酰胺化反应温度升高,反应时间延长,杂化材料的溶胶分数减小。     

钛酸铋基铁电薄膜研究进展

钛酸铋基铁电薄膜具有优良的铁电、介电性能,在非挥发性存储器件方面有很好的应用前景.本文分别从制备工艺、掺杂改性、疲劳特性的研究等方面综述了最新的研究进展,并对当前研究中存在的问题进行了讨论.     

NdAlO3掺杂对Ba4.2Nd9.2Ti18O54陶瓷微波介电性能的影响

研究了NdAlO3掺杂对Ba4.2Nd9.2Ti18O54(简称BNT)陶瓷材料微观结构及其微波介电性能的影响.采用XRD和场发射扫描电子显微镜分析了掺NdAlO3后的BNT陶瓷材料的微观结构.结果表明,掺入的NdAlO3与Ba4.2Nd9.2Ti18O54形成了固溶体.随着NdAlO3掺入量的增加,材料的介电常数和谐振频率温度系数逐渐减小,Q×f值先增大后减小.当NdAlO3的掺入量为10wt%时,材料的Q×f值达到最大(11400GHz),谐振频率温度系数接近为零(-0.7ppm/℃),此时材料的相对介电常数为66.29(3.5GHz).     

一种新型管道专用工业射线胶片的研究开发

本文综合介绍一种新型管道专用工业射线胶片的研究开发,在详细介绍其特性的基础之上,描述了此类型胶片在曝光和自动冲洗加工过程中的应用细节,并展望国内管道专用工业射线胶片的市场前景.     

基于Inventor的三维CAD软件的二维表达问题

基于Inventor讨论了三维CAD软件在创建二维工程图时所出现的各种问题,并给出了相应的解决办法。论述了二维表达的重要性,并指出,三维软件在创建二维工程图时还存在不少的缺陷。因此,由三维模型转换为符合国家标准的二维工程图不是轻而易举的事情,会遇到许多问题,需要具备扎实的二维图形的表达能力。     

微结构运动特性表征中的全场三维重建方法

微机电系统(MEMS)测试的主要目的是为工程开发中的设计和模拟过程提供数据反馈,其中一个重要方面就是MEMS器件运动特性的高速可视化。基于计算机控制的频闪干涉测试系统,文中提出了一种时间轴和空间轴双向解包裹的干涉条纹分析方法,实现了MEMS器件离面运动参数的精确测量,并与微结构平面结构图像模板相结合,可以进行MEMS器件全视场运动的分析,达到了纳米级分辨力。     

超声挤出制备聚丙烯/纳米碳酸钙复合材料及其结晶和分散形态

采用超声挤出制备了聚丙烯/纳米碳酸钙(PPCA s)复合材料,考察了加入纳米碳酸钙前后的结构演变和结晶行为的变化。结果表明,超声辐照能促进n-C aCO3粒子在聚合物基体中的分散,使其分散尺寸减小,分布更均匀。由于纳米粒子的成核效应,PPAC s的结晶温度和结晶度都有所提高,施加超声使结晶温度又有所提高,使结晶度相对于未施加超声辐照的纳米复合材料的低。     

模糊PID控制在BSL-3实验室压力控制中的应用

根据BSL-3实验室压力控制的控制对象具有时滞、时变和非线性的特点，设计了一种通过采用模糊理论整定PID参数的模糊PID控制方法。实验表明，该方法与常规的PID控制方法相比，具有响应快、超调量小、稳态精度高和鲁棒性强的优点。     

微机电系统的封装技术

MEMS封装是在微电子封装技术基础上发展起来的一项关键的MEMS技术。介绍了MEMS封装技术的功能、特点与分类。在此基础上,重点介绍了键合技术、上下球栅阵列技术、倒装芯片技术、多芯片技术以及3-D技术等几种重要的MEMS封装技术。最后,进一步探讨了MEMS封装的发展趋势及研究方向。     

ARM向量中断机制在uClinux下的设计与实现

在ARM体系结构中,硬件产生的外部中断(IRQ)具有单一的程序入口。为了识别中籽源,进而运行对应的中断服务例程(ISR),程序需读取中断悬挂寄存器,获得中断号。在这种方式中,程序必须通过软件方法对中断悬挂寄存器的每一位进行比较,直到找到中断源为止,效率较低。本文移植了基于2.6.11内核的uClinux[1],在此基础上设计了一套向量中断机制,并基于ARM7TDMI架构的S3C44BOX处理器,实现了这套向量中断机制。结果表明,这套机制可以大规模地减少外部中断的响应时间。