介质阻挡放电脱除NO_x反应器的评价方法及运行流量特性分析

将气体放电生成非热平衡等离子体过程从撞击时刻起分为前后2阶段,指出放电反应器的性能优劣主要与撞击前的阶段相关。原因是撞击前是等离子反应器产生高能电子的阶段,而撞击后是非热平衡等离子体发生化学反应的阶段。对NO和N2体系的气体放电过程进行化学反应动力学和电子碰撞动力学分析,指出利用该体系可以得到放电反应器产生高能电子的平均动能,实现反应器性能优劣的评价。进行不同气体流量下,同轴介质阻挡放电脱除氮氧化物的实验研究。研究结果表明,在注入能量密度基本相同的情况下,气体流量的变化对NO的脱除效果影响甚微。对实验中采用的反应器进行了评价计算,结果表明,反应器出口NO浓度为150～250mL/m3的所有试验点的高能电子平均动能均为3～3.5eV。     

二维对称结构纳秒脉冲介质阻挡放电数值模拟

为具体分析放电过程中电场强度、电子密度、平均电子能量及鞘层的变化规律,通过简化化学反应动力学模型以及采用全时域漂移-扩散模型方程,对N2-O2混合气体的二维平行电极纳秒脉冲介质阻挡等离子体放电的发展演化过程进行数值模拟。计算结果发现:放电从电极处开始发展形成约化场强约为5×10-19 V?m2的强电场,高电压电极附近形成0.2 mm的鞘层区域,鞘层边缘存在数密度为1.6×1019 m-3的薄电子层,且其边缘分层结构与低气压辉光放电鞘层分层结构一致;电子沉积在介质表面,等离子体从强电场中获得的能量使得其在脉冲结束后的余辉过程中继续维持,进而有效地将能量耦合给等离子体。数值模拟结果表明,提出的简化化学反应动力学模型能够有效地模拟复杂的介质阻挡纳秒脉冲放电的物理过程及其各个物理参数的变化规律。     

我国与主要贸易国家的产品技术贸易现状及分析

随着我国进出口贸易总额的不断增长,企业面临的贸易摩擦增多,技术竞争口趋激烈。介绍了技术产品出口贸易中的有关案例及技术标准要求;分析了我国技术贸易现状及存在的问题;提出了面对技术贸易壁垒的应对措施;指出企业要加快提升自身管理水平和产品竞争力,靠实力突破技术贸易壁垒,扩大中国产品在全球的市场份额,取得竞争优势。     

向量法与电荷电压法测量介质阻挡放电参量的分析比较

在定频变压条件下,使用向量法和电荷电压法分别对介质阻挡放电参量进行了测量分析,实验表明,二者得到的共有参量(介质等效电容、气隙等效电压、放电功率)变化规律基本相同;电压变化对反应器总等效电容影响不大;在此条件下放电功率会出现一个极大值,其原因主要是电源谐振造成的。     

大气中电极结构对介质阻挡放电的影响

笔者研究了平行平板电极、柱-板电极、斜板-平板电极三种电极结构DBD的放电特性,通过测量电压-电流波形图及放电发光图比较了他们的区别,并从放电机理角度对实验结果进行了讨论。结果发现:柱-板电极DBD中,随柱电极外径的增大,正负半周起始放电电压增大。     

掺碳SiGe二极管反向阻断特性模拟与机理分析

深入研究了掺碳SiGe(SiGeC)功率二极管的反向阻断特性,给出了详细的机理分析.与同结构SiGe二极管相比,SiGeC二极管的热稳定性显著提高,反向漏电流明显减小,击穿电压也有所增加,且随着温度的升高,其优势更加明显.与少子寿命控制技术相比,该SiGeC/Si异质结二极管有效协调了降低通态电压、减小反向漏电流、缩短反向恢复时间3者之间的矛盾.其较好的热稳定性降低了对器件后续制作工艺的限制,而且无需采用寿命控制技术,在制作过程中可调节Ge,C含量来对异质结能带结构进行剪裁,折中优化器件性能,给器件设计提供了更大的自由度.     

三电平整流器PWM控制技术

为了分析三电平PWM整流器解耦控制的运行效果,采用对三电平PWM整流器在旋转dq坐标系中进行坐标变换的处理方法,得到了其简化的数学模型,建立电压电流解耦环节,对解耦后的dq轴电流分量分别进行PI控制,实现了电流内环和电压外环的独立控制.仿真结果表明,采用该方法进行解耦控制的三电平PWM整流器相电压、相电流在稳定运行时基本上保持同步,并且网侧相电流的THD只有2.865%,能够达到直接上网的要求.     

二极管加电流互感器箝位的移相全桥DC-DC变换器

二极管箝位的移相全桥变换器工作在电感电流断续模式(DCM)时,箝位二极管工作在硬关断状态,极易损坏,严重影响系统的可靠性。本文分析了该变换器的工作原理,提出了二极管加电流互感器箝位的移相全桥变换器,该变换器能够有效地减小箝位二极管的导通时间,使其能够自然关断。本文详细分析了该变换器的工作原理,给出主要参数的设计方法,并通过实验验证了原理分析的正确性。     

Analysis of saturation currents and barrier height of Ta2O5 doped based on Ba0,5S0,5TiO3 photodiode

Ba_0,5Sr_0,5TiO₃ (BST) thin films have been prepared on Si (100) p-type substrates using a chemical solution deposition (CSD) method and doped with 0%, 2.5%, 5%, 7.5%, 10% tantalum pentaoxide (Ta₂O₅). Chemical Solution Deposition Method (CSD) used the spin coating techniques with a rotational speed of 3000?rpm for 30?seconds. BST thin films annealed at a temperature 850?°C. Various electrical parameters such as saturation current, series resistance and barrier height have been calculated from the analysis of experimental I–V results and discussed in detail. The series resistance was found from the experiment of 42.8 MΩ, 7.9 MΩ, 7.2 MΩ, 2.03 MΩ, 1.2 MΩ for variation doping content. The saturation current of 22.3 μA, 2.7 μA, 9.7 μA, 4.82 μA, 4.50 μA was obtained in BST thin film with variation doping content. Then, the barrier height of 0.56?eV, 0.62?eV, 0.58?eV, 0.54?eV, 0.60?eV was obtained in BST thin film with variation doping content. The optical characterization and analysis microstructure such as XRD, EDX were discussed in detail.     

脉冲介质阻挡放电等离子体催化CH_4直接转化

研究了微秒脉冲和纳秒脉冲介质阻挡放电等离子体CH_4转化过程。对比了两种脉冲电源激励的CH_4介质阻挡放电等离子体特性,考察了不同脉冲电源激励时重复频率、流速和输入功率对CH_4转化效率及气态产物分布的影响,并对不同实验条件下CH_4转化反应路径的选择进行了分析。实验结果发现,CH_4转化气态产物均以H_2、C2H_6为主,CH_4转化率和H_2产率随着重复频率的上升而下降,但随流速的增大而减小。相同重复频率和流速条件下,微秒脉冲电源激励时CH_4转化率和H_2产率较高,而纳秒脉冲电源激励时具有能量利用率高的优势。在高重复频率、低流速条件下,在石英管内壁和金属电极上会产生更多的积炭和液态烃,因此导致反应的碳氢平衡降低。微秒脉冲电源激励时,随着输入功率的升高氢气和乙烷选择性下降,纳秒脉冲电源激励时呈现出相反的趋势。