全文获取类型
收费全文 | 103530篇 |
免费 | 8730篇 |
国内免费 | 7014篇 |
专业分类
电工技术 | 3617篇 |
技术理论 | 2篇 |
综合类 | 6285篇 |
化学工业 | 33985篇 |
金属工艺 | 9459篇 |
机械仪表 | 2713篇 |
建筑科学 | 2135篇 |
矿业工程 | 1603篇 |
能源动力 | 4403篇 |
轻工业 | 7065篇 |
水利工程 | 831篇 |
石油天然气 | 4341篇 |
武器工业 | 597篇 |
无线电 | 9971篇 |
一般工业技术 | 15224篇 |
冶金工业 | 4621篇 |
原子能技术 | 1307篇 |
自动化技术 | 11115篇 |
出版年
2024年 | 344篇 |
2023年 | 1912篇 |
2022年 | 3635篇 |
2021年 | 4069篇 |
2020年 | 3084篇 |
2019年 | 2888篇 |
2018年 | 2631篇 |
2017年 | 3160篇 |
2016年 | 3458篇 |
2015年 | 3403篇 |
2014年 | 4857篇 |
2013年 | 5731篇 |
2012年 | 6549篇 |
2011年 | 8392篇 |
2010年 | 6473篇 |
2009年 | 7488篇 |
2008年 | 6447篇 |
2007年 | 7451篇 |
2006年 | 6715篇 |
2005年 | 5288篇 |
2004年 | 4442篇 |
2003年 | 3777篇 |
2002年 | 3053篇 |
2001年 | 2392篇 |
2000年 | 2148篇 |
1999年 | 1683篇 |
1998年 | 1354篇 |
1997年 | 1043篇 |
1996年 | 1000篇 |
1995年 | 839篇 |
1994年 | 791篇 |
1993年 | 595篇 |
1992年 | 459篇 |
1991年 | 369篇 |
1990年 | 319篇 |
1989年 | 242篇 |
1988年 | 152篇 |
1987年 | 105篇 |
1986年 | 101篇 |
1985年 | 76篇 |
1984年 | 58篇 |
1983年 | 34篇 |
1982年 | 52篇 |
1981年 | 49篇 |
1980年 | 39篇 |
1979年 | 29篇 |
1978年 | 13篇 |
1977年 | 15篇 |
1975年 | 14篇 |
1951年 | 22篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 15 毫秒
961.
962.
963.
M. K. Rabinal I. Lyubomirsky E. Pekarskaya V. Lyakhovitskaya David Cahen 《Journal of Electronic Materials》1997,26(8):893-897
Room temperature formation of ohmic contacts by electroplating gold on chemically treated surfaces of p-CuInSe2 and p-CdTe single crystals is reported. The effect of Br2/methanol and KOH+KCN+H2O treatments prior to plating was analyzed in the case of CuInSe2. It is shown that the former treatment yields better ohmic contacts, with lower contact resistance, than the latter. While
annealing these contacts made them highly non-ohmic, the method gives reasonably ohmic contacts on surfaces, that were purposely
oxidized prior to contact preparation. In the case of p-CdTe stable, low resistance ohmic contacts were obtained at room temperature by electrochemical diffusion of Hg from solution, prior to gold plating. The treatment forms a highly degenerated p+- HgCdTe layer. The contacts, which have a very low contact to bulk resistivity ratio, were further improved by vacuum annealing. 相似文献
964.
965.
966.
探讨在短波数字通信网络中的自适应差错控制系统,对第二代ALE(2^ndALE)和第三代ALE(3^rdALE)系统中的差错控制系统进行计算机仿真,并分析它们在相同通信条件下性能的优劣。 相似文献
967.
968.
Two innovative techniques for manufacturing 0. 1 micron MOSFETs are described. One is SiO2-resist overetching method, in which an additional SiO2 layer is used to short the gate length; the other is dual-exposure method, according to which two overlapped masks are exposed in a single lithography. Both of them are easy to implement, without any special processing technologies required. The layout used in a real process is introduced. As a result, MOSFETs with minimal channel length of 0.12 micron are obtained. Also, the test results on characteristic are given. Finally, a conclusion is drawn that in 0.1 micron scale, both saturation currents and transconductorance of MOSFETs increase, while substrate currents decrease when channel length diminish. 相似文献
969.
MPEG-2编码复用器的设计与实现 总被引:5,自引:0,他引:5
提出了一种MPEG-2编码复用器的设计与实现方法,详细阐述了系统的总体设计方案,硬件和软件的实现方法。 相似文献
970.