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101.
研究了部分相干超短脉冲光束的M2因子。从时空维格纳分布函数出发,以高斯-谢尔(GSM)脉冲光束为例,导出部分相干超短脉冲光束的M2因子公式。给出了空间完全相干高斯脉冲光束和准单色高斯-谢尔脉冲光束的M2因子。由于受脉冲光束带宽及空间相关度的影响,高斯-谢尔脉冲光束的M2因子总是大于1。研究结果表明,M2因子随脉冲光束带宽的增大而增大,随空间相关度的增大而减小。此外,对于啁啾高斯-谢尔脉冲光束,M2因子还随啁啾参数的增大而增大。 相似文献
102.
本文用有限差分光束传播法(FD-BPM)模拟并给出了基于理想克尔介质的弧形波导全光开关的开关特性曲线,分析了克尔介质中的非克尔非线性效应。用FD-BPM就非线性饱和以及背景吸收对弧形波导全光开关特性的影响进行了模拟,模拟结果表明,背景吸收和非线性饱和会减少弧形波导全光开关的开关次数,增加弧形波导全光开关的开关功率,导致全光开关的开关特性恶化。 相似文献
103.
104.
高斯光束传输理论在半导体激光器耦合中的应用 总被引:2,自引:0,他引:2
在TO封装激光器生产过程中,激光器和光纤在耦合时耦合功率与耦合位置呈现一定的关系。针对该过程中出现的这一现现象。利用高斯传输定理、模匹配原理和矩阵光学的理论加以分析和解释,得到对TO封装激光器的设计和生产具有指导意义的结论。 相似文献
105.
106.
L. A. Almeida S. Hirsch M. Martinka P. R. Boyd J. H. Dinan 《Journal of Electronic Materials》2001,30(6):608-610
We report on continuing efforts to develop a reproducible process for molecular beam epitaxy of CdZnTe on three-inch, (211)
Si wafers. Through a systematic study of growth parameters, we have significantly improved the crystalline quality and have
reduced the density of typical surface defects. Lower substrate growth temperatures (∼250–280°C) and higher CdZnTe growth
rates improved the surface morphology of the epilayers by reducing the density of triangular surface defects. Cyclic thermal
annealing was found to reduce the dislocation density. Epilayers were characterized using Nomarski microscopy, scanning electron
microscopy, x-ray diffraction, defect-decoration etching, and by their use as substrates for HgCdTe epitaxy. 相似文献
107.
从理论上分析和讨论了在大型激光加工系统中,导光距离对激光束聚焦性能的影响,描述了当前代表国际先进水平的多种提高和控制激光束聚焦性能的方法。 相似文献
108.
109.
具有特殊衍射强度分布的二元位相光栅设计 总被引:4,自引:7,他引:4
介绍了几种可形成特定衍射强度分布的Dammann位相光栅。在迭代设计中采用了模拟退火算法。对相位元件的输出特性进行了描述 ,同时分析了误差产生的原因。最后讨论了在金属表面激光改性处理中该类元件作为光束变换器件的应用。 相似文献
110.